使用沟渠工艺封装的 N 通道增强型场效应功率晶体管

应用： DC 到 DC 转换器

开关电源

电视及电脑显示器电源 

IRF540 中提供的是 SOT78（TO220AB）常规铅的包裹。

IRF540S中提供的是SOT404（D PAK）表面安装的包裹。

‘Thrench’工艺低的导通内阻快速开关低热敏电阻

产品基本参数：

产品型号：irf540n

生产厂家：SANYO 、IR、VISHAY

描述：

晶体管极性:N沟道

漏极电流, Id 最大值:33A

电压, Vds 最大:100V

开态电阻, Rds(on):0.04ohm

电压 @ Rds测量:10V

电压, Vgs 最高:10V

功耗:94W

封装类型:TO-220AB

针脚数:3

功率, Pd:120W

器件标记:IRF540N

引脚节距:2.54mm

晶体管数:1

晶体管类型:MOSFET

温度 @ 电流测量:25°C

满功率温度:25°C

热阻, 结至外壳 A:1.1°C/W

电压 Vgs @ Rds on 测量:10V

电压, Vds 典型值:100V

电流, Id 连续:27A

电流, Idm 脉冲:110A

表面安装器件:通孔安装

针脚格式:1 g

2 d/tab

3 s

针脚配置:a

阈值电压, Vgs th 典型值:4V