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2N7002
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW
品牌：TWGMC
现货库存：22236 (立即发货)
销售单价
1+￥0.0801
数量国内价格
1+ ￥0.0801
100+ ￥0.07476
300+ ￥0.06942
500+ ￥0.06408
2000+ ￥0.06141
5000+ ￥0.05981
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅No
- 功率耗散200mW
- 阈值电压2.1V
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸3.10 x 1.65mm
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流1µA
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量OriginalnC
- 原产国家China Taiwan
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 零件状态Active
- 高度1.40mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
MOSFETs N-Channel Vdss=60V Id=115mA Pd=225mW SOT23-3
品牌：JSCJ
现货库存：174566 (立即发货)
销售单价
100+￥0.07304
数量国内价格
100+ ￥0.07304
500+ ￥0.06864
1000+ ￥0.06204
5000+ ￥0.05324
10000+ ￥0.04796
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌JSCJ
- 阈值电压2.5V@250μA
- 额定功率200mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@10V,500mA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-50℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 工作温度-50℃~+150℃
- 原产国家China
- 应用等级Industrial
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
- 应用Consumer, Industrial,
购买数量
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2N7002
N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：0.43A 功率(Pd)：0.83W
品牌：SK
现货库存：140765 (立即发货)
销售单价
20+￥0.06846
数量国内价格
20+ ￥0.06846
200+ ￥0.06436
500+ ￥0.06026
1000+ ￥0.05616
3000+ ￥0.05411
6000+ ￥0.05124
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌SK
- 击穿电压60V
- 阈值电压1.6V@250µA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流430mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流4.3A
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度+150℃
- 配置单路
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）1.9Ω
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 高度1.12mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA
品牌：LGE
现货库存：3710 (立即发货)
销售单价
5+￥0.099
数量国内价格
5+ ￥0.099
20+ ￥0.09
100+ ￥0.081
500+ ￥0.072
1000+ ￥0.0678
2000+ ￥0.0648
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌LGE
- 击穿电压60V
- 阈值电压2.5V@250μA
- 额定功率200mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@10V,500mA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.05 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 原产国家China
- 输入电容50pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 高度1.10mm
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW
品牌：YONGYUTAI
现货库存：2746 (立即发货)
销售单价
1+￥0.048
数量国内价格
1+ ￥0.048
100+ ￥0.0448
300+ ￥0.0416
500+ ￥0.0384
2000+ ￥0.0368
5000+ ￥0.03584
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌YONGYUTAI
- 击穿电压60V
- 原始制造商KUU SEMICONDUCTOR
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss5pF
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度+150℃
- 配置单路
- 原产国家China
- 输入电容50pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
MOSFETs Vds=60V,Id=200mA,Pd=225mW, SOT23 N-Channel
品牌：BORN
现货库存：805 (立即发货)
销售单价
10+￥0.08295
数量国内价格
10+ ￥0.08295
50+ ￥0.07683
200+ ￥0.07173
600+ ￥0.06663
1500+ ￥0.06255
3000+ ￥0.06
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-23
- 阈值电压1V@250μA
- 额定功率225mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@10V,500mA
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流200mA
- 高度1.00mm
- 类型1个N沟道
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
购买数量
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2N7002
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW
品牌：YANGJIE
现货库存：60263 (立即发货)
销售单价
20+￥0.08016
数量国内价格
20+ ￥0.08016
200+ ￥0.07536
500+ ￥0.07056
1000+ ￥0.06576
3000+ ￥0.06336
6000+ ￥0.06
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌YANGJIE
- 阈值电压2.5V@250μA
- 额定功率350mW
- 原始制造商Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3Ω@4.5V,200mA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 工作温度-55℃~+150℃
- 输入电容27.5pF@30V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)1.6nC@10V
- 高度1.05mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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2N7002
MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:115mA SOT-23
品牌：JSMSEMI
现货库存：103475 (立即发货)
销售单价
50+￥0.042
数量国内价格
50+ ￥0.042
200+ ￥0.0395
600+ ￥0.037
2000+ ￥0.0345
5000+ ￥0.032
10000+ ￥0.03025
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌JSMICRO
- 功率耗散200mW
- 击穿电压60V
- 原始制造商JSMICRO SEMICONDUCTOR
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.95 x 1.35mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss4pF
- 栅极源极击穿电压±20V
- 配置单路
- 原产国家America
- 输入电容20pF
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
- 高度1.00mm
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车
2N7002
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
品牌：Slkor
现货库存：42333 (立即发货)
销售单价
20+￥0.0516
数量国内价格
20+ ￥0.0516
200+ ￥0.0486
500+ ￥0.0456
1000+ ￥0.0426
3000+ ￥0.0411
6000+ ￥0.039
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌Slkor
- 阈值电压2.5V@250μA
- 额定功率225mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@10V,500mA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度+150℃
- 配置单路
- 输入电容50pF@25V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度1.15mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：300mW
品牌：MDD
现货库存：3772 (立即发货)
销售单价
1+￥0.0756
数量国内价格
1+ ￥0.0756
30+ ￥0.0729
100+ ￥0.0702
500+ ￥0.0648
1000+ ￥0.0621
2000+ ￥0.06048
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散300mW
- 阈值电压-
- 栅源电压 Vgss±20V
- 额定功率300mW
- 原始制造商Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd.
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度+150℃
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）1.1Ω
- 原产国家China
- 导通电阻7欧姆
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
1+￥0.0801

属性

销售单价
100+￥0.07304

属性

销售单价
20+￥0.06846

属性

销售单价
5+￥0.099

属性

销售单价
1+￥0.048

属性

销售单价
10+￥0.08295

属性

销售单价
20+￥0.08016

属性

销售单价
50+￥0.042

属性

销售单价
20+￥0.0516

属性

销售单价
1+￥0.0756

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属性

数量	国内价格
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100+	￥0.07476
300+	￥0.06942
500+	￥0.06408
2000+	￥0.06141
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数量	国内价格
100+	￥0.07304
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数量	国内价格
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价1+￥0.0801

属性

销售单价100+￥0.07304

属性

销售单价20+￥0.06846

属性

销售单价5+￥0.099

属性

销售单价1+￥0.048

属性

销售单价10+￥0.08295

属性

销售单价20+￥0.08016

属性

销售单价50+￥0.042

属性

销售单价20+￥0.0516

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属性

销售单价
1+￥0.0801

销售单价
100+￥0.07304

销售单价
20+￥0.06846

销售单价
5+￥0.099

销售单价
1+￥0.048

销售单价
10+￥0.08295

销售单价
20+￥0.08016

销售单价
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销售单价
20+￥0.0516

销售单价
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