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2N7002
MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:115mA SOT-23
品牌：JSMSEMI
现货库存：2700 (立即发货)
销售单价
50+￥0.0442
数量国内价格
50+ ￥0.0442
500+ ￥0.0416
2000+ ￥0.0364
5000+ ￥0.0338
15000+ ￥0.0312
30000+ ￥0.0299
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压60V
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.4Ω
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸2.95 x 1.35mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 反向传输电容Crss4pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 输入电容20pF
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 高度1.00mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：JXND
现货库存：160 (立即发货)
销售单价
20+￥0.0512
数量国内价格
20+ ￥0.0512
200+ ￥0.048
600+ ￥0.0448
3000+ ￥0.0416
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-23
- 功率耗散225mW
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 高度1.15mm
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
购买数量
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2N7002
MOS管 N沟道 VDS=60V ID=0.34A VGS=±20V RDS(ON)=0.85Ω@10V RDS(ON)=1Ω@5V 丝印：7002
品牌：MLSM
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.0525
数量国内价格
50+ ￥0.0525
500+ ￥0.04725
5000+ ￥0.04375
10000+ ￥0.042
30000+ ￥0.04025
50000+ ￥0.0392
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-23
- 安装类型SMT
- 工作温度+150℃(TJ)
- 功率耗散225mW
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 高度1.15mm
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW
品牌：YONGYUTAI
现货库存：4365 (立即发货)
销售单价
50+￥0.0544
数量国内价格
50+ ￥0.0544
150+ ￥0.0464
1000+ ￥0.0384
5000+ ￥0.0352
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压60V
- 原始制造商KUU SEMICONDUCTOR
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss5pF
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度+150℃
- 配置单路
- 原产国家China
- 输入电容50pF
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 430mA SOT-23
品牌：SK
现货库存：5050 (立即发货)
销售单价
50+￥0.06
数量国内价格
50+ ￥0.06
500+ ￥0.054
5000+ ￥0.05
10000+ ￥0.048
30000+ ￥0.046
50000+ ￥0.0448
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 漏源电流(Idss)4.3A
- 功率耗散830mW
- 阈值电压1.6V@250μA
- 原始制造商Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd.
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流430mA
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 反向传输电容Crss3pF
- 工作温度+150℃
- 充电电量305nC
- 配置单路
- 原产国家China Taiwan
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：JSCJ
现货库存：331259 (立即发货)
销售单价
50+￥0.07677
数量国内价格
50+ ￥0.07677
600+ ￥0.05904
1200+ ￥0.05815
3000+ ￥0.05112
15000+ ￥0.04518
30000+ ￥0.04284
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌JSCJ
- 击穿电压60V
- 功率耗散225mW
- 阈值电压2.5V@250μA
- 原始制造商Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-50℃~+150℃
- 原产国家China
- 输入电容50pF
- 应用等级Industrial
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
- 高度1.15mm
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：TWGMC
现货库存：28256 (立即发货)
销售单价
50+￥0.07798
数量国内价格
50+ ￥0.07798
600+ ￥0.06181
1200+ ￥0.06088
3000+ ￥0.04685
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌TWGMC
- 漏源电流(Idss)1µA
- 阈值电压2.1V
- 原始制造商Twgmc Electronics Co., Ltd.
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 输入电容50pF
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：Hongjiacheng
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.08329
数量国内价格
50+ ￥0.08329
500+ ￥0.0784
2000+ ￥0.0686
5000+ ￥0.0637
15000+ ￥0.0588
30000+ ￥0.05635
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散225mW
- 阈值电压1.6V
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)900mΩ@10V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss5pF@25V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 输入电容50pF@25V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)1.6nC@10V
- 高度1.15mm
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 340mA SOT-23
品牌：YANGJIE
现货库存：72713 (立即发货)
销售单价
50+￥0.10872
数量国内价格
50+ ￥0.10872
600+ ￥0.0873
1200+ ￥0.08599
3000+ ￥0.07542
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散350mW
- 阈值电压2.5V@250μA
- 原始制造商Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
- 额定功率350mW
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流340mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 原产国家China
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)1.6nC@10V
- 零件状态Active
- 高度1.05mm
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：UMW
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.09819
数量国内价格
50+ ￥0.09819
600+ ￥0.07641
1200+ ￥0.07526
3000+ ￥0.06219
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-23
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 工作温度+150℃(TJ)
- 功率耗散225mW
- 阈值电压2.5V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 高度1.10mm
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
50+￥0.0442

属性

销售单价
20+￥0.0512

属性

销售单价
50+￥0.0525

属性

销售单价
50+￥0.0544

属性

销售单价
50+￥0.06

属性

销售单价
50+￥0.07677

属性

销售单价
50+￥0.07798

属性

销售单价
50+￥0.08329

属性

销售单价
50+￥0.10872

属性

销售单价
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属性

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属性

数量	国内价格
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数量	国内价格
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500+	￥0.04725
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50000+	￥0.0392

数量	国内价格
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5000+	￥0.05
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
50+	￥0.0544
150+	￥0.0464
1000+	￥0.0384
5000+	￥0.0352

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价50+￥0.0442

属性

销售单价20+￥0.0512

属性

销售单价50+￥0.0525

属性

销售单价50+￥0.0544

属性

销售单价50+￥0.06

属性

销售单价50+￥0.07677

属性

销售单价50+￥0.07798

属性

销售单价50+￥0.08329

属性

销售单价50+￥0.10872

属性

销售单价50+￥0.09819

属性

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属性

条款与个人信息保护政策

销售单价
50+￥0.0442

销售单价
20+￥0.0512

销售单价
50+￥0.0525

销售单价
50+￥0.0544

销售单价
50+￥0.06

销售单价
50+￥0.07677

销售单价
50+￥0.07798

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