AO3415价格_AO3415封装_AO3415库存_华秋商城-电子元器件查询平台

关于“AO3415”的搜索结果共0条

综合现有库存

筛选

热销型号

AO3415
P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
品牌：MDD
现货库存：89117 (立即发货)
销售单价
4+￥0.24641
数量国内价格
4+ ￥0.24641
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 漏源电流(Idss)1uA
- 击穿电压20
- 阈值电压0.7V
- 原始制造商Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd.
- 包装Tape/reel
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4.8A
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±8V
- 工作温度-50℃~+150℃
- 充电电量14.2nC
- 输入电容675pF
- Vgs(Max)±8V
- 漏源电压(Vdss)20V
- 认证信息RoHS
- 导通电阻(RDS(on)52mΩ
- 栅极电荷(Qg)14.2nC
- 晶体管类型P沟道
购买数量
加入购物车
AO3415
MOSFETs P-沟道 20V 4A SOT-23
品牌：Hottech
现货库存：33963 (立即发货)
销售单价
20+￥0.18954
数量国内价格
20+ ￥0.18954
200+ ￥0.17784
500+ ￥0.16614
1000+ ￥0.15444
3000+ ￥0.14859
6000+ ￥0.1404
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 漏源电流(Idss)-4A
- 击穿电压20V
- 阈值电压900mV@250µA
- 包装Tape/reel
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4A
- 长x宽/尺寸-
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±8V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 输入电容751pF
- Vgs(Max)±8V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)20V
- 导通电阻(RDS(on)41mΩ@4.5V,4A
- 高度-
- 晶体管类型P沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车
AO3415
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
品牌：VBsemi
现货库存：265 (立即发货)
销售单价
1+￥0.47075
数量国内价格
1+ ￥0.47075
10+ ￥0.44385
30+ ￥0.39005
100+ ￥0.3497
500+ ￥0.3228
1000+ ￥0.30397
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压20V
- 阈值电压1.5V@250µA
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流4.5A
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- 输入电容835pF
- Vgs(Max)±12V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)20V
- 导通电阻(RDS(on)43mΩ
- 栅极电荷(Qg)10nC
- 高度1.12mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型P沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车
AO3415
MOSFETs P-沟道 20V 4.3A 80mΩ@1.8V SOT23L
品牌：HUASHUO
现货库存：777 (立即发货)
销售单价
10+￥0.48493
数量国内价格
10+ ￥0.48493
100+ ￥0.38953
600+ ￥0.34187
1200+ ￥0.33674
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散840mW
- 阈值电压1.5V@250μA
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4.3A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.60mm
- 封装/外壳SOT23L
- 工作温度-55℃~+150℃
- 输入电容900pF@15V
- 漏源电压(Vdss)20V
- 导通电阻(RDS(on)45mΩ@4.5V,3.5A
- 高度1.10mm
- 类型1个P沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车
AO3415
MOSFETs P-沟道 20V 5A SOT-23
品牌：KEXIN
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
0+￥0
数量国内价格
0+ ￥0
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散1W
- 击穿电压20V
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流5A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.60mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃
- 输入电容905pF@10V
- 漏源电压(Vdss)20V
- 导通电阻(RDS(on)43mΩ@4.5V
- 高度1.11mm
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车
AO3415A
MOSFETs P-沟道 20V 5A SOT-23
品牌：AOS
现货库存：53439 (立即发货)
销售单价
5+￥0.66895
数量国内价格
5+ ￥0.66895
50+ ￥0.53557
600+ ￥0.41895
1200+ ￥0.41267
3000+ ￥0.33947
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 漏源电流(Idss)5A
- 功率耗散1.5W
- 阈值电压850mV@250µA
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 系列-
- FET功能-
- Vgs(Max)±8V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)20V
- 栅极电荷(Qg)11nC@4.5V
- 零件状态Active
- 晶体管类型P沟道
- 类型1个P沟道
购买数量
加入购物车
AO3415A
MOSFETs P-沟道 20V 4A SOT-23
品牌：UMW
现货库存：1040 (立即发货)
销售单价
20+￥0.23414
数量国内价格
20+ ￥0.23414
300+ ￥0.181
1200+ ￥0.15152
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌UMW
- 功率耗散350mW
- 原始制造商Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd.
- 包装Tape/reel
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss160pF
- 工作温度+150℃
- 充电电量17.2nC
- 原产国家China
- 输入电容1.45nF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)20V
- 导通电阻(RDS(on)43mΩ
- 零件状态In production
购买数量
加入购物车
AO3415A
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
品牌：VBsemi
现货库存：1336 (立即发货)
销售单价
1+￥0.24766
数量国内价格
1+ ￥0.24766
10+ ￥0.22736
30+ ￥0.2233
100+ ￥0.21112
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压20V
- 原始制造商VBsemi Electronics Co. Ltd
- 无卤Yes
- 包装Tape/reel
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4.5A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- 原产国家China Taiwan
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)20V
- 认证信息RoHS,HF(halogen free)
- 导通电阻(RDS(on)43mΩ
- 零件状态Active
- 晶体管类型MOSFET
购买数量
加入购物车
AO3415A
MOSFETs P-沟道 20V 4A SOT23-3
品牌：BY
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
10+￥0.1705
数量国内价格
10+ ￥0.1705
100+ ￥0.1595
500+ ￥0.1485
2000+ ￥0.132
5000+ ￥0.1265
10000+ ￥0.1232
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT23-3
- 工作温度+150℃(TJ)
- 功率耗散1.5W
- 漏源电压(Vdss)20V
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4A
- 导通电阻(RDS(on)43mΩ@4.5V,4A
- 高度1.25mm
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸3.02 x 1.70mm
购买数量
加入购物车
AO3415A
P通道Mosfet SOT23 ID=4A PD=1.4W VDS=20V
品牌：TECH PUBLIC
现货库存：34207 (立即发货)
销售单价
10+￥0.30627
数量国内价格
10+ ￥0.30627
100+ ￥0.24306
600+ ￥0.21151
1200+ ￥0.20834
3000+ ￥0.18308
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散1.4W
- 击穿电压20V
- 阈值电压-0.65V
- 包装Tape/reel
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss114.8pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量10.2nC
- 原产国家China Taiwan
- 输入电容1.1811nF
- Vgs(Max)±10V
- 漏源电压(Vdss)20V
- 栅极电荷(Qg)10.2nC
- 晶体管类型P沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车

