元器件型号、描述、参数

2N7002

 N沟道增强模型场效应晶体管 DS=60V VGS=±20V ID=115mA P=225mW

制造商：ON

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产品信息

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优势特点

该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗，同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 可用于大部分需要高达400mA直流电流的应用，并且能够提供高达2A的脉冲电流。 这款产品特别适合低压、低电流应用（如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器）以及其他开关应用中。

  • 高密度单元设计可实现极低的 R

  • 。

  • 电压控制的小型信号开关。

  • 坚固而可靠。

  • 高饱和电流能力。


规格参数

产品分类

场效应管（MOS管）

三极管及MOS管



FET配置（电路类型）

N沟道


漏源击穿电压V(BR)dss

60V


漏极电流（Id, 连续）

115mA（Ta）


导通电阻 Rds（on）

7欧姆


阈值电压Vgs(th)

2.5V@250µA


最大耗散功率

225mW


封装/外壳

SOT-23-3(SC-59,TO-236-3)



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技术资料

应用案例