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AO3400
N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.36W
品牌：TECH PUBLIC
现货库存：5878 (立即发货)
销售单价
5+￥0.26719
数量国内价格
5+ ￥0.26719
20+ ￥0.2432
100+ ￥0.2192
500+ ￥0.1952
1000+ ￥0.184
2000+ ￥0.176
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 阈值电压0.9V
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5.8A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量4.8nC
- 配置单路
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）50mΩ
- 原产国家China Taiwan
- 输入电容702pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)4.8nC
- 高度1.25mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3400
N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A P=350mW
品牌：JSMSEMI
现货库存：58250 (立即发货)
销售单价
20+￥0.1364
数量国内价格
20+ ￥0.1364
200+ ￥0.1276
500+ ￥0.1188
1000+ ￥0.11
3000+ ￥0.1056
6000+ ￥0.09944
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌JSMICRO
- 功率耗散350mW
- 阈值电压0.7~1.4V
- 原始制造商JSMicro Semiconductor, Inc
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.10 x 1.50mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss77pF
- 工作温度+150℃(TJ)
- 配置单路
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）40mΩ
- 输入电容1.05nF
- 最小包装3000
- 漏源电压(Vdss)30V
- 零件状态Active
购买数量
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AO3400
SOT-23塑料封装MOSFETS 0.35W N通道VDS=30V
品牌：TWGMC
现货库存：4304 (立即发货)
销售单价
1+￥0.23125
数量国内价格
1+ ￥0.23125
100+ ￥0.21584
300+ ￥0.20042
500+ ￥0.185
2000+ ￥0.17729
5000+ ￥0.17267
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅No
- 品牌TWGMC
- 功率耗散350mW
- 额定功率350mW
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸3.10 x 1.65mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±12V
- 反向传输电容Crss77pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）40mΩ
- 输入电容1.05nF
- 漏源电压(Vdss)30V
- 认证信息RoHS
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3400
N沟道（D-S）MOSFET 30V 5.8A 28mΩ@10V,2.9A 1.4W 900mV@250uA 77pF@15V N Channel 623pF@15V 9.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
品牌：LGE
现货库存：12190 (立即发货)
销售单价
5+￥0.306
数量国内价格
5+ ￥0.306
50+ ￥0.279
500+ ￥0.243
1000+ ￥0.216
2500+ ￥0.2034
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压33V
- 阈值电压0.9V
- 原始制造商Luguang Electronic Technology Co., Ltd.
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@10V,2.9A
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5.8A
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流1µA
- 反向传输电容Crss77pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 原产国家China
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）28mΩ
- 输入电容623pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)9.5nC@4.5V
- 零件状态Active
- 高度1.12mm
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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AO3400
N通道30-V（D-S）MOSFET 1.4W SOT23
品牌：KUU
现货库存：250 (立即发货)
销售单价
1+￥0.203
数量国内价格
1+ ￥0.203
30+ ￥0.19575
100+ ￥0.1885
500+ ￥0.174
1000+ ￥0.16675
2000+ ￥0.1624
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压30V
- 阈值电压1.4V@250μA
- 额定功率1.4W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)26.5mΩ@10V,5.7A
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度+150℃
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）25mΩ
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)10nC@4.5V
- 高度1.15mm
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
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AO3400
AO3400
品牌：GOODWORK
现货库存：12387 (立即发货)
销售单价
20+￥0.11841
数量国内价格
20+ ￥0.11841
200+ ￥0.11041
500+ ￥0.10241
1000+ ￥0.0944
3000+ ￥0.0904
6000+ ￥0.0848
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 阈值电压1.2V@250μA
- 额定功率1.5W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@10V,5.8A
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss77pF@15V
- 输入电容1.05nF@15V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 高度1.00mm
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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AO3400
N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：350mW
品牌：Hottech
现货库存：185684 (立即发货)
销售单价
20+￥0.13073
数量国内价格
20+ ￥0.13073
200+ ￥0.12213
500+ ￥0.11353
1000+ ￥0.10492
3000+ ￥0.10062
6000+ ￥0.0946
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 品牌Hottech
- 功率耗散1.4W
- 阈值电压1.4V@250µA
- 原始制造商Guangdong Hottech Co. Ltd.
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5.8A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流5.8A
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量6nC
- 配置单路
- 原产国家China
- 输入电容630pF
- 漏源电压(Vdss)30V
- 认证信息RoHS
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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AO3400
MOSFETs N-Channel SOT-23
品牌：BORN
现货库存：11460 (立即发货)
销售单价
1+￥0.18509
数量国内价格
1+ ￥0.18509
30+ ￥0.17858
100+ ￥0.16554
500+ ￥0.15251
1000+ ￥0.14599
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌BORN
- 击穿电压30V
- 阈值电压±12V
- 原始制造商BORN SEMICONDUCTOR
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@10V,5A
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5A
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压-0.6V
- 工作温度+150℃
- 原产国家China
- 输入电容545pF
- 漏源电压(Vdss)30V
- 认证信息Active
- 栅极电荷(Qg)545pF
- 零件状态在售
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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AO3400
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
品牌：VBsemi
现货库存：220 (立即发货)
销售单价
10+￥0.456
数量国内价格
10+ ￥0.456
50+ ￥0.4218
200+ ￥0.3933
600+ ￥0.3648
1500+ ￥0.342
3000+ ￥0.32775
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散1.1W
- 阈值电压2V@250µA
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5.3A
- 长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）33mΩ
- 输入电容335pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 认证信息RoHS, HF(halogen free),
- 栅极电荷(Qg)6.7nC
- 高度1.12mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
加入购物车
AO3400
N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A P=1.5W
品牌：MDD
现货库存：3355 (立即发货)
销售单价
1+￥0.12263
数量国内价格
1+ ￥0.12263
10+ ￥0.11298
30+ ￥0.11104
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌MDD
- 功率耗散1.5W
- 阈值电压1.2V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5A
- 长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流1uA
- 工作温度-50℃~+150℃
- 充电电量6.2nC
- 原产国家China
- 输入电容490pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)6.2nC
- 高度1.12mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
5+￥0.26719

属性

销售单价
20+￥0.1364

属性

销售单价
1+￥0.23125

属性

销售单价
5+￥0.306

属性

销售单价
1+￥0.203

属性

销售单价
20+￥0.11841

属性

销售单价
20+￥0.13073

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销售单价
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属性

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数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价5+￥0.26719

属性

销售单价20+￥0.1364

属性

销售单价1+￥0.23125

属性

销售单价5+￥0.306

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品牌{{ brandShow ? '收起' : '展开' }}

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属性

销售单价
5+￥0.26719

销售单价
20+￥0.1364

销售单价
1+￥0.23125

销售单价
5+￥0.306

销售单价
1+￥0.203

销售单价
20+￥0.11841

销售单价
20+￥0.13073

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