描述

    AO3415采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON )，与栅极电压低至1.8V的低栅极电荷和操作。本装置适用于负荷开关或PWM应用。它是ESD保护。AO3415无铅（符合RoHS及索尼259的规格）。而AO3415l是一种绿色产品订购选项。并且AO3415和AO3415l电性

相同。

特点     

类别： 分立式导体产品

家庭： FET - 单

系列： -

包装： 剪切带 (CT)

FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能： 逻辑电平栅极，1.8V 驱动

漏源极电压 (Vdss)： 20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： 4A （Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）： 43 毫欧 @ 4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： 1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： 17.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 1450pF @ 10V

功率 - 最大值： 1.4W

安装类型： 表面贴装

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3