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2N7002
MOSFETs N-Channel Vdss=60V Id=115mA Pd=225mW SOT23-3
品牌：JSCJ
现货库存：230901 (立即发货)
销售单价
100+￥0.07352
数量国内价格
100+ ￥0.07352
500+ ￥0.06927
1000+ ￥0.0629
5000+ ￥0.0544
10000+ ￥0.0493
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌JSCJ
- 阈值电压2.5V@250μA
- 额定功率200mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@10V,500mA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-50℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 工作温度-50℃~+150℃
- 原产国家China
- 应用等级Industrial
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
- 应用Consumer, Industrial,
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2N7002
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW
品牌：TWGMC
现货库存：23513 (立即发货)
销售单价
1+￥0.08064
数量国内价格
1+ ￥0.08064
100+ ￥0.0753
300+ ￥0.06996
500+ ￥0.06462
2000+ ￥0.06195
5000+ ￥0.06034
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌TWGMC
- 阈值电压2.1V
- 原始制造商Twgmc Electronics Co., Ltd.
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 漏极电流1µA
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量OriginalnC
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）7.5Ω
- 输入电容50pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度1.40mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
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2N7002
N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA
品牌：LGE
现货库存：3805 (立即发货)
销售单价
5+￥0.099
数量国内价格
5+ ￥0.099
20+ ￥0.09
100+ ￥0.081
500+ ￥0.072
1000+ ￥0.0678
2000+ ￥0.0648
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌LGE
- 击穿电压60V
- 阈值电压2.5V@250μA
- 额定功率200mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@10V,500mA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.05 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 高度1.10mm
- 零件状态Active
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
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2N7002
带ESD防护
品牌：ElecSuper
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.06
数量国内价格
50+ ￥0.06
500+ ￥0.05
3000+ ￥0.046
6000+ ￥0.0416
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-23
- 安装类型SMT
- 反向传输电容Crss4.1pF
- 额定功率200mW
- 漏源电压(Vdss)60V
- 连续漏极电流300mA
- 高度0.98mm
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
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2N7002
MOSFETs Vds=60V,Id=200mA,Pd=225mW, SOT23 N-Channel
品牌：BORN
现货库存：2055 (立即发货)
销售单价
10+￥0.08958
数量国内价格
10+ ￥0.08958
50+ ￥0.08346
200+ ￥0.07836
600+ ￥0.07326
1500+ ￥0.06918
3000+ ￥0.06663
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-23
- 阈值电压1V@250μA
- 额定功率225mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@10V,500mA
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流200mA
- 高度1.00mm
- 类型1个N沟道
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
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2N7002
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW
品牌：YANGJIE
现货库存：64473 (立即发货)
销售单价
20+￥0.07776
数量国内价格
20+ ￥0.07776
200+ ￥0.07296
500+ ￥0.06816
1000+ ￥0.06336
3000+ ￥0.06096
6000+ ￥0.0576
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散350mW
- 阈值电压2.5V@250μA
- 原始制造商Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
- 额定功率350mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3Ω@4.5V,200mA
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流340mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 原产国家China
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)1.6nC@10V
- 零件状态Active
- 高度1.05mm
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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2N7002
N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：0.43A 功率(Pd)：0.83W
品牌：SK
现货库存：143414 (立即发货)
销售单价
20+￥0.06846
数量国内价格
20+ ￥0.06846
200+ ￥0.06436
500+ ￥0.06026
1000+ ￥0.05616
3000+ ￥0.05411
6000+ ￥0.05124
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 击穿电压60V
- 阈值电压1.6V@250µA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流430mA
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流4.3A
- 栅极源极击穿电压±20V
- 反向传输电容Crss3pF
- 工作温度+150℃
- 配置单路
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）1.9Ω
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 高度1.12mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT-23-3
品牌：ON
现货库存：250 (立即发货)
销售单价
5+￥0.67473
数量国内价格
5+ ￥0.67473
20+ ￥0.6152
100+ ￥0.55566
500+ ￥0.49613
1000+ ￥0.46834
2000+ ￥0.4485
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 技术路线MOSFET (Metal Oxide)
- 功率耗散200mW
- 阈值电压2.5V@250µA
- 包装剪切带（CT） ,带卷（TR）
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT23-3
- 工作温度-55℃~+150℃
- 系列-
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）7.5欧姆@500mA，10V
- FET功能-
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度0.94mm
- 零件状态在售
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
MOSFETs 1个N沟道耐压:60V 电流:115mA SOT-23
品牌：JSMSEMI
现货库存：114549 (立即发货)
销售单价
50+￥0.04325
数量国内价格
50+ ￥0.04325
200+ ￥0.04075
600+ ￥0.03825
2000+ ￥0.03575
5000+ ￥0.03325
10000+ ￥0.0315
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌JSMICRO
- 击穿电压60V
- 功率耗散200mW
- 原始制造商JSMICRO SEMICONDUCTOR
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 反向传输电容Crss4pF
- 配置单路
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）2.4Ω
- 输入电容20pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 高度1.00mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002
品牌：DIOS
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
3000+￥0.0322
数量国内价格
3000+ ￥0.0322
6000+ ￥0.03136
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-23
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0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
100+￥0.07352

属性

销售单价
1+￥0.08064

属性

销售单价
5+￥0.099

属性

销售单价
50+￥0.06

属性

销售单价
10+￥0.08958

属性

销售单价
20+￥0.07776

属性

销售单价
20+￥0.06846

属性

销售单价
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数量	国内价格
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品牌收起

供应商收起

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销售单价100+￥0.07352

属性

销售单价1+￥0.08064

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销售单价5+￥0.099

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属性

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属性

销售单价
100+￥0.07352

销售单价
1+￥0.08064

销售单价
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销售单价
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销售单价
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