2N7002价格_2N7002封装_2N7002库存_华秋商城-电子元器件查询平台

关于“2N7002”的搜索结果共0条

综合现有库存

筛选

热销型号

2N7002
MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:115mA SOT-23
品牌：JSMSEMI
现货库存：7250 (立即发货)
销售单价
50+￥0.0442
数量国内价格
50+ ￥0.0442
500+ ￥0.0416
2000+ ￥0.0364
5000+ ￥0.0338
15000+ ￥0.0312
30000+ ￥0.0299
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压60V
- 原始制造商JSMICRO SEMICONDUCTOR
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)20pF
- 反向传输电容Crss4pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)2.4Ω
- 高度1.00mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车
2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：JXND
现货库存：360 (立即发货)
销售单价
20+￥0.0512
数量国内价格
20+ ￥0.0512
200+ ￥0.048
600+ ￥0.0448
3000+ ￥0.0416
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-23
- 安装类型SMT
- 功率耗散225mW
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 高度1.15mm
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车
2N7002
MOS管 N沟道 VDS=60V ID=0.34A VGS=±20V RDS(ON)=0.85Ω@10V RDS(ON)=1Ω@5V 丝印：7002
品牌：MLSM
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.0525
数量国内价格
50+ ￥0.0525
500+ ￥0.04725
5000+ ￥0.04375
10000+ ￥0.042
30000+ ￥0.04025
50000+ ￥0.0392
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-23
- 安装类型SMT
- 工作温度+150℃(TJ)
- 功率耗散225mW
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 高度1.15mm
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车
2N7002
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW
品牌：YONGYUTAI
现货库存：4365 (立即发货)
销售单价
50+￥0.0544
数量国内价格
50+ ￥0.0544
150+ ￥0.0464
1000+ ￥0.0384
5000+ ￥0.0352
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌YONGYUTAI
- 功率耗散225mW
- 击穿电压60V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 输入电容(Ci)50pF
- 工作温度+150℃
- 配置单路
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)1.1Ω
- 高度1.15mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车
2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 430mA SOT-23
品牌：SK
现货库存：5900 (立即发货)
销售单价
50+￥0.06
数量国内价格
50+ ￥0.06
500+ ￥0.054
5000+ ￥0.05
10000+ ￥0.048
30000+ ￥0.046
50000+ ￥0.0448
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 漏源电流(Idss)4.3A
- 击穿电压60V
- 阈值电压1.6V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流430mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度+150℃
- 配置单路
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)1.9Ω
- 高度1.12mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车
2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 340mA SOT-23
品牌：YANGJIE
现货库存：75853 (立即发货)
销售单价
20+￥0.0648
数量国内价格
20+ ￥0.0648
200+ ￥0.0608
500+ ￥0.0568
1000+ ￥0.0528
3000+ ￥0.0508
6000+ ￥0.048
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌YANGJIE
- 阈值电压2.5V
- 原始制造商Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 输入电容(Ci)27.5pF@30V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 原产国家China
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)3Ω@4.5V,200mA
- 栅极电荷(Qg)1.6nC@10V
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
加入购物车
2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：Hongjiacheng
现货库存：450 (立即发货)
销售单价
50+￥0.08329
数量国内价格
50+ ￥0.08329
500+ ￥0.0784
2000+ ￥0.0686
5000+ ￥0.0637
15000+ ￥0.0588
30000+ ￥0.05635
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散225mW
- 阈值电压1.6V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss5pF@25V
- 输入电容(Ci)50pF@25V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)900mΩ@10V
- 栅极电荷(Qg)1.6nC@10V
- 高度1.15mm
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车
2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：JSCJ
现货库存：336359 (立即发货)
销售单价
50+￥0.08554
数量国内价格
50+ ￥0.08554
600+ ￥0.06593
1200+ ￥0.06494
3000+ ￥0.05722
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 阈值电压2.5V
- 原始制造商Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-50℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 输入电容(Ci)50pF
- 工作温度-50℃~+150℃
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)7.5Ω@10V,500mA
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
- 应用Consumer, Industrial,
- 类型1个N沟道
购买数量
加入购物车
2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：TWGMC
现货库存：28856 (立即发货)
销售单价
50+￥0.08567
数量国内价格
50+ ￥0.08567
600+ ￥0.06799
1200+ ￥0.06697
3000+ ￥0.05154
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅No
- 漏源电流(Idss)1µA
- 功率耗散200mW
- 阈值电压2.1V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸3.10 x 1.65mm
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量-
- 原产国家China Taiwan
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 零件状态Active
- 高度1.40mm
- 晶体管类型N沟道
购买数量
加入购物车
2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 200mA SOT-23
品牌：BORN
现货库存：2960 (立即发货)
销售单价
50+￥0.12524
数量国内价格
50+ ￥0.12524
600+ ￥0.09959
1200+ ￥0.0981
3000+ ￥0.08425
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散225mW
- 阈值电压1V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流200mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-50℃~+150℃
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)7.5Ω@10V,500mA
- 高度1.00mm
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
加入购物车

