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AO3415
P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
品牌：MDD
现货库存：89117 (立即发货)
销售单价
4+￥0.27601
数量国内价格
4+ ￥0.27601
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌MDD
- 漏源电流(Idss)1uA
- 功率耗散1.5W
- 阈值电压0.7V
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流4.8A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss85pF
- 工作温度-50℃~+150℃
- 原产国家China
- Vgs(Max)±8V
- 漏源电压(Vdss)20V
- 导通电阻(RDS(on)52mΩ
- 栅极电荷(Qg)14.2nC
- 零件状态Active
- 高度1.15mm
- 晶体管类型P沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3415
MOSFETs P-沟道 20V 4A SOT-23
品牌：Hottech
现货库存：33996 (立即发货)
销售单价
10+￥0.31751
数量国内价格
10+ ￥0.31751
100+ ￥0.25751
600+ ￥0.2276
1200+ ￥0.22419
3000+ ￥0.18632
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 漏源电流(Idss)-4A
- 击穿电压20V
- 阈值电压900mV@250µA
- 包装Tape/reel
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4A
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±8V
- 输入电容(Ci)751pF
- 反向传输电容Crss80pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- Vgs(Max)±8V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)20V
- 晶体管类型P沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3415
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
品牌：VBsemi
现货库存：265 (立即发货)
销售单价
1+￥0.47075
数量国内价格
1+ ￥0.47075
10+ ￥0.44385
30+ ￥0.39005
100+ ￥0.3497
500+ ￥0.3228
1000+ ￥0.30397
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 功率耗散1.25W
- 阈值电压1.5V
- 原始制造商VBsemi Electronics Co. Ltd
- 无卤Yes
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流4.5A
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss155pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- 原产国家China Taiwan
- Vgs(Max)±12V
- 漏源电压(Vdss)20V
- 认证信息RoHS,HF(halogen free)
- 栅极电荷(Qg)10nC
- 零件状态Active
- 晶体管类型P沟道
购买数量
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AO3415
MOSFETs P-沟道 20V 4.3A 80mΩ@1.8V SOT23L
品牌：HUASHUO
现货库存：777 (立即发货)
销售单价
10+￥0.57846
数量国内价格
10+ ￥0.57846
100+ ￥0.47579
600+ ￥0.42451
1200+ ￥0.41814
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散840mW
- 阈值电压1.5V
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4.3A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.60mm
- 封装/外壳SOT23L
- 输入电容(Ci)900pF@15V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 漏源电压(Vdss)20V
- 导通电阻(RDS(on)45mΩ@4.5V
- 高度1.10mm
- 类型1个P沟道
- 引脚数3Pin
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AO3415
MOSFETs P-沟道 20V 5A SOT-23
品牌：KEXIN
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
0+￥0
数量国内价格
0+ ￥0
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散1W
- 击穿电压20V
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流5A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.60mm
- 封装/外壳SOT-23
- 输入电容(Ci)905pF@10V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 漏源电压(Vdss)20V
- 导通电阻(RDS(on)43mΩ@4.5V
- 高度1.11mm
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3415A
MOSFETs P-沟道 20V 5A SOT-23
品牌：AOS
现货库存：53614 (立即发货)
销售单价
5+￥0.67836
数量国内价格
5+ ￥0.67836
50+ ￥0.55654
600+ ￥0.44227
1200+ ￥0.43564
3000+ ￥0.38318
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 漏源电流(Idss)5A
- 功率耗散1.5W
- 阈值电压850mV
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量9.3nC
- 配置单路
- 系列-
- FET功能-
- Vgs(Max)±8V
- 漏源电压(Vdss)20V
- 栅极电荷(Qg)11nC@4.5V
- 零件状态Active
- 晶体管类型P沟道
- 类型1个P沟道
购买数量
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AO3415A
MOSFETs P-沟道 20V 4A SOT-23
品牌：UMW
现货库存：1060 (立即发货)
销售单价
20+￥0.27106
数量国内价格
20+ ￥0.27106
300+ ￥0.18483
1200+ ￥0.18206
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌UMW
- 功率耗散350mW
- 原始制造商Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd.
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流4A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 输入电容(Ci)1.45nF
- 反向传输电容Crss160pF
- 工作温度+150℃
- 充电电量17.2nC
- 原产国家China
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)20V
- 导通电阻(RDS(on)43mΩ
- 零件状态In production
- 高度1.15mm
购买数量
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AO3415A
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
品牌：VBsemi
现货库存：1336 (立即发货)
销售单价
1+￥0.24766
数量国内价格
1+ ￥0.24766
10+ ￥0.22736
30+ ￥0.2233
100+ ￥0.21112
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压20V
- 原始制造商VBsemi Electronics Co. Ltd
- 无卤Yes
- 包装Tape/reel
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4.5A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 充电电量10nC
- 配置单路
- 原产国家China Taiwan
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)20V
- 认证信息RoHS,HF(halogen free)
- 零件状态Active
- 晶体管类型MOSFET
购买数量
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AO3415A
MOSFETs P-沟道 20V 4A SOT23-3
品牌：BY
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
10+￥0.1705
数量国内价格
10+ ￥0.1705
100+ ￥0.1595
500+ ￥0.1485
2000+ ￥0.132
5000+ ￥0.1265
10000+ ￥0.1232
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT23-3
- 工作温度+150℃(TJ)
- 功率耗散1.5W
- 漏源电压(Vdss)20V
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4A
- 导通电阻(RDS(on)43mΩ@4.5V,4A
- 高度1.25mm
- 长x宽/尺寸3.02 x 1.70mm
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3415A
P通道Mosfet SOT23 ID=4A PD=1.4W VDS=20V
品牌：TECH PUBLIC
现货库存：37207 (立即发货)
销售单价
10+￥0.34719
数量国内价格
10+ ￥0.34719
100+ ￥0.27928
600+ ￥0.24532
1200+ ￥0.24164
3000+ ￥0.21463
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 击穿电压20V
- 阈值电压-0.65V
- 包装Tape/reel
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4A
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 输入电容(Ci)1.1811nF
- 栅极源极击穿电压±10V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量10.2nC
- Vgs(Max)±10V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)20V
- 认证信息RoHS
- 栅极电荷(Qg)10.2nC
- 零件状态Active
- 晶体管类型P沟道
购买数量
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0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
4+￥0.27601

