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AO3400
AO3400
品牌：GOODWORK
现货库存：15647 (立即发货)
销售单价
20+￥0.12001
数量国内价格
20+ ￥0.12001
200+ ￥0.11201
500+ ￥0.10401
1000+ ￥0.096
3000+ ￥0.092
6000+ ￥0.0864
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 阈值电压1.2V@250μA
- 额定功率1.5W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@10V,5.8A
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss77pF@15V
- 输入电容1.05nF@15V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 高度1.00mm
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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AO3400
N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.36W
品牌：TECH PUBLIC
现货库存：6495 (立即发货)
销售单价
5+￥0.26719
数量国内价格
5+ ￥0.26719
20+ ￥0.2432
100+ ￥0.2192
500+ ￥0.1952
1000+ ￥0.184
2000+ ￥0.176
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅No
- 品牌TECH PUBLIC
- 功率耗散1.36W
- 阈值电压0.9V
- 额定功率1.36W
- 原始制造商Tech Public Electronics Co.,Ltd.
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸3.02 x 1.70mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）50mΩ
- 原产国家China Taiwan
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)4.8nC
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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AO3400
N沟道（D-S）MOSFET 30V 5.8A 28mΩ@10V,2.9A 1.4W 900mV@250uA 77pF@15V N Channel 623pF@15V 9.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
品牌：LGE
现货库存：12190 (立即发货)
销售单价
5+￥0.288
数量国内价格
5+ ￥0.288
50+ ￥0.261
500+ ￥0.225
1000+ ￥0.198
2500+ ￥0.1854
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌LGE
- 阈值电压0.9V
- 额定功率1.4W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@10V,2.9A
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流1µA
- 反向传输电容Crss77pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 输入电容623pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)9.5nC@4.5V
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3400
SOT-23塑料封装MOSFETS 0.35W N通道VDS=30V
品牌：TWGMC
现货库存：6814 (立即发货)
销售单价
1+￥0.2328
数量国内价格
1+ ￥0.2328
100+ ￥0.21738
300+ ￥0.20196
500+ ￥0.18654
2000+ ￥0.17884
5000+ ￥0.17421
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅No
- 品牌TWGMC
- 功率耗散350mW
- 额定功率350mW
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss77pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）40mΩ
- 原产国家China Taiwan
- 输入电容1.05nF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 认证信息RoHS
- 高度1.40mm
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3400
MOSFETs N-Channel SOT-23
品牌：BORN
现货库存：12098 (立即发货)
销售单价
1+￥0.18509
数量国内价格
1+ ￥0.18509
30+ ￥0.17858
100+ ￥0.16554
500+ ￥0.15251
1000+ ￥0.14599
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌BORN
- 阈值电压±12V
- 原始制造商BORN SEMICONDUCTOR
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@10V,5A
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5A
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度+150℃
- 原产国家China
- 输入电容545pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 认证信息Active
- 栅极电荷(Qg)545pF
- 零件状态在售
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3400
N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A P=350mW
品牌：JSMSEMI
现货库存：59250 (立即发货)
销售单价
20+￥0.13303
数量国内价格
20+ ￥0.13303
200+ ￥0.12416
500+ ￥0.11529
1000+ ￥0.10642
3000+ ￥0.10199
6000+ ￥0.09578
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌JSMICRO
- 击穿电压30V
- 阈值电压0.7~1.4V
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸3.10 x 1.50mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±12V
- 反向传输电容Crss77pF
- 工作温度+150℃(TJ)
- 配置单路
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）40mΩ
- 输入电容1.05nF
- 最小包装3000
- 漏源电压(Vdss)30V
- 高度1.10mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3400
N通道30-V（D-S）MOSFET 1.4W SOT23
品牌：KUU
现货库存：265 (立即发货)
销售单价
1+￥0.203
数量国内价格
1+ ￥0.203
30+ ￥0.19575
100+ ￥0.1885
500+ ￥0.174
1000+ ￥0.16675
2000+ ￥0.1624
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌KUU
- 功率耗散1.4W
- 阈值电压1.4V@250μA
- 原始制造商KUU SEMICONDUCTOR
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5.8A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.92 x 1.60mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss77pF
- 工作温度+150℃
- 充电电量11nC
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）25mΩ
- 输入电容823pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)10nC@4.5V
- 零件状态Active
购买数量
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AO3400
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
品牌：VBsemi
现货库存：420 (立即发货)
销售单价
10+￥0.456
数量国内价格
10+ ￥0.456
50+ ￥0.4218
200+ ￥0.3933
600+ ￥0.3648
1500+ ￥0.342
3000+ ￥0.32775
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌VBsemi
- 阈值电压2V@250µA
- 原始制造商VBsemi Electronics Co. Ltd
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.3A
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- 原产国家China Taiwan
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）33mΩ
- 输入电容335pF
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)6.7nC
- 高度1.12mm
- 晶体管类型N沟道
- 应用Consumer
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3400
N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A P=1.5W
品牌：MDD
现货库存：3355 (立即发货)
销售单价
1+￥0.10815
数量国内价格
1+ ￥0.10815
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散1.5W
- 阈值电压1.2V
- 额定功率1.5W
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5A
- 存储温度-50℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 漏极电流1uA
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度-50℃~+150℃
- 原产国家China
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）50mΩ
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)6.2nC
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车
AO3400
N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：350mW
品牌：Hottech
现货库存：187444 (立即发货)
销售单价
20+￥0.13073
数量国内价格
20+ ￥0.13073
200+ ￥0.12213
500+ ￥0.11353
1000+ ￥0.10492
3000+ ￥0.10062
6000+ ￥0.0946
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 品牌Hottech
- 功率耗散1.4W
- 阈值电压1.4V@250µA
- 原始制造商Guangdong Hottech Co. Ltd.
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5.8A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流5.8A
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量6nC
- 配置单路
- 原产国家China
- 输入电容630pF
- 漏源电压(Vdss)30V
- 认证信息RoHS
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
20+￥0.12001

