AO3400A

MOS场效应管(单) AOS N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.7A P=1.4W

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产品信息

规格参数

产品分类

场效应管(MOS管)

三极管及MOS管



FET配置(电路类型)

N沟道


漏源击穿电压V(BR)dss

30V


漏极电流(Id, 连续)

5.7A(Ta)


导通电阻 Rds(on)

26.5毫欧


阈值电压Vgs(th)

1.5V@250µA


最大耗散功率

1.4W


封装/外壳

SOT-23-3(SC-59,TO-236-3)



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