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AO3400A
30V N沟道MOSFET SOT23 1.4W
品牌：AOS
现货库存：307298 (立即发货)
销售单价
10+￥0.44443
数量国内价格
10+ ￥0.44443
100+ ￥0.35053
600+ ￥0.26245
1200+ ￥0.25851
3000+ ￥0.24863
15000+ ￥0.2449
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压30V
- 阈值电压1.5V@250µA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.7A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.60mm
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流5.7A
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 系列-
- 原产国家America
- FET功能-
- Vgs(Max)±12V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)7nC@4.5V
- 零件状态Active
- 高度1.25mm
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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AO3400A
N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W
品牌：UMW
现货库存：200622 (立即发货)
销售单价
20+￥0.18833
数量国内价格
20+ ￥0.18833
300+ ￥0.13848
1200+ ￥0.11625
3000+ ￥0.09737
15000+ ￥0.09068
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌UMW
- 功率耗散1.4W
- 阈值电压1.1V
- 原始制造商Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd.
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5.8A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss77pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 输入电容823pF
- Vgs(Max)±12V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)9.7nC
- 零件状态Active
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AO3400A
MOSFETs N-沟道 30V 5.2A 52mΩ@2.5V SOT23
品牌：HUASHUO
现货库存：69745 (立即发货)
销售单价
10+￥0.23744
数量国内价格
10+ ￥0.23744
100+ ￥0.23388
600+ ￥0.16431
1200+ ￥0.16185
3000+ ￥0.12728
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散1W
- 阈值电压1.5V@250μA
- 额定功率1W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@10V,5A
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.2A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃
- 漏源电压(Vdss)30V
- 高度0.98mm
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
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AO3400A
N沟道增强型MOSFET 30V 5.8A 29mΩ@10V,5.8A 1.4W 1.4V@250uA N Channel SOT-23
品牌：BORN
现货库存：112282 (立即发货)
销售单价
10+￥0.31678
数量国内价格
10+ ￥0.31678
100+ ￥0.26348
600+ ￥0.23603
1200+ ￥0.23249
3000+ ￥0.15867
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压30V
- 阈值电压1.1V
- 额定功率1.4W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)32mΩ@10V,5.8A
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5.8A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度+150℃
- 原产国家China
- 输入电容823pF
- Vgs(Max)30V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 高度1.00mm
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
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销售单价
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封装收起

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属性

销售单价10+￥0.23744

属性

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属性

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10+￥0.44443

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