属性

销售单价
5+￥0.26719

属性

销售单价
5+￥0.288

属性

销售单价
1+￥0.2328

属性

销售单价
1+￥0.18509

属性

销售单价
20+￥0.13303

属性

销售单价
1+￥0.203

属性

销售单价
10+￥0.456

属性

销售单价
1+￥0.10815

属性

销售单价
20+￥0.13073

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属性

数量	国内价格
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200+	￥0.11201
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3000+	￥0.092
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数量	国内价格
5+	￥0.26719
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100+	￥0.2192
500+	￥0.1952
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2000+	￥0.176

数量	国内价格
5+	￥0.288
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500+	￥0.225
1000+	￥0.198
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数量	国内价格
1+	￥0.2328
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2000+	￥0.17884
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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1000+	￥0.10642
3000+	￥0.10199
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数量	国内价格
1+	￥0.203
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100+	￥0.1885
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1000+	￥0.16675
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数量	国内价格
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1500+	￥0.342
3000+	￥0.32775

数量	国内价格
20+	￥0.13073
200+	￥0.12213
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价20+￥0.12001

属性

销售单价5+￥0.26719

属性

销售单价5+￥0.288

属性

销售单价1+￥0.2328

属性

销售单价1+￥0.18509

属性

销售单价20+￥0.13303

属性

销售单价1+￥0.203

属性

销售单价10+￥0.456

属性

销售单价1+￥0.10815

属性

销售单价20+￥0.13073

属性

品牌{{ brandShow ? '收起' : '展开' }}

封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

销售单价
20+￥0.12001

销售单价
5+￥0.26719

销售单价
5+￥0.288

销售单价
1+￥0.2328

销售单价
1+￥0.18509

销售单价
20+￥0.13303

销售单价
1+￥0.203

销售单价
10+￥0.456

销售单价
1+￥0.10815

销售单价
20+￥0.13073