BSS123
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
制造商：ON
产品信息
该 N 沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度 DMOS 技术生产。 这款产品专为最大限度地降低通态电阻并提供耐用、可靠的快速开关性能而设计。 BSS123 特别适合于小型伺服电动机控制、功率MOSFET栅极驱动器等低电压、低电流应用，以及其他开关应用。
- 0.17 A, 100 V, R
- = 6 Ω @ V
- = 10 V
- 0.17 A, 100 V, R
- = 10 Ω @ V
- = 4.5 V
- 高密度单元设计可实现极低的 R
- 坚固而可靠
- 紧凑的工业标准 SOT-23 表面贴装封装