AO3400
MOS场效应管(单) SK N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A
制造商：
产品信息
规格参数
产品分类 | ||
FET配置（电路类型） | N沟道 | |
漏源击穿电压V(BR)dss | 30V | |
漏极电流（Id, 连续） | 5.8A | |
导通电阻 Rds（on） | 35毫欧 | |
阈值电压Vgs(th) | 1.5V@250µA | |
最大耗散功率 | - | |
封装/外壳 | SOT-23-3(SC-59,TO-236-3) |
元器件型号、描述、参数
元器件型号、描述、参数
MOS场效应管(单) SK N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A
制造商：
产品分类 | ||
FET配置（电路类型） | N沟道 | |
漏源击穿电压V(BR)dss | 30V | |
漏极电流（Id, 连续） | 5.8A | |
导通电阻 Rds（on） | 35毫欧 | |
阈值电压Vgs(th) | 1.5V@250µA | |
最大耗散功率 | - | |
封装/外壳 | SOT-23-3(SC-59,TO-236-3) |