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AO3415
P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
品牌：MDD
现货库存：50606 (立即发货)
销售单价
20+￥0.19099
数量国内价格
20+ ￥0.19099
200+ ￥0.17817
500+ ￥0.16535
1000+ ￥0.15253
3000+ ￥0.14612
6000+ ￥0.13715
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 功率耗散1.5W
- 阈值电压0.7V
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流4.8A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.40mm
- 存储温度-50℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 漏极电流1uA
- 工作温度-50℃~+150℃
- 充电电量14.2nC
- 原产国家China
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)20V
- 栅极电荷(Qg)14.2nC
- 高度1.15mm
- 晶体管类型P沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3415
MOSFETs 20V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 3.5A
品牌：AOS
现货库存：78423 (立即发货)
销售单价
1+￥0.52679
数量国内价格
1+ ￥0.52679
100+ ￥0.48966
300+ ￥0.45253
500+ ￥0.41539
2000+ ￥0.39683
5000+ ￥0.38569
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 功率耗散1.5W
- 阈值电压1V@250µA
- 原始制造商Alpha and Omega Semiconductor
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流3.5A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流4A
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）-
- FET功能-
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)20V
- 认证信息RoHS
- 栅极电荷(Qg)17.2nC@4.5V
- 晶体管类型P沟道
- 类型1个P沟道
购买数量
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AO3415
MOSFETs P-沟道 20V 4.3A 80mΩ@1.8V SOT23L
品牌：HUASHUO
现货库存：777 (立即发货)
销售单价
5+￥0.34
数量国内价格
5+ ￥0.34
20+ ￥0.31
100+ ￥0.28
500+ ￥0.25
1000+ ￥0.236
2000+ ￥0.226
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散840mW
- 阈值电压1.5V@250μA
- 额定功率1.25W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)45mΩ@4.5V,3.5A
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4.3A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.60mm
- 封装/外壳SOT23L
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）80mΩ
- 漏源电压(Vdss)20V
- 高度1.10mm
- 类型1个P沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3415
P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
品牌：MDD
现货库存：6048 (立即发货)
销售单价
1+￥0.15128
数量国内价格
1+ ￥0.15128
10+ ￥0.13908
30+ ￥0.13664
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 击穿电压20
- 阈值电压0.7V
- 原始制造商Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd.
- 额定功率1.5W
- 包装Tape/reel
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4.8A
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流1uA
- 栅极源极击穿电压±8V
- 工作温度-50℃~+150℃
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）52mΩ
- 输入电容675pF
- 漏源电压(Vdss)20V
- 认证信息RoHS
- 栅极电荷(Qg)14.2nC
- 零件状态Active
- 晶体管类型P沟道
购买数量
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AO3415
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
品牌：VBsemi
现货库存：265 (立即发货)
销售单价
1+￥0.44385
数量国内价格
1+ ￥0.44385
10+ ￥0.4035
30+ ￥0.3766
100+ ￥0.33625
500+ ￥0.31742
1000+ ￥0.30397
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压20V
- 阈值电压1.5V@250µA
- 包装Tape/reel
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4.5A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）43mΩ
- 输入电容835pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)20V
- 栅极电荷(Qg)10nC
- 高度1.12mm
- 晶体管类型P沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3415A
MOSFETs 20V 2.90 x 1.60mm SMT SOT23 5A
品牌：AOS
现货库存：40589 (立即发货)
销售单价
10+￥0.4185
数量国内价格
10+ ￥0.4185
50+ ￥0.3861
200+ ￥0.3591
600+ ￥0.3321
1500+ ￥0.3105
3000+ ￥0.297
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 是否无铅Yes
- 功率耗散1.5W
- 阈值电压850mV@250µA
- 额定功率1.5W
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 制造商标准提前期16 周
- 漏极电流5A
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 系列-
- FET功能-
- 漏源电压(Vdss)20V
- 栅极电荷(Qg)11nC@4.5V
- 晶体管类型P沟道
- 类型1个P沟道
购买数量
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AO3415A
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
品牌：VBsemi
现货库存：1336 (立即发货)
销售单价
1+￥0.24766
数量国内价格
1+ ￥0.24766
10+ ￥0.22736
30+ ￥0.2233
100+ ￥0.21112
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌VBsemi
- 击穿电压20V
- 原始制造商VBsemi Electronics Co. Ltd
- 无卤Yes
- 包装Tape/reel
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4.5A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 充电电量10nC
- 配置单路
- 原产国家China Taiwan
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)20V
- 认证信息RoHS,HF(halogen free)
- 零件状态Active
- 晶体管类型MOSFET
购买数量
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AO3415A
P通道Mosfet SOT23 ID=4A PD=1.4W VDS=20V
品牌：TECH PUBLIC
现货库存：32422 (立即发货)
销售单价
5+￥0.22376
数量国内价格
5+ ￥0.22376
20+ ￥0.20531
100+ ￥0.18687
500+ ￥0.16843
1000+ ￥0.15983
2000+ ￥0.15368
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌TECH PUBLIC
- 阈值电压-0.65V
- 原始制造商Tech Public Electronics Co.,Ltd.
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流4A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）37mΩ
- 原产国家China Taiwan
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)20V
- 认证信息RoHS
- 栅极电荷(Qg)10.2nC
- 零件状态Active
- 高度1.15mm
- 晶体管类型P沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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UMW AO3415A
SOT-23塑料封装MOSFET
品牌：UMW
现货库存：8154 (立即发货)
销售单价
1+￥0.345
数量国内价格
1+ ￥0.345
100+ ￥0.322
300+ ￥0.299
500+ ￥0.276
2000+ ￥0.2645
5000+ ￥0.2576
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 击穿电压20V
- 阈值电压560mV@250µA
- 原始制造商UMW
- 包装Tape/reel
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4A
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流-4A
- 反向传输电容Crss160pF
- 工作温度+150℃
- 充电电量17.2nC
- 配置单路
- 原产国家China Taiwan
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)20V
- 正向压降VF Max1V
- 零件状态Active
- 晶体管类型P沟道
购买数量
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AO3415AI-MS
P沟道 20V 4A
品牌：MSKSEMI
现货库存：585 (立即发货)
销售单价
1+￥0.11081
数量国内价格
1+ ￥0.11081
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 正向电流4A
- 是否无铅Yes
- 品牌MSKSEMI
- 阈值电压0.57V
- 额定功率1.5W
- 原始制造商Mason semiconductor
- 包装Tape/reel
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss80pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 原产国家China Taiwan
- 漏源电压(Vdss)20V
- 栅极电荷(Qg)9.3nC
- 零件状态Active
- 晶体管类型P沟道
购买数量
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
20+￥0.19099

