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AO3400A
30V N沟道MOSFET SOT23 1.4W
品牌：AOS
现货库存：256527 (立即发货)
销售单价
1+￥0.45
数量国内价格
1+ ￥0.45
50+ ￥0.35
150+ ￥0.3
500+ ￥0.285
3000+ ￥0.27
6000+ ￥0.265
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压30V
- 阈值电压1.5V@250µA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.7A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.60mm
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流5.7A
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 系列-
- 原产国家America
- FET功能-
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)7nC@4.5V
- 零件状态Active
- 高度1.25mm
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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AO3400A
N沟道增强型MOSFET 30V 5.8A 29mΩ@10V,5.8A 1.4W 1.4V@250uA N Channel SOT-23
品牌：BORN
现货库存：96430 (立即发货)
销售单价
10+￥0.2325
数量国内价格
10+ ￥0.2325
200+ ￥0.1935
1000+ ￥0.1805
2000+ ￥0.1675
4000+ ￥0.1584
8000+ ￥0.148
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压30V
- 阈值电压1.1V
- 额定功率1.4W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)32mΩ@10V,5.8A
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5.8A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度+150℃
- 原产国家China
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）29mΩ
- 输入电容823pF
- 漏源电压(Vdss)30V
- 高度1.00mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
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AO3400A
N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W
品牌：UMW
现货库存：82877 (立即发货)
销售单价
5+￥0.13778
数量国内价格
5+ ￥0.13778
20+ ￥0.12533
100+ ￥0.11288
500+ ￥0.10043
1000+ ￥0.09462
2000+ ￥0.09047
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌UMW
- 击穿电压30V
- 功率耗散1.4W
- 阈值电压1.1V
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5.8A
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss77pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）28mΩ
- 输入电容823pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)9.7nC
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3400A
MOSFETs N-沟道 30V 5.2A 52mΩ@2.5V SOT23
品牌：HUASHUO
现货库存：39452 (立即发货)
销售单价
5+￥0.17001
数量国内价格
5+ ￥0.17001
20+ ￥0.15501
100+ ￥0.14001
500+ ￥0.12501
1000+ ￥0.11801
2000+ ￥0.11301
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散1W
- 阈值电压1.5V@250μA
- 额定功率1W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@10V,5A
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.2A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）52mΩ
- 漏源电压(Vdss)30V
- 高度0.98mm
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
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UMW AO3400A
N通道增强模式
品牌：UMW
现货库存：13476 (立即发货)
销售单价
5+￥0.17985
数量国内价格
5+ ￥0.17985
20+ ￥0.17655
100+ ￥0.16995
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 正向电流2.5A
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 击穿电压30V
- 阈值电压1.1V@250µA
- 原始制造商UMW
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流5.8A
- 反向传输电容Crss77pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量9.7nC
- 配置单路
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 正向压降VF Max1V
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
1+￥0.45

属性

销售单价
10+￥0.2325

属性

销售单价
5+￥0.13778

属性

销售单价
5+￥0.17001

属性

销售单价
5+￥0.17985

属性

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属性

数量	国内价格
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500+	￥0.285
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数量	国内价格
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数量	国内价格
5+	￥0.13778
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价1+￥0.45

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销售单价10+￥0.2325

属性

销售单价5+￥0.13778

属性

销售单价5+￥0.17001

属性

销售单价5+￥0.17985

属性

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属性

销售单价
1+￥0.45

销售单价
10+￥0.2325

销售单价
5+￥0.13778

销售单价
5+￥0.17001

销售单价
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