IRF540价格_IRF540封装_IRF540库存_华秋商城-电子元器件查询平台

关于“IRF540”的搜索结果共0条

综合现有库存

筛选

热销型号

IRF540NPBF
N沟道,100V,33A,44mΩ@10V
品牌：Infineon
现货库存：50222 (立即发货)
销售单价
5+￥2.16853
数量国内价格
5+ ￥2.16853
50+ ￥1.70099
150+ ￥1.47118
500+ ￥1.27262
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 漏源电流(Idss)0.25mA
- 击穿电压100V
- 阈值电压4V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流33A
- 长x宽/尺寸10.54 x 4.69mm
- 封装/外壳TO-220AB
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)1.96nF@25V
- 工作温度-55℃~+175℃
- Vgs(Max)±20V
- 栅极电荷(Qg)71nC
- 高度15.24mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 安装类型插件
- 功率耗散130W
- 反向传输电容Crss40pF
- 系列HEXFET®
- FET功能-
- 漏源电压(Vdss)100V
- 导通电阻(RDS(on)44mΩ@10V,16A
- 类型1个N沟道
购买数量
加入购物车
IRF540NPBF
MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=45A RDS(ON)=35mΩ@4.5V TO220AB
品牌：VBsemi
现货库存：2 (立即发货)
销售单价
1+￥4.3392
数量国内价格
1+ ￥4.3392
10+ ￥4.068
50+ ￥3.6612
150+ ￥3.39
300+ ￥3.20016
500+ ￥3.1188
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型插件
- 功率耗散3.75W
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流45A
- 长x宽/尺寸10.51 x 4.65mm
- 封装/外壳TO-220AB
- 反向传输电容Crss90pF
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)2.4nF
- 工作温度-55℃~+175℃(TJ)
- 漏源电压(Vdss)100V
- 导通电阻(RDS(on)35mΩ
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度19.31mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型MOSFET
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车
IRF540PBF
通孔 N 通道 100 V 28A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
品牌：Vishay
现货库存：98 (立即发货)
销售单价
1+￥6.7032
数量国内价格
1+ ￥6.7032
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型插件
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 击穿电压100V
- 功率耗散150W
- 阈值电压4V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流28A
- 长x宽/尺寸10.27 x 4.45mm
- 封装/外壳TO-220AB
- 反向传输电容Crss120pF
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)1.7nF@25V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 系列-
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)100V
- 导通电阻(RDS(on)77mΩ@10V,17A
- 栅极电荷(Qg)72nC@10V
- 高度18.74mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
加入购物车
IRF540NPBF
N沟道,电流33A.耐压100V，导通电阻：35mΩ
品牌：OSEN
现货库存：50 (立即发货)
销售单价
1+￥1.3365
数量国内价格
1+ ￥1.3365
10+ ￥1.254
30+ ￥1.2375
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型插件
- 封装/外壳TO-220
- 输入电容(Ci)1.35nF
- 工作温度+150℃(TJ)
- 功率耗散130W
- Vgs(Max)±20V
- 极性N-沟道
- 漏源电压(Vdss)100V
- 连续漏极电流33A
- 高度19.10mm
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸10.20 x 4.60mm
购买数量
加入购物车
IRF540ZPBF
通孔 N 通道 100 V 36A（Tc） 92W（Tc） TO-220AB
品牌：Infineon
现货库存：1160 (立即发货)
销售单价
1+￥7.1295
数量国内价格
1+ ￥7.1295
10+ ￥5.8016
50+ ￥4.753
100+ ￥4.0779
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型插件
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 击穿电压100V
- 功率耗散92W
- 阈值电压4V
- 极性N沟道
- 连续漏极电流36A
- 长x宽/尺寸10.67 x 4.83mm
- 封装/外壳TO-220AB
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)1.77nF@25V
- 工作温度-55℃~+175℃
- 系列HEXFET®
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)100V
- 导通电阻(RDS(on)26.5mΩ@10V,22A
- 栅极电荷(Qg)63nC
- 高度13.08mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
加入购物车
IRF540NSTRLPBF
表面贴装型 N 通道 100 V 33A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
品牌：Infineon
现货库存：12590 (立即发货)
销售单价
1+￥4.7045
数量国内价格
1+ ￥4.7045
10+ ￥3.9396
30+ ￥3.3614
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 击穿电压100V
- 功率耗散130W
- 阈值电压4V
- 极性N沟道
- 连续漏极电流33A
- 长x宽/尺寸10.67 x 9.65mm
- 封装/外壳TO-263(D2PAK)
- 反向传输电容Crss40pF
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)1.96nF
- 工作温度-55℃~+175℃
- 漏源电压(Vdss)100V
- 导通电阻(RDS(on)44mΩ@10V,16A
- 栅极电荷(Qg)71nC@10V
- 高度4.83mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
加入购物车

0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
5+￥2.16853

属性

销售单价
1+￥4.3392

属性

销售单价
1+￥6.7032

属性

销售单价
1+￥1.3365

属性

销售单价
1+￥7.1295

属性

销售单价
1+￥4.7045

属性

品牌{{ brandShow ? '收起' : '展开' }}

封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

数量	国内价格
1+	￥4.3392
10+	￥4.068
50+	￥3.6612
150+	￥3.39
300+	￥3.20016
500+	￥3.1188

数量	国内价格
1+	￥1.3365
10+	￥1.254
30+	￥1.2375

数量	国内价格
1+	￥7.1295
10+	￥5.8016
50+	￥4.753
100+	￥4.0779

数量	国内价格
1+	￥4.7045
10+	￥3.9396
30+	￥3.3614

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价5+￥2.16853

属性

销售单价1+￥4.3392

属性

销售单价1+￥6.7032

属性

销售单价1+￥1.3365

属性

销售单价1+￥7.1295

属性

销售单价1+￥4.7045

属性

品牌{{ brandShow ? '收起' : '展开' }}

封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

条款与个人信息保护政策

销售单价
5+￥2.16853

销售单价
1+￥4.3392

销售单价
1+￥6.7032

销售单价
1+￥1.3365

销售单价
1+￥7.1295

销售单价
1+￥4.7045