0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
4+￥0.24641

属性

销售单价
20+￥0.18954

属性

销售单价
1+￥0.47075

属性

销售单价
10+￥0.48493

属性

销售单价
0+￥0

属性

销售单价
5+￥0.66895

属性

销售单价
20+￥0.23414

属性

销售单价
1+￥0.24766

属性

销售单价
10+￥0.1705

属性

销售单价
10+￥0.30627

属性

品牌{{ brandShow ? '收起' : '展开' }}

封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

数量	国内价格
20+	￥0.18954
200+	￥0.17784
500+	￥0.16614
1000+	￥0.15444
3000+	￥0.14859
6000+	￥0.1404

数量	国内价格
1+	￥0.47075
10+	￥0.44385
30+	￥0.39005
100+	￥0.3497
500+	￥0.3228
1000+	￥0.30397

数量	国内价格
5+	￥0.66895
50+	￥0.53557
600+	￥0.41895
1200+	￥0.41267
3000+	￥0.33947

数量	国内价格
10+	￥0.1705
100+	￥0.1595
500+	￥0.1485
2000+	￥0.132
5000+	￥0.1265
10000+	￥0.1232

数量	国内价格
10+	￥0.30627
100+	￥0.24306
600+	￥0.21151
1200+	￥0.20834
3000+	￥0.18308

数量	国内价格
20+	￥0.23414
300+	￥0.181
1200+	￥0.15152

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价4+￥0.24641

属性

销售单价20+￥0.18954

属性

销售单价1+￥0.47075

属性

销售单价10+￥0.48493

属性

销售单价0+￥0

属性

销售单价5+￥0.66895

属性

销售单价20+￥0.23414

属性

销售单价1+￥0.24766

属性

销售单价10+￥0.1705

属性

销售单价10+￥0.30627

属性

品牌{{ brandShow ? '收起' : '展开' }}

封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

条款与个人信息保护政策

销售单价
4+￥0.24641

销售单价
20+￥0.18954

销售单价
1+￥0.47075

销售单价
10+￥0.48493

销售单价
0+￥0

销售单价
5+￥0.66895

销售单价
20+￥0.23414

销售单价
1+￥0.24766

销售单价
10+￥0.1705

销售单价
10+￥0.30627