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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：Slkor
现货库存：45963 (立即发货)
销售单价
20+￥0.06192
数量国内价格
20+ ￥0.06192
200+ ￥0.05832
500+ ￥0.05472
1000+ ￥0.05112
3000+ ￥0.04932
6000+ ￥0.0468
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌Slkor
- 阈值电压2.5V@250μA
- 额定功率225mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@10V,500mA
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度+150℃
- 配置单路
- 输入电容50pF@25V
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度1.15mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：JSCJ
现货库存：317312 (立即发货)
销售单价
100+￥0.0676
数量国内价格
100+ ￥0.0676
500+ ￥0.0636
1000+ ￥0.0576
5000+ ￥0.0496
10000+ ￥0.0448
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌JSCJ
- 击穿电压60V
- 阈值电压2.5V@250μA
- 额定功率200mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@10V,500mA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-50℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 工作温度-50℃~+150℃
- 原产国家China
- 应用等级Industrial
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 340mA SOT-23
品牌：YANGJIE
现货库存：68713 (立即发货)
销售单价
20+￥0.06804
数量国内价格
20+ ￥0.06804
200+ ￥0.06384
500+ ￥0.05964
1000+ ￥0.05544
3000+ ￥0.05334
6000+ ￥0.0504
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌YANGJIE
- 功率耗散350mW
- 阈值电压2.5V@250μA
- 原始制造商Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
- 额定功率350mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3Ω@4.5V,200mA
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流340mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 原产国家China
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)1.6nC@10V
- 高度1.05mm
- 引脚数3Pin
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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 430mA SOT-23
品牌：SK
现货库存：144834 (立即发货)
销售单价
20+￥0.06846
数量国内价格
20+ ￥0.06846
200+ ￥0.06436
500+ ￥0.06026
1000+ ￥0.05616
3000+ ￥0.05411
6000+ ￥0.05124
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 品牌SK
- 功率耗散830mW
- 阈值电压1.6V@250μA
- 原始制造商Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd.
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流430mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流4.3A
- 工作温度+150℃
- 充电电量305nC
- 配置单路
- 原产国家China Taiwan
- 输入电容30pF
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 认证信息RoHS
- 晶体管类型N沟道
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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：TWGMC
现货库存：27796 (立即发货)
销售单价
50+￥0.07779
数量国内价格
50+ ￥0.07779
600+ ￥0.06083
1200+ ￥0.05992
3000+ ￥0.04693
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 阈值电压2.1V
- 原始制造商Twgmc Electronics Co., Ltd.
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸3.10 x 1.65mm
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 漏极电流1µA
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量-
- 原产国家China Taiwan
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度1.40mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA
品牌：LGE
现货库存：3850 (立即发货)
销售单价
20+￥0.12061
数量国内价格
20+ ￥0.12061
300+ ￥0.09433
1200+ ￥0.07977
3000+ ￥0.06311
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 阈值电压2.5V@250μA
- 原始制造商Luguang Electronic Technology Co., Ltd.
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@10V,500mA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.05 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss5pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 原产国家China
- 输入电容50pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
- 高度1.10mm
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：JXND
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
20+￥0.0512
数量国内价格
20+ ￥0.0512
200+ ￥0.048
600+ ￥0.0448
3000+ ￥0.0416
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-23
- 安装类型SMT
- 功率耗散225mW
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 高度1.15mm
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
MOS管 N沟道 VDS=60V ID=0.34A VGS=±20V RDS(ON)=0.85Ω@10V RDS(ON)=1Ω@5V 丝印：7002
品牌：MLSM
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.0525
数量国内价格
50+ ￥0.0525
500+ ￥0.04725
5000+ ￥0.04375
10000+ ￥0.042
30000+ ￥0.04025
50000+ ￥0.0392
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-23
- 安装类型SMT
- 工作温度+150℃(TJ)
- 功率耗散225mW
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 高度1.15mm
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
购买数量
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2N7002
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW
品牌：YONGYUTAI
现货库存：4365 (立即发货)
销售单价
50+￥0.0544
数量国内价格
50+ ￥0.0544
150+ ￥0.0464
1000+ ￥0.0384
5000+ ￥0.0352
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压60V
- 原始制造商KUU SEMICONDUCTOR
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss5pF
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度+150℃
- 配置单路
- 原产国家China
- 输入电容50pF
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 430mA SOT-23
品牌：SK
现货库存：2600 (立即发货)
销售单价
50+￥0.06
数量国内价格
50+ ￥0.06
500+ ￥0.054
5000+ ￥0.05
10000+ ￥0.048
30000+ ￥0.046
50000+ ￥0.0448
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 功率耗散830mW
- 阈值电压1.6V@250μA
- 原始制造商Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd.
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.9Ω
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流430mA
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流4.3A
- 栅极源极击穿电压±20V
- 反向传输电容Crss3pF
- 工作温度+150℃
- 充电电量305nC
- 配置单路
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
20+￥0.06192

属性

销售单价
100+￥0.0676

属性

销售单价
20+￥0.06804

属性

销售单价
20+￥0.06846

属性

销售单价
50+￥0.07779

属性

销售单价
20+￥0.12061

属性

销售单价
20+￥0.0512

属性

销售单价
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属性

销售单价
50+￥0.0544

属性

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属性

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数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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品牌收起

供应商收起

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销售单价20+￥0.06192

属性

销售单价100+￥0.0676

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销售单价20+￥0.06804

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属性

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销售单价20+￥0.0512

属性

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销售单价50+￥0.0544

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销售单价50+￥0.06

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品牌{{ brandShow ? '收起' : '展开' }}

封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

销售单价
20+￥0.06192

销售单价
100+￥0.0676

销售单价
20+￥0.06804

销售单价
20+￥0.06846

销售单价
50+￥0.07779

销售单价
20+￥0.12061

销售单价
20+￥0.0512

销售单价
50+￥0.0525

销售单价
50+￥0.0544

销售单价
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