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IRF540NPBF
MOSFETs 100V 130W SMT TO220AB 33A N-Channel
品牌：Infineon
现货库存：41943 (立即发货)
销售单价
1+￥1.71139
数量国内价格
1+ ￥1.71139
10+ ￥1.69428
50+ ￥1.2912
250+ ￥1.09411
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型插件
- 阈值电压4V@250µA
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)44mΩ@10V,16A
- 包装Tube packing
- 连续漏极电流33A
- 长x宽/尺寸10.54 x 4.69mm
- 封装/外壳TO-220AB
- 元件生命周期Active
- 制造商标准提前期14 周
- 漏极电流0.25mA
- 工作温度-55℃~+175℃
- 配置单路
- 输入电容1.96nF@25V
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)100V
- 栅极电荷(Qg)71nC
- 零件状态Active
- 高度15.24mm
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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IRF540NSTRLPBF
表面贴装型 N 通道 100 V 33A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
品牌：Infineon
现货库存：11820 (立即发货)
销售单价
1+￥3.74
数量国内价格
1+ ￥3.74
10+ ￥3.6025
100+ ￥3.2725
500+ ￥3.1075
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 品牌Infineon
- 阈值电压4V@250µA
- 栅源电压 Vgss±20V
- 原始制造商Infineon Technologies AG
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流33A（Tc）
- FET类型N沟道
- 封装/外壳D²PAK
- 工作温度-55°C~175°C（TJ）
- 配置单路
- 供应商器件封装D2PAK
- 不同Vds时的输入电容（Ciss）1960pF@25V
- 漏源电压(Vdss)100V
- 栅极电荷(Qg)71nC@10V
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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IRF540ZPBF
通孔 N 通道 100 V 36A（Tc） 92W（Tc） TO-220AB
品牌：Infineon
现货库存：1160 (立即发货)
销售单价
1+￥3.17251
数量国内价格
1+ ￥3.17251
10+ ￥3.05501
100+ ￥2.70251
500+ ￥2.63201
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型插件
- 是否无铅Yes
- 击穿电压100V
- 功率耗散92W
- 阈值电压4V
- 额定功率92W
- 包装Tube packing
- 连续漏极电流36A
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）10V
- 封装/外壳TO-220AB
- 元件生命周期Active
- 工作温度-55℃~+175℃
- 配置单路
- 原产国家Germany
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)100V
- 栅极电荷(Qg)63nC
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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IRF540NPBF
MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=45A RDS(ON)=35mΩ@4.5V TO220AB
品牌：VBsemi
现货库存：2 (立即发货)
销售单价
1+￥4.3392
数量国内价格
1+ ￥4.3392
10+ ￥4.068
50+ ￥3.6612
150+ ￥3.39
300+ ￥3.20016
500+ ￥3.1188
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型插件
- 是否无铅Yes
- 品牌VBsemi
- 功率耗散3.75W
- 原始制造商VBsemi Electronics Co. Ltd
- 包装Bulk packing
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流45A
- 存储温度-55℃~+175℃
- 封装/外壳TO-220AB
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss90pF
- 工作温度-55℃~+175℃(TJ)
- 配置单路
- 原产国家China Taiwan
- 最小包装1pcs
- 漏源电压(Vdss)100V
- 栅极电荷(Qg)-
- 零件状态Active
- 晶体管类型MOSFET
购买数量
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IRF540PBF
通孔 N 通道 100 V 28A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
品牌：Vishay
现货库存：98 (立即发货)
销售单价
1+￥4.28812
数量国内价格
1+ ￥4.28812
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型插件
- 击穿电压100V
- 技术路线MOSFET (Metal Oxide)
- 阈值电压4V@250µA
- 额定功率150W
- 包装Tube packing
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流28A
- 长x宽/尺寸10.27 x 4.45mm
- 封装/外壳TO-220AB
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装50pcs
- 漏源电压(Vdss)100V
- 栅极电荷(Qg)72nC@10V
- 高度18.74mm
- 晶体管类型N沟道
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供应商收起

封装收起

销售单价
1+￥1.71139

属性

销售单价
1+￥3.74

属性

销售单价
1+￥3.17251

属性

销售单价
1+￥4.3392

属性

销售单价
1+￥4.28812

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1+	￥4.3392
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50+	￥3.6612
150+	￥3.39
300+	￥3.20016
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数量	国内价格
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50+	￥1.2912
250+	￥1.09411

数量	国内价格
1+	￥3.74
10+	￥3.6025
100+	￥3.2725
500+	￥3.1075

数量	国内价格
1+	￥3.17251
10+	￥3.05501
100+	￥2.70251
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供应商收起

封装收起

销售单价1+￥1.71139

属性

销售单价1+￥3.74

属性

销售单价1+￥3.17251

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属性

销售单价
1+￥1.71139

销售单价
1+￥3.74

销售单价
1+￥3.17251

销售单价
1+￥4.3392

销售单价
1+￥4.28812