属性

销售单价
1+￥0.52679

属性

销售单价
5+￥0.34

属性

销售单价
1+￥0.15128

属性

销售单价
1+￥0.44385

属性

销售单价
10+￥0.4185

属性

销售单价
1+￥0.24766

属性

销售单价
5+￥0.22376

属性

销售单价
1+￥0.345

属性

销售单价
1+￥0.11081

属性

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属性

数量	国内价格
20+	￥0.19099
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500+	￥0.16535
1000+	￥0.15253
3000+	￥0.14612
6000+	￥0.13715

数量	国内价格
1+	￥0.52679
100+	￥0.48966
300+	￥0.45253
500+	￥0.41539
2000+	￥0.39683
5000+	￥0.38569

数量	国内价格
5+	￥0.34
20+	￥0.31
100+	￥0.28
500+	￥0.25
1000+	￥0.236
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数量	国内价格
1+	￥0.44385
10+	￥0.4035
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100+	￥0.33625
500+	￥0.31742
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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500+	￥0.16843
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数量	国内价格
1+	￥0.345
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300+	￥0.299
500+	￥0.276
2000+	￥0.2645
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价20+￥0.19099

属性

销售单价1+￥0.52679

属性

销售单价5+￥0.34

属性

销售单价1+￥0.15128

属性

销售单价1+￥0.44385

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销售单价1+￥0.11081

属性

品牌{{ brandShow ? '收起' : '展开' }}

封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

销售单价
20+￥0.19099

销售单价
1+￥0.52679

销售单价
5+￥0.34

销售单价
1+￥0.15128

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1+￥0.44385

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10+￥0.4185

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1+￥0.24766

销售单价
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1+￥0.345

销售单价
1+￥0.11081