元器件型号、描述、参数

BSS123

 N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

制造商：ON

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产品信息

该 N 沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度 DMOS 技术生产。 这款产品专为最大限度地降低通态电阻并提供耐用、可靠的快速开关性能而设计。 BSS123 特别适合于小型伺服电动机控制、功率MOSFET栅极驱动器等低电压、低电流应用，以及其他开关应用。
  • 0.17 A, 100 V, R
  • = 6 Ω @ V
  • = 10 V
  • 0.17 A, 100 V, R
  • = 10 Ω @ V
  • = 4.5 V
  • 高密度单元设计可实现极低的 R
  • 坚固而可靠
  • 紧凑的工业标准 SOT-23 表面贴装封装

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