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热销型号

IRF540NSTRLPBF
表面贴装型 N 通道 100 V 33A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
品牌：Infineon
现货库存：12373 (立即发货)
销售单价
1+￥4.5202
数量国内价格
1+ ￥4.5202
10+ ￥3.9004
30+ ￥3.43
100+ ￥3.0535
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 阈值电压4V
- 栅源电压 Vgss±20V
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流33A
- FET类型N沟道
- 封装/外壳D²PAK
- 输入电容(Ci)1.96nF
- 工作温度-55℃~+175℃
- 配置单路
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）44毫欧@16A，10V
- 供应商器件封装D2PAK
- 漏源电压(Vdss)100V
- 栅极电荷(Qg)71nC@10V
- 高度4.83mm
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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IRF540NPBF
MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=45A RDS(ON)=35mΩ@4.5V TO220AB
品牌：VBsemi
现货库存：2 (立即发货)
销售单价
1+￥4.3392
数量国内价格
1+ ￥4.3392
10+ ￥4.068
50+ ￥3.6612
150+ ￥3.39
300+ ￥3.20016
500+ ￥3.1188
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型插件
- 品牌VBsemi
- 功率耗散3.75W
- 原始制造商VBsemi Electronics Co. Ltd
- 包装Bulk packing
- 极性N-沟道
- 原产地China Taiwan
- 连续漏极电流45A
- 存储温度-55℃~+175℃
- 长x宽/尺寸10.51 x 4.65mm
- 封装/外壳TO-220AB
- 元件生命周期Active
- 工作温度-55℃~+175℃(TJ)
- 配置单路
- 漏源电压(Vdss)100V
- 认证信息RoHS
- 栅极电荷(Qg)-
- 零件状态Active
- 高度19.31mm
- 晶体管类型MOSFET
购买数量
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IRF540NPBF
N沟道,电流33A.耐压100V，导通电阻：35mΩ
品牌：OSEN
现货库存：50 (立即发货)
销售单价
1+￥1.3365
数量国内价格
1+ ￥1.3365
10+ ￥1.254
30+ ￥1.2375
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型插件
- 封装/外壳TO-220
- 输入电容(Ci)1.35nF
- 工作温度+150℃(TJ)
- 功率耗散130W
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)100V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流33A
- 高度19.10mm
- 长x宽/尺寸10.20 x 4.60mm
- 引脚数3Pin
购买数量
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IRF540PBF
通孔 N 通道 100 V 28A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
品牌：Vishay
现货库存：98 (立即发货)
销售单价
1+￥7.0168
数量国内价格
1+ ￥7.0168
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型插件
- 技术路线MOSFET (Metal Oxide)
- 功率耗散150W
- 阈值电压4V
- 包装Tube packing
- 原产地America
- 连续漏极电流28A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳TO-220AB
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量72nC
- 配置单路
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)100V
- 栅极电荷(Qg)72nC@10V
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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IRF540ZPBF
通孔 N 通道 100 V 36A（Tc） 92W（Tc） TO-220AB
品牌：Infineon
现货库存：1160 (立即发货)
销售单价
1+￥7.1295
数量国内价格
1+ ￥7.1295
10+ ￥5.8016
50+ ￥4.753
100+ ￥4.0779
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型插件
- 是否无铅Yes
- 品牌Infineon
- 击穿电压100V
- 功率耗散92W
- 阈值电压4V
- 包装Tube packing
- 连续漏极电流36A
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）10V
- 封装/外壳TO-220AB
- 元件生命周期Active
- 工作温度-55℃~+175℃
- 配置单路
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)100V
- 导通电阻(RDS(on)26.5mΩ@10V,22A
- 栅极电荷(Qg)63nC
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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IRF540NPBF
N沟道,100V,33A,44mΩ@10V
品牌：Infineon
现货库存：48022 (立即发货)
销售单价
5+￥2.21703
数量国内价格
5+ ￥2.21703
50+ ￥1.74999
150+ ￥1.52018
500+ ￥1.32187
2000+ ￥1.26523
5000+ ￥1.2375
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型插件
- 是否无铅Yes
- 漏源电流(Idss)0.25mA
- 功率耗散130W
- 阈值电压4V
- 原始制造商Infineon Technologies AG
- 包装Tube packing
- 连续漏极电流33A
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）10V
- 封装/外壳TO-220AB
- 反向传输电容Crss40pF
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+175℃
- 充电电量71nC
- 配置单路
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)100V
- 栅极电荷(Qg)71nC
- 晶体管类型N沟道
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
1+￥4.5202

属性

销售单价
1+￥4.3392

属性

销售单价
1+￥1.3365

属性

销售单价
1+￥7.0168

属性

销售单价
1+￥7.1295

属性

销售单价
5+￥2.21703

属性

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1+	￥4.3392
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50+	￥3.6612
150+	￥3.39
300+	￥3.20016
500+	￥3.1188

数量	国内价格
5+	￥2.21703
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500+	￥1.32187
2000+	￥1.26523
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数量	国内价格
1+	￥4.5202
10+	￥3.9004
30+	￥3.43
100+	￥3.0535

数量	国内价格
1+	￥7.1295
10+	￥5.8016
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价1+￥4.5202

属性

销售单价1+￥4.3392

属性

销售单价1+￥1.3365

属性

销售单价1+￥7.0168

属性

销售单价1+￥7.1295

属性

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属性

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属性

条款与个人信息保护政策

销售单价
1+￥4.5202

销售单价
1+￥4.3392

销售单价
1+￥1.3365

销售单价
1+￥7.0168

销售单价
1+￥7.1295

销售单价
5+￥2.21703