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AO3415
MOSFETs P-沟道 20V 4A SOT-23
品牌：Hottech
现货库存：35536 (立即发货)
销售单价
10+￥0.30443
数量国内价格
10+ ￥0.30443
100+ ￥0.24954
300+ ￥0.2227
3000+ ￥0.18238
6000+ ￥0.16479
9000+ ￥0.15604
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 漏源电流(Idss)-4A
- 击穿电压20V
- 功率耗散1.5W
- 阈值电压900mV
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4A
- 长x宽/尺寸-
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss80pF
- 栅极源极击穿电压±8V
- 输入电容(Ci)751pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- Vgs(Max)±8V
- 漏源电压(Vdss)20V
- 导通电阻(RDS(on)41mΩ@4.5V,4A
- 高度-
- 零件状态Active
- 晶体管类型P沟道
- 引脚数3Pin
- 类型1个P沟道
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AO3415
MOSFETs P-沟道 20V 4.3A 80mΩ@1.8V SOT23L
品牌：HUASHUO
现货库存：777 (立即发货)
销售单价
10+￥0.49642
数量国内价格
10+ ￥0.49642
100+ ￥0.401
300+ ￥0.35437
3000+ ￥0.29077
6000+ ￥0.26029
9000+ ￥0.245
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散840mW
- 阈值电压1.5V
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4.3A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.60mm
- 封装/外壳SOT-23-3
- 输入电容(Ci)900pF@15V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 漏源电压(Vdss)20V
- 导通电阻(RDS(on)45mΩ@4.5V
- 高度1.10mm
- 引脚数3Pin
- 类型1个P沟道
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AO3415
P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
品牌：MDD
现货库存：89317 (立即发货)
销售单价
10+￥0.2545
数量国内价格
10+ ￥0.2545
100+ ￥0.21453
300+ ￥0.19516
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 漏源电流(Idss)1uA
- 击穿电压20
- 功率耗散1.5W
- 阈值电压700mV
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4.8A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss85pF
- 栅极源极击穿电压±8V
- 输入电容(Ci)675pF
- 工作温度-50℃~+150℃
- Vgs(Max)±8V
- 漏源电压(Vdss)20V
- 导通电阻(RDS(on)52mΩ
- 栅极电荷(Qg)14.2nC
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型P沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3415
MOSFETs P-沟道 20V 5A SOT-23
品牌：KEXIN
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
0+￥0
数量国内价格
0+ ￥0
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压20V
- 功率耗散1W
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流5A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.60mm
- 封装/外壳SOT-23
- 输入电容(Ci)905pF@10V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 漏源电压(Vdss)20V
- 导通电阻(RDS(on)43mΩ@4.5V
- 高度1.11mm
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3415
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
品牌：VBsemi
现货库存：265 (立即发货)
销售单价
1+￥0.47075
数量国内价格
1+ ￥0.47075
10+ ￥0.44385
30+ ￥0.39005
100+ ￥0.3497
500+ ￥0.3228
1000+ ￥0.30397
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压20V
- 功率耗散1.25W
- 阈值电压1.5V
- 无卤Yes
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4.5A
- 长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss155pF
- 栅极源极击穿电压±12V
- 输入电容(Ci)835pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- Vgs(Max)±12V
- 漏源电压(Vdss)20V
- 导通电阻(RDS(on)43mΩ
- 栅极电荷(Qg)10nC
- 高度1.12mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型P沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3415A
MOSFETs P-沟道 20V 4A SOT-23
品牌：UMW
现货库存：1060 (立即发货)
销售单价
10+￥0.26285
数量国内价格
10+ ￥0.26285
100+ ￥0.20933
300+ ￥0.18297
3000+ ￥0.14965
6000+ ￥0.13259
9000+ ￥0.12407
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 击穿电压20V
- 功率耗散350mW
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss160pF
- 栅极源极击穿电压±8V
- 输入电容(Ci)1.45nF
- 工作温度+150℃(TJ)
- 漏源电压(Vdss)20V
- 导通电阻(RDS(on)43mΩ
- 高度1.15mm
- 零件状态In production
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3415A
MOSFETs P-沟道 20V 5A SOT-23
品牌：AOS
现货库存：53914 (立即发货)
销售单价
5+￥0.60038
数量国内价格
5+ ￥0.60038
50+ ￥0.48645
150+ ￥0.42904
500+ ￥0.37759
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 漏源电流(Idss)5A
