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2N7002
MOSFETs N-Channel Vdss=60V Id=115mA Pd=225mW SOT23-3
品牌：JSCJ
现货库存：265456 (立即发货)
销售单价
100+￥0.07182
数量国内价格
100+ ￥0.07182
500+ ￥0.06757
1000+ ￥0.0612
5000+ ￥0.0527
10000+ ￥0.0476
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌JSCJ
- 击穿电压60V
- 功率耗散225mW
- 阈值电压2.5V@250μA
- 额定功率200mW
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-50℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 工作温度-50℃~+150℃
- 原产国家China
- 应用等级Industrial
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
购买数量
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2N7002
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW
品牌：TWGMC
现货库存：24450 (立即发货)
销售单价
1+￥0.07329
数量国内价格
1+ ￥0.07329
100+ ￥0.06844
300+ ￥0.06359
500+ ￥0.05873
2000+ ￥0.05631
5000+ ￥0.05485
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅No
- 品牌TWGMC
- 功率耗散200mW
- 阈值电压2.1V
- 额定功率200mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸3.10 x 1.65mm
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流1µA
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 输入电容50pF
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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2N7002
MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT-23-3
品牌：ON
现货库存：448 (立即发货)
销售单价
1+￥0.638
数量国内价格
1+ ￥0.638
45+ ￥0.4858
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 功率耗散200mW
- 阈值电压2.5V@250µA
- 额定功率200mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@500mA,10V
- 包装剪切带（CT） ,带卷（TR）
- 连续漏极电流115mA
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）5V，10V
- 封装/外壳SOT23-3
- 制造商标准提前期8 周
- 工作温度-55℃~+150℃
- 系列-
- 输入电容50pF@25V
- FET功能-
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 零件状态在售
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
购买数量
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2N7002
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
品牌：Slkor
现货库存：42443 (立即发货)
销售单价
20+￥0.0516
数量国内价格
20+ ￥0.0516
200+ ￥0.0486
500+ ￥0.0456
1000+ ￥0.0426
3000+ ￥0.0411
6000+ ￥0.039
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散225mW
- 阈值电压2.5V@250μA
- 原始制造商SLKORMICRO Electronics Co., Ltd
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@10V,500mA
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度+150℃
- 配置单路
- 原产国家China
- 输入电容50pF@25V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度1.15mm
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
购买数量
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2N7002
MOSFETs Vds=60V,Id=200mA,Pd=225mW, SOT23 N-Channel
品牌：BORN
现货库存：2080 (立即发货)
销售单价
10+￥0.08958
数量国内价格
10+ ￥0.08958
50+ ￥0.08346
200+ ￥0.07836
600+ ￥0.07326
1500+ ￥0.06918
3000+ ￥0.06663
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-50℃~+150℃
- 阈值电压1V@250μA
- 额定功率225mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@10V,500mA
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流200mA
- 高度1.00mm
- 类型1个N沟道
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
购买数量
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2N7002
N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA
品牌：LGE
现货库存：3845 (立即发货)
销售单价
5+￥0.099
数量国内价格
5+ ￥0.099
20+ ￥0.09
100+ ￥0.081
500+ ￥0.072
1000+ ￥0.0678
2000+ ￥0.0648
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌LGE
- 击穿电压60V
- 阈值电压2.5V@250μA
- 额定功率200mW
- 原始制造商Luguang Electronic Technology Co., Ltd.
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.05 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss5pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 原产国家China
- 输入电容50pF
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
购买数量
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2N7002
N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：0.43A 功率(Pd)：0.83W
品牌：SK
现货库存：144754 (立即发货)
销售单价
20+￥0.06846
数量国内价格
20+ ￥0.06846
200+ ￥0.06436
500+ ￥0.06026
1000+ ￥0.05616
3000+ ￥0.05411
6000+ ￥0.05124
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 击穿电压60V
- 阈值电压1.6V@250µA
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.9Ω
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流430mA
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流4.3A
- 栅极源极击穿电压±20V
- 反向传输电容Crss3pF
- 工作温度+150℃
- 配置单路
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 高度1.12mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:115mA SOT-23
品牌：JSMSEMI
现货库存：117434 (立即发货)
销售单价
50+￥0.04325
数量国内价格
50+ ￥0.04325
200+ ￥0.04075
600+ ￥0.03825
2000+ ￥0.03575
5000+ ￥0.03325
10000+ ￥0.0315
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压60V
- 原始制造商JSMICRO SEMICONDUCTOR
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.4Ω
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸2.95 x 1.35mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 反向传输电容Crss4pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 输入电容20pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 高度1.00mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
品牌：DIOS
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
3000+￥0.0322
数量国内价格
3000+ ￥0.0322
6000+ ￥0.03136
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-23
购买数量
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2N7002
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW
品牌：YONGYUTAI
现货库存：4081 (立即发货)
销售单价
1+￥0.048
数量国内价格
1+ ￥0.048
100+ ￥0.0448
300+ ￥0.0416
500+ ￥0.0384
2000+ ￥0.0368
5000+ ￥0.03584
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌YONGYUTAI
- 功率耗散225mW
- 击穿电压60V
- 原始制造商KUU SEMICONDUCTOR
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.1Ω
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度+150℃
- 配置单路
- 原产国家China
- 漏源电压(Vdss)60V
- 高度1.15mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
100+￥0.07182

属性

销售单价
1+￥0.07329

属性

销售单价
1+￥0.638

属性

销售单价
20+￥0.0516

属性

销售单价
10+￥0.08958

属性

销售单价
5+￥0.099

属性

销售单价
20+￥0.06846

属性

销售单价
50+￥0.04325

属性

销售单价
3000+￥0.0322

属性

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属性

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品牌收起

供应商收起

封装收起

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销售单价1+￥0.638

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封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

销售单价
100+￥0.07182

销售单价
1+￥0.07329

销售单价
1+￥0.638

销售单价
20+￥0.0516

销售单价
10+￥0.08958

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5+￥0.099

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