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AO3415
P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
品牌：MDD
现货库存：62437 (立即发货)
销售单价
20+￥0.18177
数量国内价格
20+ ￥0.18177
200+ ￥0.16957
500+ ￥0.15737
1000+ ￥0.14517
3000+ ￥0.13907
6000+ ￥0.13053
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 功率耗散1.5W
- 阈值电压0.7V
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流4.8A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.40mm
- 存储温度-50℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 漏极电流1uA
- 工作温度-50℃~+150℃
- 充电电量14.2nC
- 原产国家China
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)20V
- 栅极电荷(Qg)14.2nC
- 高度1.15mm
- 晶体管类型P沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3415
MOSFETs P-沟道 20V 4.3A 80mΩ@1.8V SOT23L
品牌：HUASHUO
现货库存：777 (立即发货)
销售单价
10+￥0.49
数量国内价格
10+ ￥0.49
100+ ￥0.39
500+ ￥0.34
1000+ ￥0.27
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散840mW
- 阈值电压1.5V@250μA
- 额定功率1.25W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)45mΩ@4.5V,3.5A
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4.3A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.60mm
- 封装/外壳SOT23L
- 工作温度-55℃~+150℃
- 输入电容900pF@15V
- 漏源电压(Vdss)20V
- 高度1.10mm
- 类型1个P沟道
- 引脚数3Pin
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AO3415
P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
品牌：MDD
现货库存：6315 (立即发货)
销售单价
1+￥0.15128
数量国内价格
1+ ￥0.15128
10+ ￥0.13908
30+ ￥0.13664
100+ ￥0.12932
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 阈值电压0.7V
- 原始制造商Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd.
- 额定功率1.5W
- 包装Tape/reel
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4.8A
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 漏极电流1uA
- 栅极源极击穿电压±8V
- 工作温度-50℃~+150℃
- 充电电量14.2nC
- 输入电容675pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)20V
- 认证信息RoHS
- 栅极电荷(Qg)14.2nC
- 晶体管类型P沟道
购买数量
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AO3415
MOSFETs 20V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 3.5A
品牌：AOS
现货库存：85135 (立即发货)
销售单价
1+￥0.52679
数量国内价格
1+ ￥0.52679
100+ ￥0.48966
300+ ￥0.45253
500+ ￥0.41539
2000+ ￥0.39683
5000+ ￥0.38569
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压20V
- 阈值电压1V@250µA
- 包装Tape/reel
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流3.5A
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）1.5V，4.5V
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.60mm
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流4A
- 栅极源极击穿电压±8V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 输入电容1.45nF@10V
- FET功能-
- 漏源电压(Vdss)20V
- 栅极电荷(Qg)17.2nC@4.5V
- 高度1.25mm
- 晶体管类型P沟道
- 引脚数3Pin
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AO3415
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
品牌：VBsemi
现货库存：265 (立即发货)
销售单价
1+￥0.44385
数量国内价格
1+ ￥0.44385
10+ ￥0.4035
30+ ￥0.3766
100+ ￥0.33625
500+ ￥0.31742
1000+ ￥0.30397
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌VBsemi
- 功率耗散1.25W
- 阈值电压1.5V@250µA
- 原始制造商VBsemi Electronics Co. Ltd
- 无卤Yes
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流4.5A
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss155pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 充电电量10nC
- 配置单路
- 原产国家China Taiwan
- 漏源电压(Vdss)20V
- 认证信息RoHS,HF(halogen free)
- 栅极电荷(Qg)10nC
- 零件状态Active
- 晶体管类型P沟道
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AO3415
MOSFETs P-沟道 20V 5A SOT-23
品牌：KEXIN
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
0+￥0
数量国内价格
0+ ￥0
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散1W
- 击穿电压20V
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)43mΩ@4.5V
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流5A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.60mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃
- 输入电容905pF@10V
- 漏源电压(Vdss)20V
- 高度1.11mm
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3415A
SOT-23塑料封装MOSFETS ID=4A PD=0.35W VDS=20V
品牌：UMW
现货库存：20 (立即发货)
销售单价
20+￥0.243
数量国内价格
20+ ￥0.243
200+ ￥0.189
600+ ￥0.161
3000+ ￥0.132
9000+ ￥0.117
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌UMW
- 功率耗散350mW
- 原始制造商Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd.
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)43mΩ
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流4A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss160pF
- 栅极源极击穿电压±8V
- 工作温度+150℃
- 充电电量17.2nC
- 原产国家China
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)20V
- 零件状态In production
- 高度1.15mm
购买数量
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AO3415A
MOSFETs 20V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 5A
品牌：AOS
现货库存：45533 (立即发货)
销售单价
1+￥0.5
数量国内价格
1+ ￥0.5
50+ ￥0.41
150+ ￥0.38
500+ ￥0.33
3000+ ￥0.29
6000+ ￥0.285
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 技术路线MOSFET (Metal Oxide)
- 阈值电压850mV@250µA
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5A
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 漏极电流5A
- 栅极源极击穿电压±8V
- 反向传输电容Crss80pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量9.3nC
- 配置单路
- FET功能-
- 漏源电压(Vdss)20V
- 认证信息RoHS
- 栅极电荷(Qg)11nC@4.5V
- 零件状态Active
- 晶体管类型P沟道
购买数量
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AO3415A
P通道Mosfet SOT23 ID=4A PD=1.4W VDS=20V
品牌：TECH PUBLIC
现货库存：34057 (立即发货)
销售单价
5+￥0.22376
数量国内价格
5+ ￥0.22376
20+ ￥0.20531
100+ ￥0.18687
500+ ￥0.16843
1000+ ￥0.15983
2000+ ￥0.15368
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌TECH PUBLIC
- 功率耗散1.4W
- 阈值电压-0.65V
- 原始制造商Tech Public Electronics Co.,Ltd.
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)37mΩ
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流4A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃
- 原产国家China Taiwan
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)20V
- 栅极电荷(Qg)10.2nC
- 零件状态Active
- 高度1.15mm
- 晶体管类型P沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车
AO3415A
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
品牌：VBsemi
现货库存：1336 (立即发货)
销售单价
1+￥0.24766
数量国内价格
1+ ￥0.24766
10+ ￥0.22736
30+ ￥0.2233
100+ ￥0.21112
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌VBsemi
- 功率耗散1.25W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)43mΩ
- 包装Tape/reel
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4.5A
- 长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss155pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 充电电量10nC
- 配置单路
- 输入电容835pF
- 漏源电压(Vdss)20V
- 高度1.12mm
- 晶体管类型MOSFET
- 引脚数3Pin
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
20+￥0.18177

属性

销售单价
10+￥0.49

属性

销售单价
1+￥0.15128

属性

销售单价
1+￥0.52679

属性

销售单价
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销售单价
0+￥0

属性

销售单价
20+￥0.243

属性

销售单价
1+￥0.5

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销售单价
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属性

销售单价
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属性

数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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20+	￥0.20531
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500+	￥0.16843
1000+	￥0.15983
2000+	￥0.15368

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价20+￥0.18177

属性

销售单价10+￥0.49

属性

销售单价1+￥0.15128

属性

销售单价1+￥0.52679

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销售单价1+￥0.24766

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封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

销售单价
20+￥0.18177

销售单价
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销售单价
1+￥0.15128

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