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AO3400A
MOSFETs N-沟道 30V 5.8A SOT-23
品牌：UMW
现货库存：246518 (立即发货)
销售单价
20+￥0.20342
数量国内价格
20+ ￥0.20342
200+ ￥0.14919
600+ ￥0.12534
3000+ ￥0.10388
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 击穿电压30V
- 功率耗散1.4W
- 阈值电压1.1V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss77pF
- 栅极源极击穿电压±12V
- 输入电容(Ci)823pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- Vgs(Max)±12V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 导通电阻(RDS(on)28mΩ
- 栅极电荷(Qg)9.7nC
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
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AO3400A
MOSFETs N-沟道 30V 5.7A SOT-23
品牌：AOS
现货库存：381407 (立即发货)
销售单价
5+￥0.52128
数量国内价格
5+ ￥0.52128
50+ ￥0.42476
150+ ￥0.37622
500+ ￥0.33261
3000+ ￥0.31742
6000+ ￥0.30713
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 漏源电流(Idss)5.7A
- 击穿电压30V
- 阈值电压1.5V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.7A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.60mm
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±12V
- 输入电容(Ci)630pF@15V
- 工作温度-55℃~+150℃
- Vgs(Max)±12V
- 栅极电荷(Qg)7nC@4.5V
- 高度1.25mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 安装类型SMT
- 功率耗散1.4W
- 反向传输电容Crss50pF
- 系列-
- FET功能-
- 漏源电压(Vdss)30V
- 导通电阻(RDS(on)26.5mΩ@10V,5.7A
- 类型1个N沟道
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AO3400A
MOSFETs N-沟道 30V 5.8A SOT-23
品牌：BORN
现货库存：122262 (立即发货)
销售单价
10+￥0.36653
数量国内价格
10+ ￥0.36653
100+ ￥0.30749
300+ ￥0.27891
3000+ ￥0.19404
6000+ ￥0.17493
9000+ ￥0.16542
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压30V
- 功率耗散1.4W
- 阈值电压1.1V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±12V
- 输入电容(Ci)823pF
- 工作温度+150℃(TJ)
- Vgs(Max)30V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 导通电阻(RDS(on)32mΩ@10V
- 高度1.00mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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AO3400A
MOSFETs N-沟道 30V 5.2A SOT-23
品牌：HUASHUO
现货库存：99750 (立即发货)
销售单价
20+￥0.25862
数量国内价格
20+ ￥0.25862
200+ ￥0.21097
600+ ￥0.18777
3000+ ￥0.14916
9000+ ￥0.13387
21000+ ￥0.12622
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散1W
- 阈值电压1.5V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.2A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 输入电容(Ci)927pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 漏源电压(Vdss)30V
- 导通电阻(RDS(on)35mΩ@10V
- 高度0.98mm
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
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AO3400A
1个N沟道耐压:30V 电流:5.8A
品牌：FUXINSEMI
现货库存：10 (立即发货)
销售单价
10+￥0.144
数量国内价格
10+ ￥0.144
100+ ￥0.11721
300+ ￥0.10255
3000+ ￥0.09302
6000+ ￥0.08473
9000+ ￥0.08032
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss70pF@15V
- 输入电容(Ci)630pF@15V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 功率耗散350mW
- 阈值电压1.4V
- 极性N-沟道
- 漏源电压(Vdss)30V
- 连续漏极电流5.8A
- 导通电阻(RDS(on)35mΩ@10V
- 栅极电荷(Qg)17.5nC@10V
- 类型1个N沟道
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AO3400A
N沟道,电流:5.8A,耐压:30V
品牌：ElecSuper
现货库存：40 (立即发货)
销售单价
20+￥0.14851
数量国内价格
20+ ￥0.14851
100+ ￥0.13501
500+ ￥0.12601
1000+ ￥0.11701
5000+ ￥0.10621
10000+ ￥0.10171
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 封装/外壳SOT-23-3
- 输入电容(Ci)550pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 漏源电压(Vdss)30V
- 极性N沟道
- 连续漏极电流5.8A
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AO3400A
N沟道,30V,5.8A,26MΩ@-10V
品牌：YONGYUTAI
现货库存：120 (立即发货)
销售单价
20+￥0.1669
数量国内价格
20+ ￥0.1669
200+ ￥0.13417
600+ ￥0.11619
3000+ ￥0.10456
9000+ ￥0.08611
21000+ ￥0.08071
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 封装/外壳SOT-23
- 输入电容(Ci)702pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 极性N沟道
- 漏源电压(Vdss)30V
- 连续漏极电流5.8A
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封装收起

销售单价
20+￥0.20342

属性

销售单价
5+￥0.52128

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10+￥0.36653

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5+	￥0.52128
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150+	￥0.37622
500+	￥0.33261
3000+	￥0.31742
6000+	￥0.30713

数量	国内价格
10+	￥0.36653
100+	￥0.30749
300+	￥0.27891
3000+	￥0.19404
6000+	￥0.17493
9000+	￥0.16542

数量	国内价格
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数量	国内价格
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