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BSS123
MOSFETs N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=170mA RDS(ON)=6Ω SOT23-3
品牌：JSCJ
现货库存：2866 (立即发货)
销售单价
50+￥0.13698
数量国内价格
50+ ￥0.13698
500+ ￥0.12328
5000+ ￥0.11415
10000+ ￥0.10959
30000+ ￥0.10502
50000+ ￥0.10228
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 功率耗散350mW
- 阈值电压2.8V
- 额定功率360mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5Ω@10V
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流170mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 应用等级Industrial
- 漏源电压(Vdss)100V
- 栅极电荷(Qg)1.4nC
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- 类型1个N沟道
- 应用Consumer, Industrial,
购买数量
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BSS123
SOT23 300mW
品牌：BORN
现货库存：8528 (立即发货)
销售单价
20+￥0.14072
数量国内价格
20+ ￥0.14072
300+ ￥0.10923
1200+ ￥0.09174
3000+ ￥0.07586
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散300mW
- 击穿电压100V
- 阈值电压±20V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流200mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 存储温度-50℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 反向传输电容Crss2pF
- 工作温度+150℃(TJ)
- 充电电量0.74nC
- Vgs(Max)2V
- 漏源电压(Vdss)100V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度1.10mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
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BSS123
SOT23-3 360mW
品牌：ON
现货库存：4655 (立即发货)
销售单价
10+￥0.45362
数量国内价格
10+ ￥0.45362
100+ ￥0.35359
600+ ￥0.266
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散360mW
- 阈值电压2V@1mA
- 原始制造商ON Semiconductor Inc.
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流170mA
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）4.5V，10V
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 充电电量1.8nC
- 配置单路
- 系列-
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)100V
- 栅极电荷(Qg)2.5nC
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
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BSS123
SOT23 350mW
品牌：YANGJIE
现货库存：14311 (立即发货)
销售单价
20+￥0.0768
数量国内价格
20+ ￥0.0768
200+ ￥0.072
500+ ￥0.0672
1000+ ￥0.0624
3000+ ￥0.06
6000+ ￥0.05664
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 消耗电流1μA
- 击穿电压100V
- 阈值电压1.8V
- 包装Tape/reel
- 正向压降VF Min1V
- 连续漏极电流200mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)100V
- 栅极电荷(Qg)1.8nC
- 高度1.15mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
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BSS123
SOT23 250mW
品牌：Slkor
现货库存：8874 (立即发货)
销售单价
20+￥0.18414
数量国内价格
20+ ￥0.18414
200+ ￥0.17226
500+ ￥0.16038
1000+ ￥0.1485
3000+ ￥0.14256
6000+ ￥0.13424
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散250mW
- 阈值电压2.8V@1mA
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5Ω@10V,120mA
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流150mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度+150℃(TJ)
- 充电电量0.25nC
- 配置单路
- 原产国家China
- 输入电容14pF
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)100V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度1.15mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
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BSS123
MOS管 N沟道 VDS=100V ID=0.2A VGS=±20V RDS(ON)=3Ω@10V RDS(ON)=3.5Ω@4.5V 丝印：B123
品牌：MLSM
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.075
数量国内价格
50+ ￥0.075
500+ ￥0.0675
5000+ ￥0.0625
10000+ ￥0.06
30000+ ￥0.0575
50000+ ￥0.056
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-23
- 安装类型SMT
- 工作温度+150℃(TJ)
- 功率耗散350mW
- 漏源电压(Vdss)100V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流200mA
- 高度1.15mm
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
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BSS123
MOSFETs N-沟道 100V 29mA SOT-23
品牌：SK
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.0855
数量国内价格
50+ ￥0.0855
500+ ￥0.07695
5000+ ￥0.07125
10000+ ￥0.0684
30000+ ￥0.06555
50000+ ￥0.06384
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散300mW
- 阈值电压800mV@1mA
- 额定功率300mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6Ω@10V,0.17A
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流29mA
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss6pF@25V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 输入电容60pF@25V
- 漏源电压(Vdss)100V
- 高度1.10mm
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
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BSS123W
品牌：YANGJIE
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.13065
数量国内价格
50+ ￥0.13065
500+ ￥0.11759
5000+ ￥0.10887
10000+ ￥0.10452
30000+ ￥0.10016
50000+ ￥0.09755
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-323(SC-70)
- 反向传输电容Crss7pF@50V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 阈值电压1.8V@250μA
- 输入电容32pF@50V
- 额定功率150mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3Ω@10V,200mA
- 漏源电压(Vdss)100V
- 极性1个N沟道
- 连续漏极电流200mA
- 栅极电荷(Qg)1.61nC@10V
- 类型1个N沟道
购买数量
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BSS123-7-F
MOSFETs 100V 2.90 x 1.30mm SMT SOT23 170mA N-Channel
品牌：DIODES
现货库存：258022 (立即发货)
销售单价
10+￥0.22
数量国内价格
10+ ￥0.22
100+ ￥0.15
3000+ ￥0.12
6000+ ￥0.115
12000+ ￥0.105
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌DIODES
- 技术路线MOSFET (Metal Oxide)
- 阈值电压1.4V
- 原始制造商Diodes Incorporated
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流170mA
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）10V
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流170mA
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)100V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度1.03mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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BSS123TA
N沟道增强型场效应晶体管SOT23 VDS=100V ID=0.17A VGS=±20V
品牌：DIODES
现货库存：100 (立即发货)
销售单价
1+￥0.5505
数量国内价格
1+ ￥0.5505
100+ ￥0.5138
300+ ￥0.4771
500+ ￥0.4404
2000+ ￥0.42205
5000+ ￥0.41104
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 是否无铅Yes
- 功率耗散360mW
- 阈值电压2.8V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流170mA
- 封装/外壳SOT-23
- 制造商标准提前期10 周
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- 系列-
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)100V
- 栅极电荷(Qg)-
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
50+￥0.13698

属性

销售单价
20+￥0.14072

属性

销售单价
10+￥0.45362

属性

销售单价
20+￥0.0768

属性

销售单价
20+￥0.18414

属性

销售单价
50+￥0.075

属性

销售单价
50+￥0.0855

属性

销售单价
50+￥0.13065

属性

销售单价
10+￥0.22

属性

销售单价
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属性

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数量	国内价格
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数量	国内价格
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价50+￥0.13698

属性

销售单价20+￥0.14072

属性

销售单价10+￥0.45362

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属性

销售单价1+￥0.5505

属性

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属性

销售单价
50+￥0.13698

销售单价
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销售单价
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销售单价
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