2N7002
N沟道增强模型场效应晶体管 DS=60V VGS=±20V ID=115mA P=225mW
制造商：ON
产品信息
优势特点
该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗，同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 可用于大部分需要高达400mA直流电流的应用，并且能够提供高达2A的脉冲电流。 这款产品特别适合低压、低电流应用（如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器）以及其他开关应用中。
高密度单元设计可实现极低的 R
。
电压控制的小型信号开关。
坚固而可靠。
高饱和电流能力。
规格参数
产品分类 | ||
FET配置（电路类型） | N沟道 | |
漏源击穿电压V(BR)dss | 60V | |
漏极电流（Id, 连续） | 115mA（Ta） | |
导通电阻 Rds（on） | 7欧姆 | |
阈值电压Vgs(th) | 2.5V@250µA | |
最大耗散功率 | 225mW | |
封装/外壳 | SOT-23-3(SC-59,TO-236-3) |
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型号：2N7002
描述：-
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