属性

销售单价
10+￥0.31751

属性

销售单价
1+￥0.47075

属性

销售单价
10+￥0.57846

属性

销售单价
0+￥0

属性

销售单价
5+￥0.67836

属性

销售单价
20+￥0.27106

属性

销售单价
1+￥0.24766

属性

销售单价
10+￥0.1705

属性

销售单价
10+￥0.34719

属性

品牌{{ brandShow ? '收起' : '展开' }}

封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

数量	国内价格
10+	￥0.31751
100+	￥0.25751
600+	￥0.2276
1200+	￥0.22419
3000+	￥0.18632

数量	国内价格
1+	￥0.47075
10+	￥0.44385
30+	￥0.39005
100+	￥0.3497
500+	￥0.3228
1000+	￥0.30397

数量	国内价格
5+	￥0.67836
50+	￥0.55654
600+	￥0.44227
1200+	￥0.43564
3000+	￥0.38318

数量	国内价格
10+	￥0.1705
100+	￥0.1595
500+	￥0.1485
2000+	￥0.132
5000+	￥0.1265
10000+	￥0.1232

数量	国内价格
10+	￥0.34719
100+	￥0.27928
600+	￥0.24532
1200+	￥0.24164
3000+	￥0.21463

数量	国内价格
20+	￥0.27106
300+	￥0.18483
1200+	￥0.18206

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价4+￥0.27601

属性

销售单价10+￥0.31751

属性

销售单价1+￥0.47075

属性

销售单价10+￥0.57846

属性

销售单价0+￥0

属性

销售单价5+￥0.67836

属性

销售单价20+￥0.27106

属性

销售单价1+￥0.24766

属性

销售单价10+￥0.1705

属性

销售单价10+￥0.34719

属性

品牌{{ brandShow ? '收起' : '展开' }}

封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

条款与个人信息保护政策

销售单价
4+￥0.27601

销售单价
10+￥0.31751

销售单价
1+￥0.47075

销售单价
10+￥0.57846

销售单价
0+￥0

销售单价
5+￥0.67836

销售单价
20+￥0.27106

销售单价
1+￥0.24766

销售单价
10+￥0.1705

销售单价
10+￥0.34719