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AO3400
MOSFETs N-沟道 30V 6A SOT-23
品牌：TWTLSEMI
现货库存：20 (立即发货)
销售单价
20+￥0.08
数量国内价格
20+ ￥0.08
200+ ￥0.075
600+ ￥0.07
3000+ ￥0.065
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-23
- 安装类型SMT
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 功率耗散1W
- Vgs(Max)±12V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流6A
- 高度1.15mm
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 引脚数3Pin
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AO3400
1个N沟道耐压:30V 电流:5.8A适用于电源开关和信号控制
品牌：GOODWORK
现货库存：27027 (立即发货)
销售单价
20+￥0.11921
数量国内价格
20+ ￥0.11921
200+ ￥0.11121
500+ ￥0.10321
1000+ ￥0.0952
3000+ ￥0.0912
6000+ ￥0.0856
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 阈值电压1.2V@250μA
- 额定功率1.5W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@10V,5.8A
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss77pF@15V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 输入电容1.05nF@15V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 高度1.00mm
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
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AO3400
MOSFETs N-沟道 30V 5.8A SOT-23
品牌：Hottech
现货库存：189744 (立即发货)
销售单价
20+￥0.16274
数量国内价格
20+ ￥0.16274
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌Hottech
- 漏源电流(Idss)5.8A
- 击穿电压30V
- 阈值电压1.4V@250μA
- 额定功率350mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@10V,5.8A
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- Vgs(Max)±12V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 高度1.15mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
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AO3400
N通道30-V（D-S）MOSFET 1.4W SOT23
品牌：KUU
现货库存：271 (立即发货)
销售单价
1+￥0.21093
数量国内价格
1+ ￥0.21093
30+ ￥0.2034
100+ ￥0.19587
500+ ￥0.1808
1000+ ￥0.17327
2000+ ￥0.16875
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散1.4W
- 击穿电压30V
- 阈值电压1.4V@250μA
- 额定功率1.4W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)26.5mΩ@10V,5.7A
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸2.92 x 1.60mm
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度+150℃
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)10nC@4.5V
- 高度1.15mm
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
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AO3400
N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A P=350mW
品牌：JSMSEMI
现货库存：59250 (立即发货)
销售单价
20+￥0.21677
数量国内价格
20+ ￥0.21677
300+ ￥0.16694
1200+ ￥0.1393
3000+ ￥0.12269
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌JSMICRO
- 功率耗散350mW
- 阈值电压0.7~1.4V
- 原始制造商JSMicro Semiconductor, Inc
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.10 x 1.50mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss77pF
- 工作温度+150℃(TJ)
- 配置单路
- 输入电容1.05nF
- 最小包装3000
- 漏源电压(Vdss)30V
- 零件状态Active
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AO3400
SOT-23塑料封装MOSFETS 0.35W N通道VDS=30V
品牌：TWGMC
现货库存：6854 (立即发货)
销售单价
1+￥0.2328
数量国内价格
1+ ￥0.2328
100+ ￥0.21738
300+ ￥0.20196
500+ ￥0.18654
2000+ ￥0.17884
5000+ ￥0.17421
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散350mW
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸3.10 x 1.65mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss77pF
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 原产国家China Taiwan
- 输入电容1.05nF
- Vgs(Max)±12V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 认证信息RoHS
- 高度1.40mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3400
N沟道（D-S）MOSFET 30V 5.8A 28mΩ@10V,2.9A 1.4W 900mV@250uA 77pF@15V N Channel 623pF@15V 9.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
品牌：LGE
现货库存：12260 (立即发货)
销售单价
5+￥0.2898
数量国内价格
5+ ￥0.2898
50+ ￥0.2628
500+ ￥0.2268
1000+ ￥0.1998
2500+ ￥0.1872
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 漏源电流(Idss)1µA
- 阈值电压0.9V
- 额定功率1.4W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@10V,2.9A
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 输入电容623pF
- Vgs(Max)±12V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)9.5nC@4.5V
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3400
N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.36W
品牌：TECH PUBLIC
现货库存：8135 (立即发货)
销售单价
10+￥0.29592
数量国内价格
10+ ￥0.29592
100+ ￥0.23669
600+ ￥0.20764
1200+ ￥0.20453
3000+ ￥0.18791
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 阈值电压0.9V
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5.8A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量4.8nC
- 配置单路
- 原产国家China Taiwan
- 输入电容702pF
- Vgs(Max)±12V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)4.8nC
- 高度1.25mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3400
MOSFETs N-Channel SOT-23
品牌：BORN
现货库存：12320 (立即发货)
销售单价
20+￥0.35564
数量国内价格
20+ ￥0.35564
200+ ￥0.28626
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压30V
- 功率耗散1.4W
- 阈值电压±12V
- 额定功率1.4W
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压-0.6V
- 工作温度+150℃
- 输入电容545pF
- Vgs(Max)-0.6V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)545pF
- 高度0.90mm
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3400
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
品牌：VBsemi
现货库存：420 (立即发货)
销售单价
5+￥0.56623
数量国内价格
5+ ￥0.56623
50+ ￥0.45143
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 功率耗散1.1W
- 阈值电压2V@250µA
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5.3A
- 长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 充电电量2.1nC
- 配置单路
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 认证信息RoHS, HF(halogen free),
- 栅极电荷(Qg)6.7nC
- 高度1.12mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
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0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
20+￥0.08

属性

销售单价
20+￥0.11921

属性

销售单价
20+￥0.16274

属性

销售单价
1+￥0.21093

属性

销售单价
20+￥0.21677

属性

销售单价
1+￥0.2328

属性

销售单价
5+￥0.2898

属性

销售单价
10+￥0.29592

属性

销售单价
20+￥0.35564

属性

销售单价
5+￥0.56623

属性

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属性

数量	国内价格
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数量	国内价格
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1000+	￥0.17327
2000+	￥0.16875

数量	国内价格
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300+	￥0.20196
500+	￥0.18654
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5000+	￥0.17421

数量	国内价格
5+	￥0.2898
50+	￥0.2628
500+	￥0.2268
1000+	￥0.1998
2500+	￥0.1872

数量	国内价格
10+	￥0.29592
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600+	￥0.20764
1200+	￥0.20453
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价20+￥0.08

属性

销售单价20+￥0.11921

属性

销售单价20+￥0.16274

属性

销售单价1+￥0.21093

属性

销售单价20+￥0.21677

属性

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销售单价5+￥0.2898

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销售单价10+￥0.29592

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属性

品牌{{ brandShow ? '收起' : '展开' }}

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属性

销售单价
20+￥0.08

销售单价
20+￥0.11921

销售单价
20+￥0.16274

销售单价
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销售单价
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销售单价
1+￥0.2328

销售单价
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销售单价
10+￥0.29592

销售单价
20+￥0.35564

销售单价
5+￥0.56623