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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 430mA SOT-23
品牌：SK
现货库存：144894 (立即发货)
销售单价
20+￥0.07014
数量国内价格
20+ ￥0.07014
200+ ￥0.06594
500+ ￥0.06174
1000+ ￥0.05754
3000+ ￥0.05544
6000+ ￥0.0525
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 品牌SK
- 漏源电流(Idss)4.3A
- 功率耗散830mW
- 阈值电压1.6V
- 原始制造商Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd.
- 包装Tape/reel
- 原产地China Taiwan
- 连续漏极电流430mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 输入电容(Ci)30pF
- 工作温度+150℃
- 充电电量305nC
- 配置单路
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 认证信息RoHS
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：Hongjiacheng
现货库存：3100 (立即发货)
销售单价
50+￥0.08329
数量国内价格
50+ ￥0.08329
500+ ￥0.0784
2000+ ￥0.0686
5000+ ￥0.0637
15000+ ￥0.0588
30000+ ￥0.05635
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散225mW
- 阈值电压1.6V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss5pF@25V
- 输入电容(Ci)50pF@25V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)900mΩ@10V
- 栅极电荷(Qg)1.6nC@10V
- 高度1.15mm
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：JSCJ
现货库存：546404 (立即发货)
销售单价
50+￥0.10349
数量国内价格
50+ ￥0.10349
500+ ￥0.08361
3000+ ￥0.07507
6000+ ￥0.06801
24000+ ￥0.06517
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌JSCJ
- 击穿电压60V
- 功率耗散225mW
- 阈值电压2.5V
- 原始制造商Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd
- 包装Tape/reel
- 原产地China
- 连续漏极电流115mA
- 封装/外壳SOT-23
- 输入电容(Ci)50pF
- 工作温度-50℃~+150℃
- 应用等级Industrial
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)7.5Ω@10V,500mA
- 高度1.15mm
- 引脚数3Pin
- 应用Consumer, Industrial,
- 类型1个N沟道
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2N7002
MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT-23-3
品牌：ON
现货库存：5804 (立即发货)
销售单价
10+￥0.21101
数量国内价格
10+ ￥0.21101
100+ ￥0.16665
300+ ￥0.14475
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 技术路线MOSFET (Metal Oxide)
- 阈值电压2.5V
- 包装剪切带（CT） ,带卷（TR）
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）5V，10V
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT23-3
- 制造商标准提前期8 周
- 工作温度-55℃~+150℃
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)7.5Ω@500mA,10V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度0.94mm
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
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2N7002
MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:115mA SOT-23
品牌：JSMSEMI
现货库存：37250 (立即发货)
销售单价
50+￥0.051
数量国内价格
50+ ￥0.051
500+ ￥0.048
2000+ ￥0.042
5000+ ￥0.039
15000+ ￥0.036
30000+ ￥0.0345
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压60V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.95 x 1.35mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)20pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)2.4Ω
- 高度1.00mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
MOS管 N沟道 VDS=60V ID=0.34A VGS=±20V RDS(ON)=0.85Ω@10V RDS(ON)=1Ω@5V 丝印：7002
品牌：MLSM
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.0525
数量国内价格
50+ ￥0.0525
500+ ￥0.04725
5000+ ￥0.04375
10000+ ￥0.042
30000+ ￥0.04025
50000+ ￥0.0392
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度+150℃(TJ)
- 功率耗散225mW
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 高度1.15mm
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：JXND
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.0544
数量国内价格
50+ ￥0.0544
500+ ￥0.0512
2000+ ￥0.0448
5000+ ￥0.0416
15000+ ￥0.0384
30000+ ￥0.0368
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 封装/外壳SOT-23
- 安装类型SMT
- 功率耗散225mW
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 高度1.15mm
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
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2N7002
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW
品牌：YONGYUTAI
现货库存：4365 (立即发货)
销售单价
50+￥0.0544
数量国内价格
50+ ￥0.0544
150+ ￥0.0464
1000+ ￥0.0384
5000+ ￥0.0352
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌YONGYUTAI
- 功率耗散225mW
- 击穿电压60V
- 原始制造商KUU SEMICONDUCTOR
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流115mA
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 输入电容(Ci)50pF
- 反向传输电容Crss5pF
- 工作温度+150℃
- 配置单路
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：TWGMC
现货库存：29056 (立即发货)
销售单价
50+￥0.09832
数量国内价格
50+ ￥0.09832
500+ ￥0.07987
3000+ ￥0.0648
6000+ ￥0.0588
24000+ ￥0.05302
51000+ ￥0.04988
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅No
- 漏源电流(Idss)1µA
- 功率耗散200mW
- 阈值电压2.1V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸3.10 x 1.65mm
- 封装/外壳SOT-23
- 输入电容(Ci)50pF
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)7.5Ω
- 栅极电荷(Qg)-
- 零件状态Active
- 高度1.40mm
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 200mA SOT-23
品牌：BORN
现货库存：2960 (立即发货)
销售单价
50+￥0.11134
数量国内价格
50+ ￥0.11134
500+ ￥0.08765
3000+ ￥0.07353
6000+ ￥0.06586
24000+ ￥0.05851
51000+ ￥0.05449
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散225mW
- 阈值电压1V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流200mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-50℃~+150℃
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)7.5Ω@10V,500mA
- 高度1.00mm
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
20+￥0.07014

属性

销售单价
50+￥0.08329

属性

销售单价
50+￥0.10349

属性

销售单价
10+￥0.21101

属性

销售单价
50+￥0.051

属性

销售单价
50+￥0.0525

属性

销售单价
50+￥0.0544

属性

销售单价
50+￥0.0544

属性

销售单价
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属性

销售单价
50+￥0.11134

属性

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属性

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数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价20+￥0.07014

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销售单价50+￥0.08329

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销售单价50+￥0.10349

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销售单价10+￥0.21101

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销售单价50+￥0.0544

属性

销售单价50+￥0.0544

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属性

销售单价50+￥0.11134

属性

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属性

条款与个人信息保护政策

销售单价
20+￥0.07014

销售单价
50+￥0.08329

销售单价
50+￥0.10349

销售单价
10+￥0.21101

销售单价
50+￥0.051

销售单价
50+￥0.0525

销售单价
50+￥0.0544

销售单价
50+￥0.0544

销售单价
50+￥0.09832

销售单价
50+￥0.11134