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BSS123
MOSFETs N-沟道 100V 200mA SOT-23
品牌：Hongjiacheng
现货库存：780 (立即发货)
销售单价
20+￥0.08745
数量国内价格
20+ ￥0.08745
100+ ￥0.0795
500+ ￥0.0742
1000+ ￥0.0689
5000+ ￥0.06254
10000+ ￥0.05989
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散680mW
- 阈值电压1.4V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流200mA
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 输入电容(Ci)22pF
- 反向传输电容Crss2pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 漏源电压(Vdss)100V
- 栅极电荷(Qg)1.4nC@10V
- 高度1.15mm
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
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BSS123
SOT23 250mW
品牌：Slkor
现货库存：8894 (立即发货)
销售单价
20+￥0.05218
数量国内价格
20+ ￥0.05218
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌Slkor
- 阈值电压2.8V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流150mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 输入电容(Ci)14pF
- 工作温度+150℃(TJ)
- 配置单路
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)100V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度1.15mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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BSS123
MOS管 N沟道 VDS=100V ID=0.2A VGS=±20V RDS(ON)=3Ω@10V RDS(ON)=3.5Ω@4.5V 丝印：B123
品牌：MLSM
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.075
数量国内价格
50+ ￥0.075
500+ ￥0.0675
5000+ ￥0.0625
10000+ ￥0.06
30000+ ￥0.0575
50000+ ￥0.056
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 封装/外壳SOT-23
- 安装类型SMT
- 工作温度+150℃(TJ)
- 功率耗散350mW
- 漏源电压(Vdss)100V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流200mA
- 高度1.15mm
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
购买数量
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BSS123
MOSFETs N-沟道 100V 29mA SOT-23
品牌：SK
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.0855
数量国内价格
50+ ￥0.0855
500+ ￥0.07695
5000+ ￥0.07125
10000+ ￥0.0684
30000+ ￥0.06555
50000+ ￥0.06384
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散300mW
- 阈值电压800mV
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流29mA
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 输入电容(Ci)60pF@25V
- 反向传输电容Crss6pF@25V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 漏源电压(Vdss)100V
- 导通电阻(RDS(on)6Ω@10V,0.17A
- 高度1.10mm
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
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BSS123
SOT23 350mW
品牌：YANGJIE
现货库存：14861 (立即发货)
销售单价
50+￥0.13573
数量国内价格
50+ ￥0.13573
600+ ￥0.09286
1200+ ￥0.09193
3000+ ￥0.09009
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌YANGJIE
- 击穿电压100V
- 阈值电压1.8V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流200mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)100V
- 导通电阻(RDS(on)5Ω@200mA,10V
- 栅极电荷(Qg)1.8nC
- 高度1.15mm
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
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BSS123
MOSFETs N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=170mA RDS(ON)=6Ω SOT23-3
品牌：JSCJ
现货库存：4106 (立即发货)
销售单价
20+￥0.14083
数量国内价格
20+ ￥0.14083
200+ ￥0.11349
600+ ￥0.09849
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌JSCJ
- 阈值电压2.8V
- 包装Tape/reel
- 原产地China
- 连续漏极电流170mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 输入电容(Ci)29pF
- 反向传输电容Crss2pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)100V
- 导通电阻(RDS(on)3.5Ω@10V
- 栅极电荷(Qg)1.4nC
- 高度1.15mm
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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BSS123
MOSFETs N-沟道 100V 200mA SOT-23
品牌：BORN
现货库存：8548 (立即发货)
销售单价
20+￥0.15792
数量国内价格
20+ ￥0.15792
200+ ￥0.12717
600+ ￥0.11025
3000+ ￥0.09359
9000+ ￥0.08418
21000+ ￥0.07899
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散300mW
- 击穿电压100V
- 阈值电压20V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流200mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 存储温度-50℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 反向传输电容Crss2pF
- 工作温度+150℃(TJ)
- 充电电量0.74nC
- Vgs(Max)2V
- 漏源电压(Vdss)100V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度1.10mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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BSS123
SOT23-3 360mW
品牌：ON
现货库存：4775 (立即发货)
销售单价
10+￥0.4633
数量国内价格
10+ ￥0.4633
100+ ￥0.37714
300+ ￥0.33506
3000+ ￥0.30066
6000+ ￥0.27303
9000+ ￥0.25931
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌ON
- 技术路线MOSFET (Metal Oxide)
- 阈值电压2V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 原产地America
- 连续漏极电流170mA
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)100V
- 导通电阻(RDS(on)5Ω@200mA,10V
- 栅极电荷(Qg)2.5nC
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
购买数量
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BSS123W
MOSFETs N-沟道 100V 200mA SOT-323
品牌：YANGJIE
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.1125
数量国内价格
50+ ￥0.1125
500+ ￥0.10125
5000+ ￥0.09375
10000+ ￥0.09
30000+ ￥0.08625
50000+ ￥0.084
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散150mW
- 阈值电压1.8V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流200mA
- 长x宽/尺寸2.20 x 1.35mm
- 封装/外壳SOT-323
- 反向传输电容Crss7pF@50V
- 输入电容(Ci)32pF@50V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 漏源电压(Vdss)100V
- 导通电阻(RDS(on)3Ω@10V,200mA
- 栅极电荷(Qg)1.61nC@10V
- 高度1.10mm
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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BSS123TA
N沟道增强型场效应晶体管SOT23 VDS=100V ID=0.17A VGS=±20V
品牌：DIODES
现货库存：910 (立即发货)
销售单价
5+￥0.70932
数量国内价格
5+ ￥0.70932
50+ ￥0.56742
600+ ￥0.56175
1200+ ￥0.55052
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 是否无铅Yes
- 技术路线MOSFET (Metal Oxide)
- 功率耗散360mW
- 阈值电压2.8V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流170mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 制造商标准提前期10 周
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)100V
- 栅极电荷(Qg)-
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
20+￥0.08745

