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2N7002
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW
品牌：TWGMC
现货库存：24722 (立即发货)
销售单价
1+￥0.06633
数量国内价格
1+ ￥0.06633
100+ ￥0.06194
300+ ￥0.05755
500+ ￥0.05316
2000+ ￥0.05096
5000+ ￥0.04964
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌TWGMC
- 阈值电压2.1V
- 原始制造商Twgmc Electronics Co., Ltd.
- 额定功率200mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 漏极电流1µA
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 输入电容50pF
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 晶体管类型N沟道
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2N7002
MOSFETs N-Channel Vdss=60V Id=115mA Pd=225mW SOT23-3
品牌：JSCJ
现货库存：282676 (立即发货)
销售单价
50+￥0.08668
数量国内价格
50+ ￥0.08668
600+ ￥0.06538
1200+ ￥0.06473
3000+ ￥0.05599
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌JSCJ
- 击穿电压60V
- 功率耗散225mW
- 阈值电压2.5V@250μA
- 额定功率200mW
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-50℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 工作温度-50℃~+150℃
- 原产国家China
- 应用等级Industrial
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
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2N7002
MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT-23-3
品牌：ON
现货库存：568 (立即发货)
销售单价
5+￥0.2932
数量国内价格
5+ ￥0.2932
20+ ￥0.26733
100+ ￥0.24146
500+ ￥0.21559
1000+ ￥0.20352
2000+ ￥0.19489
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 功率耗散200mW
- 阈值电压2.5V@250µA
- 包装剪切带（CT） ,带卷（TR）
- 连续漏极电流115mA
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）5V，10V
- 封装/外壳SOT23-3
- 制造商标准提前期8 周
- 工作温度-55℃~+150℃
- 系列-
- 输入电容50pF@25V
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度0.94mm
- 零件状态在售
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
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2N7002
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW
品牌：YANGJIE
现货库存：68113 (立即发货)
销售单价
20+￥0.07776
数量国内价格
20+ ￥0.07776
200+ ￥0.07296
500+ ￥0.06816
1000+ ￥0.06336
3000+ ￥0.06096
6000+ ￥0.0576
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散350mW
- 阈值电压2.5V@250μA
- 原始制造商Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
- 额定功率350mW
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流340mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 原产国家China
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)1.6nC@10V
- 零件状态Active
- 高度1.05mm
- 引脚数3Pin
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2N7002
N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA
品牌：LGE
现货库存：3845 (立即发货)
销售单价
5+￥0.099
数量国内价格
5+ ￥0.099
20+ ￥0.09
100+ ￥0.081
500+ ￥0.072
1000+ ￥0.0678
2000+ ￥0.0648
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 击穿电压60V
- 阈值电压2.5V@250μA
- 原始制造商Luguang Electronic Technology Co., Ltd.
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.05 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss5pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 原产国家China
- 输入电容50pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
- 高度1.10mm
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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：JXND
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
20+￥0.0512
数量国内价格
20+ ￥0.0512
200+ ￥0.048
600+ ￥0.0448
3000+ ￥0.0416
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-23
- 安装类型SMT
- 功率耗散225mW
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 高度1.15mm
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
MOS管 N沟道 VDS=60V ID=0.34A VGS=±20V RDS(ON)=0.85Ω@10V RDS(ON)=1Ω@5V 丝印：7002
品牌：MLSM
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.0525
数量国内价格
50+ ￥0.0525
500+ ￥0.04725
5000+ ￥0.04375
10000+ ￥0.042
30000+ ￥0.04025
50000+ ￥0.0392
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-23
- 安装类型SMT
- 工作温度+150℃(TJ)
- 功率耗散225mW
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 高度1.15mm
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
购买数量
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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：DIOS
现货库存：80 (立即发货)
销售单价
20+￥0.0434
数量国内价格
20+ ￥0.0434
200+ ￥0.0406
500+ ￥0.0378
1000+ ￥0.035
3000+ ￥0.0336
6000+ ￥0.03164
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-23
- 安装类型SMT
- 功率耗散225mW
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 高度1.15mm
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
购买数量
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2N7002
MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:115mA SOT-23
品牌：JSMSEMI
现货库存：122944 (立即发货)
销售单价
50+￥0.04325
数量国内价格
50+ ￥0.04325
200+ ￥0.04075
600+ ￥0.03825
2000+ ￥0.03575
5000+ ￥0.03325
10000+ ￥0.0315
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌JSMICRO
- 功率耗散200mW
- 原始制造商JSMICRO SEMICONDUCTOR
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.4Ω
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.95 x 1.35mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss4pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 原产国家America
- 输入电容20pF
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
购买数量
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2N7002
N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：0.43A 功率(Pd)：0.83W
品牌：SK
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.06
数量国内价格
50+ ￥0.06
500+ ￥0.054
5000+ ￥0.05
10000+ ￥0.048
30000+ ￥0.046
50000+ ￥0.0448
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌SK
- 击穿电压60V
- 阈值电压1.6V@250µA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流430mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流4.3A
- 工作温度+150℃
- 配置单路
- 输入电容30pF
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 认证信息RoHS
- 高度1.12mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
1+￥0.06633

属性

销售单价
50+￥0.08668

属性

销售单价
5+￥0.2932

属性

销售单价
20+￥0.07776

属性

销售单价
5+￥0.099

属性

销售单价
20+￥0.0512

属性

销售单价
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属性

销售单价
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属性

销售单价
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销售单价
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属性

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数量	国内价格
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供应商收起

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销售单价5+￥0.2932

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属性

销售单价
1+￥0.06633

销售单价
50+￥0.08668

销售单价
5+￥0.2932

销售单价
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50+￥0.0525

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销售单价
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