- 击穿电压20V
- 阈值电压850mV
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流5A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.60mm
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±8V
- 输入电容(Ci)940pF@10V
- 工作温度-55℃~+150℃
- Vgs(Max)±8V
- 栅极电荷(Qg)11nC@4.5V
- 高度1.25mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型P沟道
- 引脚数3Pin
- 安装类型SMT
- 功率耗散1.5W
- 反向传输电容Crss80pF
- 系列-
- FET功能-
- 漏源电压(Vdss)20V
- 导通电阻(RDS(on)45mΩ@4.5V
- 类型1个P沟道
购买数量
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AO3415A
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
品牌：VBsemi
现货库存：1336 (立即发货)
销售单价
1+￥0.24766
数量国内价格
1+ ￥0.24766
10+ ￥0.22736
30+ ￥0.2233
100+ ￥0.21112
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压20V
- 功率耗散1.25W
- 无卤Yes
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4.5A
- 长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss155pF
- 栅极源极击穿电压±12V
- 输入电容(Ci)835pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 漏源电压(Vdss)20V
- 导通电阻(RDS(on)43mΩ
- 高度1.12mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型MOSFET
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3415A-VB
MOSFETs P-沟道 20V 4A SOT-23
品牌：VBsemi
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
10+￥0.31465
数量国内价格
10+ ￥0.31465
100+ ￥0.29435
500+ ￥0.27405
2000+ ￥0.2436
5000+ ￥0.23345
10000+ ￥0.22736
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散2.5W
- 阈值电压1.5V
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4A
- 长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss155pF
- 输入电容(Ci)835pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 漏源电压(Vdss)20V
- 导通电阻(RDS(on)60mΩ
- 高度1.12mm
- 引脚数3Pin
- 类型1个P沟道
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AO3415A
P通道Mosfet SOT23 ID=4A PD=1.4W VDS=20V
品牌：TECH PUBLIC
现货库存：43207 (立即发货)
销售单价
10+￥0.31949
数量国内价格
10+ ￥0.31949
100+ ￥0.25627
300+ ￥0.2253
3000+ ￥0.19492
6000+ ￥0.17483
9000+ ￥0.16474
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压20V
- 功率耗散1.4W
- 阈值电压650mV
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流4A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss114.8pF
- 栅极源极击穿电压±10V
- 输入电容(Ci)1.1811nF
- 工作温度-55℃~+150℃
- Vgs(Max)±10V
- 漏源电压(Vdss)20V
- 导通电阻(RDS(on)37mΩ
- 栅极电荷(Qg)10.2nC
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型P沟道
- 引脚数3Pin
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0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
10+￥0.30443

属性

销售单价
10+￥0.49642

属性

销售单价
10+￥0.2545

属性

销售单价
0+￥0

属性

销售单价
1+￥0.47075

属性

销售单价
10+￥0.26285

属性

销售单价
5+￥0.60038

属性

销售单价
1+￥0.24766

属性

销售单价
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属性

销售单价
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属性

数量	国内价格
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300+	￥0.2227
3000+	￥0.18238
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数量	国内价格
10+	￥0.49642
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300+	￥0.35437
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9000+	￥0.245

数量	国内价格
1+	￥0.47075
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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3000+	￥0.19492
6000+	￥0.17483
9000+	￥0.16474

数量	国内价格
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50+	￥0.48645
150+	￥0.42904
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价10+￥0.30443

属性

销售单价10+￥0.49642

属性

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销售单价10+￥0.31949

属性

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属性

条款与个人信息保护政策

销售单价
10+￥0.30443

销售单价
10+￥0.49642

销售单价
10+￥0.2545

销售单价
0+￥0

销售单价
1+￥0.47075

销售单价
10+￥0.26285

销售单价
5+￥0.60038

销售单价
1+￥0.24766

销售单价
10+￥0.31465

销售单价
10+￥0.31949