AO3400价格_AO3400封装_AO3400库存_华秋商城-电子元器件查询平台

关于“AO3400”的搜索结果共0条

综合现有库存

筛选

热销型号

AO3400
AO3400
品牌：GOODWORK
现货库存：23787 (立即发货)
销售单价
20+￥0.15875
数量国内价格
20+ ￥0.15875
300+ ￥0.12462
1200+ ￥0.10946
3000+ ￥0.08072
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 阈值电压1.2V@250μA
- 额定功率1.5W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@10V,5.8A
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss77pF@15V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 输入电容1.05nF@15V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 高度1.00mm
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
加入购物车
AO3400
N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.36W
品牌：TECH PUBLIC
现货库存：8135 (立即发货)
销售单价
10+￥0.3086
数量国内价格
10+ ￥0.3086
100+ ￥0.24402
600+ ￥0.21178
1200+ ￥0.2086
3000+ ￥0.18753
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 阈值电压0.9V
- 原始制造商Tech Public Electronics Co.,Ltd.
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5.8A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 原产国家China Taiwan
- 输入电容702pF
- Vgs(Max)±12V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)4.8nC
- 高度1.25mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车
AO3400
N沟道（D-S）MOSFET 30V 5.8A 28mΩ@10V,2.9A 1.4W 900mV@250uA 77pF@15V N Channel 623pF@15V 9.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
品牌：LGE
现货库存：12200 (立即发货)
销售单价
10+￥0.26245
数量国内价格
10+ ￥0.26245
100+ ￥0.2083
600+ ￥0.18123
1200+ ￥0.17851
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压33V
- 阈值电压0.9V
- 原始制造商Luguang Electronic Technology Co., Ltd.
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5.8A
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流1µA
- 栅极源极击穿电压±12V
- 反向传输电容Crss77pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 原产国家China
- 输入电容623pF
- Vgs(Max)±12V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)9.5nC@4.5V
- 零件状态Active
- 高度1.12mm
- 晶体管类型N沟道
购买数量
加入购物车
AO3400
SOT-23塑料封装MOSFETS 0.35W N通道VDS=30V
品牌：TWGMC
现货库存：6854 (立即发货)
销售单价
10+￥0.23273
数量国内价格
10+ ￥0.23273
100+ ￥0.22924
600+ ￥0.16522
1200+ ￥0.16274
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅No
- 功率耗散350mW
- 额定功率350mW
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸3.10 x 1.65mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 原产国家China Taiwan
- 输入电容1.05nF
- Vgs(Max)±12V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 认证信息RoHS
- 高度1.40mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车
AO3400
MOSFETs N-Channel SOT-23
品牌：BORN
现货库存：12320 (立即发货)
销售单价
20+￥0.35245
数量国内价格
20+ ￥0.35245
200+ ￥0.28377
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压30V
- 功率耗散1.4W
- 阈值电压±12V
- 额定功率1.4W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@10V,5A
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压-0.6V
- 工作温度+150℃
- Vgs(Max)-0.6V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)545pF
- 高度0.90mm
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车
AO3400
N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：350mW
品牌：Hottech
现货库存：189724 (立即发货)
销售单价
20+￥0.16407
数量国内价格
20+ ￥0.16407
200+ ￥0.12808
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌Hottech
- 阈值电压1.4V@250μA
- 额定功率350mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@10V,5.8A
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流5.8A
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- Vgs(Max)±12V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 认证信息RoHS
- 高度1.15mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车
AO3400
N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A P=350mW
品牌：JSMSEMI
现货库存：59250 (立即发货)
销售单价
20+￥0.21677
数量国内价格
20+ ￥0.21677
300+ ￥0.16694
1200+ ￥0.1393
3000+ ￥0.12269
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌JSMICRO
- 击穿电压30V
- 阈值电压0.7~1.4V
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸3.10 x 1.50mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±12V
- 反向传输电容Crss77pF
- 工作温度+150℃(TJ)
- 配置单路
- 输入电容1.05nF
- 最小包装3000
- 漏源电压(Vdss)30V
- 高度1.10mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车
AO3400
N通道30-V（D-S）MOSFET 1.4W SOT23
品牌：KUU
现货库存：271 (立即发货)
销售单价
1+￥0.21093
数量国内价格
1+ ￥0.21093
30+ ￥0.2034
100+ ￥0.19587
500+ ￥0.1808
1000+ ￥0.17327
2000+ ￥0.16875
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌KUU
- 击穿电压30V
- 阈值电压1.4V@250μA
- 额定功率1.4W
- 原始制造商KUU SEMICONDUCTOR
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)26.5mΩ@10V,5.7A
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5.8A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度+150℃
- 充电电量11nC
- 输入电容823pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)10nC@4.5V
- 零件状态Active
购买数量
加入购物车
AO3400
MOSFETs N-沟道 30V 6A SOT-23
品牌：TWTLSEMI
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
20+￥0.08
数量国内价格
20+ ￥0.08
200+ ￥0.075
600+ ￥0.07
3000+ ￥0.065
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 功率耗散1W
- Vgs(Max)±12V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流6A
- 高度1.15mm
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车
AO3400
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
品牌：VBsemi
现货库存：420 (立即发货)
销售单价
5+￥0.56623
数量国内价格
5+ ￥0.56623
50+ ￥0.45143
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌VBsemi
- 阈值电压2V@250µA
- 原始制造商VBsemi Electronics Co. Ltd
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)33mΩ
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.3A
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- 原产国家China Taiwan
- 输入电容335pF
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)6.7nC
- 高度1.12mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车

0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
20+￥0.15875

属性

销售单价
10+￥0.3086

属性

销售单价
10+￥0.26245

属性

销售单价
10+￥0.23273

属性

销售单价
20+￥0.35245

属性

销售单价
20+￥0.16407

属性

销售单价
20+￥0.21677

属性

销售单价
1+￥0.21093

属性

销售单价
20+￥0.08

属性

销售单价
5+￥0.56623

属性

品牌{{ brandShow ? '收起' : '展开' }}

封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

数量	国内价格
10+	￥0.3086
100+	￥0.24402
600+	￥0.21178
1200+	￥0.2086
3000+	￥0.18753

数量	国内价格
1+	￥0.21093
30+	￥0.2034
100+	￥0.19587
500+	￥0.1808
1000+	￥0.17327
2000+	￥0.16875

数量	国内价格
20+	￥0.15875
300+	￥0.12462
1200+	￥0.10946
3000+	￥0.08072

数量	国内价格
20+	￥0.35245
200+	￥0.28377

数量	国内价格
20+	￥0.16407
200+	￥0.12808

数量	国内价格
20+	￥0.21677
300+	￥0.16694
1200+	￥0.1393
3000+	￥0.12269

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价20+￥0.15875

属性

销售单价10+￥0.3086

属性

销售单价10+￥0.26245

属性

销售单价10+￥0.23273

属性

销售单价20+￥0.35245

属性

销售单价20+￥0.16407

属性

销售单价20+￥0.21677

属性

销售单价1+￥0.21093

属性

销售单价20+￥0.08

属性

销售单价5+￥0.56623

属性

品牌{{ brandShow ? '收起' : '展开' }}

封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

销售单价
20+￥0.15875

销售单价
10+￥0.3086

销售单价
10+￥0.26245

销售单价
10+￥0.23273

销售单价
20+￥0.35245

销售单价
20+￥0.16407

销售单价
20+￥0.21677

销售单价
1+￥0.21093

销售单价
20+￥0.08

销售单价
5+￥0.56623