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2N7002
MOSFETs N-Channel Vdss=60V Id=115mA Pd=225mW SOT23-3
品牌：JSCJ
现货库存：295308 (立即发货)
销售单价
100+￥0.07098
数量国内价格
100+ ￥0.07098
500+ ￥0.06678
1000+ ￥0.06048
5000+ ￥0.05208
10000+ ￥0.04704
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 击穿电压60V
- 功率耗散225mW
- 阈值电压2.5V@250μA
- 原始制造商Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd
- 额定功率200mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@10V,500mA
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-50℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-50℃~+150℃
- 输入电容50pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 高度1.15mm
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
- 应用Consumer, Industrial,
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2N7002
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW
品牌：TWGMC
现货库存：27396 (立即发货)
销售单价
1+￥0.06633
数量国内价格
1+ ￥0.06633
100+ ￥0.06194
300+ ￥0.05755
500+ ￥0.05316
2000+ ￥0.05096
5000+ ￥0.04964
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌TWGMC
- 阈值电压2.1V
- 原始制造商Twgmc Electronics Co., Ltd.
- 额定功率200mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 漏极电流1µA
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 输入电容50pF
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
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2N7002
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
品牌：Slkor
现货库存：45743 (立即发货)
销售单价
50+￥0.07473
数量国内价格
50+ ￥0.07473
600+ ￥0.05788
1200+ ￥0.0573
3000+ ￥0.04626
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散225mW
- 阈值电压2.5V@250μA
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@10V,500mA
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度+150℃
- 配置单路
- 原产国家China
- 输入电容50pF@25V
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度1.15mm
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
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2N7002
MOSFETs Vds=60V,Id=200mA,Pd=225mW, SOT23 N-Channel
品牌：BORN
现货库存：2880 (立即发货)
销售单价
20+￥0.10992
数量国内价格
20+ ￥0.10992
300+ ￥0.08458
1200+ ￥0.08373
3000+ ￥0.0695
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-50℃~+150℃
- 阈值电压1V@250μA
- 额定功率225mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@10V,500mA
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流200mA
- 高度1.00mm
- 类型1个N沟道
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
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2N7002
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW
品牌：YANGJIE
现货库存：68263 (立即发货)
销售单价
50+￥0.07325
数量国内价格
50+ ￥0.07325
600+ ￥0.06384
1200+ ￥0.0632
3000+ ￥0.05861
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌YANGJIE
- 阈值电压2.5V@250μA
- 额定功率350mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3Ω@4.5V,200mA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 工作温度-55℃~+150℃
- 输入电容27.5pF@30V
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)1.6nC@10V
- 高度1.05mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：JXND
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
20+￥0.0512
数量国内价格
20+ ￥0.0512
200+ ￥0.048
600+ ￥0.0448
3000+ ￥0.0416
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-23
- 安装类型SMT
- 功率耗散225mW
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 高度1.15mm
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 引脚数3Pin
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2N7002
MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:115mA SOT-23
品牌：JSMSEMI
现货库存：123479 (立即发货)
销售单价
50+￥0.04325
数量国内价格
50+ ￥0.04325
200+ ￥0.04075
600+ ￥0.03825
2000+ ￥0.03575
5000+ ￥0.03325
10000+ ￥0.0315
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌JSMICRO
- 击穿电压60V
- 功率耗散200mW
- 原始制造商JSMICRO SEMICONDUCTOR
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.4Ω
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流115mA
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 反向传输电容Crss4pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 输入电容20pF
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
MOS管 N沟道 VDS=60V ID=0.34A VGS=±20V RDS(ON)=0.85Ω@10V RDS(ON)=1Ω@5V 丝印：7002
品牌：MLSM
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.0525
数量国内价格
50+ ￥0.0525
500+ ￥0.04725
5000+ ￥0.04375
10000+ ￥0.042
30000+ ￥0.04025
50000+ ￥0.0392
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度+150℃(TJ)
- 功率耗散225mW
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 高度1.15mm
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：DIOS
现货库存：80 (立即发货)
销售单价
20+￥0.0434
数量国内价格
20+ ￥0.0434
200+ ￥0.0406
500+ ￥0.0378
1000+ ￥0.035
3000+ ￥0.0336
6000+ ￥0.03164
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-23
- 功率耗散225mW
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 高度1.15mm
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 引脚数3Pin
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2N7002
N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：0.43A 功率(Pd)：0.83W
品牌：SK
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.06
数量国内价格
50+ ￥0.06
500+ ￥0.054
5000+ ￥0.05
10000+ ￥0.048
30000+ ￥0.046
50000+ ￥0.0448
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 击穿电压60V
- 阈值电压1.6V@250µA
- 原始制造商Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd.
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.9Ω
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流430mA
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流4.3A
- 栅极源极击穿电压±20V
- 反向传输电容Crss3pF
- 工作温度+150℃
- 充电电量305nC
- 配置单路
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
100+￥0.07098

属性

销售单价
1+￥0.06633

属性

销售单价
50+￥0.07473

属性

销售单价
20+￥0.10992

属性

销售单价
50+￥0.07325

属性

销售单价
20+￥0.0512

属性

销售单价
50+￥0.04325

属性

销售单价
50+￥0.0525

属性

销售单价
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属性

销售单价
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属性

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属性

数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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品牌收起

供应商收起

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销售单价100+￥0.07098

属性

销售单价1+￥0.06633

属性

销售单价50+￥0.07473

属性

销售单价20+￥0.10992

属性

销售单价50+￥0.07325

属性

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属性

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属性

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属性

销售单价20+￥0.0434

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销售单价50+￥0.06

属性

品牌{{ brandShow ? '收起' : '展开' }}

封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

销售单价
100+￥0.07098

销售单价
1+￥0.06633

销售单价
50+￥0.07473

销售单价
20+￥0.10992

销售单价
50+￥0.07325

销售单价
20+￥0.0512

销售单价
50+￥0.04325

销售单价
50+￥0.0525

销售单价
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销售单价
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