属性

销售单价
20+￥0.05218

属性

销售单价
50+￥0.075

属性

销售单价
50+￥0.0855

属性

销售单价
50+￥0.13573

属性

销售单价
20+￥0.14083

属性

销售单价
20+￥0.15792

属性

销售单价
10+￥0.4633

属性

销售单价
50+￥0.1125

属性

销售单价
5+￥0.70932

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属性

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1000+	￥0.0689
5000+	￥0.06254
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数量	国内价格
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500+	￥0.0675
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30000+	￥0.0575
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数量	国内价格
50+	￥0.0855
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5000+	￥0.07125
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数量	国内价格
20+	￥0.15792
200+	￥0.12717
600+	￥0.11025
3000+	￥0.09359
9000+	￥0.08418
21000+	￥0.07899

数量	国内价格
10+	￥0.4633
100+	￥0.37714
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3000+	￥0.30066
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数量	国内价格
50+	￥0.1125
500+	￥0.10125
5000+	￥0.09375
10000+	￥0.09
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数量	国内价格
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数量	国内价格
5+	￥0.70932
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价20+￥0.08745

属性

销售单价20+￥0.05218

属性

销售单价50+￥0.075

属性

销售单价50+￥0.0855

属性

销售单价50+￥0.13573

属性

销售单价20+￥0.14083

属性

销售单价20+￥0.15792

属性

销售单价10+￥0.4633

属性

销售单价50+￥0.1125

属性

销售单价5+￥0.70932

属性

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属性

条款与个人信息保护政策

销售单价
20+￥0.08745

销售单价
20+￥0.05218

销售单价
50+￥0.075

销售单价
50+￥0.0855

销售单价
50+￥0.13573

销售单价
20+￥0.14083

销售单价
20+￥0.15792

销售单价
10+￥0.4633

销售单价
50+￥0.1125

销售单价
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