0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
50+￥0.0442

属性

销售单价
20+￥0.0512

属性

销售单价
50+￥0.0525

属性

销售单价
50+￥0.0544

属性

销售单价
50+￥0.06

属性

销售单价
20+￥0.0648

属性

销售单价
50+￥0.08329

属性

销售单价
50+￥0.08554

属性

销售单价
50+￥0.08567

属性

销售单价
50+￥0.12524

属性

品牌{{ brandShow ? '收起' : '展开' }}

封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

数量	国内价格
50+	￥0.0442
500+	￥0.0416
2000+	￥0.0364
5000+	￥0.0338
15000+	￥0.0312
30000+	￥0.0299

数量	国内价格
50+	￥0.0525
500+	￥0.04725
5000+	￥0.04375
10000+	￥0.042
30000+	￥0.04025
50000+	￥0.0392

数量	国内价格
50+	￥0.06
500+	￥0.054
5000+	￥0.05
10000+	￥0.048
30000+	￥0.046
50000+	￥0.0448

数量	国内价格
20+	￥0.0648
200+	￥0.0608
500+	￥0.0568
1000+	￥0.0528
3000+	￥0.0508
6000+	￥0.048

数量	国内价格
50+	￥0.08329
500+	￥0.0784
2000+	￥0.0686
5000+	￥0.0637
15000+	￥0.0588
30000+	￥0.05635

数量	国内价格
50+	￥0.0544
150+	￥0.0464
1000+	￥0.0384
5000+	￥0.0352

数量	国内价格
50+	￥0.08554
600+	￥0.06593
1200+	￥0.06494
3000+	￥0.05722

数量	国内价格
50+	￥0.08567
600+	￥0.06799
1200+	￥0.06697
3000+	￥0.05154

数量	国内价格
50+	￥0.12524
600+	￥0.09959
1200+	￥0.0981
3000+	￥0.08425

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价50+￥0.0442

属性

销售单价20+￥0.0512

属性

销售单价50+￥0.0525

属性

销售单价50+￥0.0544

属性

销售单价50+￥0.06

属性

销售单价20+￥0.0648

属性

销售单价50+￥0.08329

属性

销售单价50+￥0.08554

属性

销售单价50+￥0.08567

属性

销售单价50+￥0.12524

属性

品牌{{ brandShow ? '收起' : '展开' }}

封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

条款与个人信息保护政策

销售单价
50+￥0.0442

销售单价
20+￥0.0512

销售单价
50+￥0.0525

销售单价
50+￥0.0544

销售单价
50+￥0.06

销售单价
20+￥0.0648

销售单价
50+￥0.08329

销售单价
50+￥0.08554

销售单价
50+￥0.08567

销售单价
50+￥0.12524