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AO3400
MOSFETs N-沟道 30V 6A SOT-23
品牌：TWTLSEMI
现货库存：320 (立即发货)
销售单价
20+￥0.08
数量国内价格
20+ ￥0.08
200+ ￥0.075
600+ ￥0.07
3000+ ￥0.065
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 功率耗散1W
- Vgs(Max)±12V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流6A
- 高度1.15mm
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3400
MOSFETs N-沟道 30V 5.8A SOT-23
品牌：Hottech
现货库存：189824 (立即发货)
销售单价
20+￥0.09832
数量国内价格
20+ ￥0.09832
200+ ￥0.09185
500+ ￥0.08538
1000+ ￥0.07891
3000+ ￥0.07568
6000+ ￥0.07115
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 漏源电流(Idss)5.8A
- 击穿电压30V
- 阈值电压1.4V@250μA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±12V
- 反向传输电容Crss50pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量6nC
- 配置单路
- Vgs(Max)±12V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
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AO3400
1个N沟道耐压:30V 电流:5.8A适用于电源开关和信号控制
品牌：GOODWORK
现货库存：31747 (立即发货)
销售单价
20+￥0.11175
数量国内价格
20+ ￥0.11175
200+ ￥0.10425
500+ ￥0.09675
1000+ ￥0.08925
3000+ ￥0.0855
6000+ ￥0.08025
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散1.5W
- 阈值电压1.2V@250μA
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss77pF@15V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 输入电容1.05nF@15V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 导通电阻(RDS(on)35mΩ@10V
- 高度1.00mm
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3400
N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A P=350mW
品牌：JSMSEMI
现货库存：59310 (立即发货)
销售单价
20+￥0.13302
数量国内价格
20+ ￥0.13302
200+ ￥0.12415
500+ ￥0.11528
1000+ ￥0.10641
3000+ ￥0.10198
6000+ ￥0.09577
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌JSMICRO
- 击穿电压30V
- 功率耗散350mW
- 阈值电压0.7~1.4V
- 原始制造商JSMicro Semiconductor, Inc
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss77pF
- 工作温度+150℃(TJ)
- 配置单路
- 输入电容1.05nF
- 最小包装3000
- 漏源电压(Vdss)30V
- 导通电阻(RDS(on)40mΩ
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3400
N通道30-V（D-S）MOSFET 1.4W SOT23
品牌：KUU
现货库存：281 (立即发货)
销售单价
1+￥0.21003
数量国内价格
1+ ￥0.21003
30+ ￥0.20253
100+ ￥0.19503
500+ ￥0.18003
1000+ ￥0.17253
2000+ ￥0.16803
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌KUU
- 击穿电压30V
- 阈值电压1.4V@250μA
- 原始制造商KUU SEMICONDUCTOR
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5.8A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度+150℃
- 充电电量11nC
- 输入电容823pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 导通电阻(RDS(on)26.5mΩ@10V,5.7A
- 栅极电荷(Qg)10nC@4.5V
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3400
N通道30-V（D-S）MOSFET 1.4W SOT23
品牌：KUU
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
20+￥0.21667
数量国内价格
20+ ￥0.21667
300+ ￥0.1699
1200+ ￥0.14396
3000+ ￥0.12321
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌KUU
- 功率耗散1.4W
- 阈值电压1.4V@250μA
- 原始制造商KUU SEMICONDUCTOR
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸2.92 x 1.60mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss77pF
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度+150℃
- 输入电容823pF
- 漏源电压(Vdss)30V
- 导通电阻(RDS(on)26.5mΩ@10V,5.7A
- 栅极电荷(Qg)10nC@4.5V
- 高度1.15mm
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3400
SOT-23塑料封装MOSFETS 0.35W N通道VDS=30V
品牌：TWGMC
现货库存：6854 (立即发货)
销售单价
10+￥0.21967
数量国内价格
10+ ￥0.21967
100+ ￥0.21637
600+ ￥0.15566
1200+ ￥0.15333
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅No
- 功率耗散350mW
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸3.10 x 1.65mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 原产国家China Taiwan
- 输入电容1.05nF
- Vgs(Max)±12V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 认证信息RoHS
- 高度1.40mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3400
N沟道（D-S）MOSFET 30V 5.8A 28mΩ@10V,2.9A 1.4W 900mV@250uA 77pF@15V N Channel 623pF@15V 9.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
品牌：LGE
现货库存：12320 (立即发货)
销售单价
5+￥0.2898
数量国内价格
5+ ￥0.2898
50+ ￥0.2628
500+ ￥0.2268
1000+ ￥0.1998
2500+ ￥0.1872
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌LGE
- 漏源电流(Idss)1µA
- 功率耗散1.4W
- 阈值电压0.9V
- 原始制造商Luguang Electronic Technology Co., Ltd.
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- Vgs(Max)±12V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)9.5nC@4.5V
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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AO3400
N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.36W
品牌：TECH PUBLIC
现货库存：8135 (立即发货)
销售单价
10+￥0.30194
数量国内价格
10+ ￥0.30194
100+ ￥0.23874
600+ ￥0.20718
1200+ ￥0.20407
3000+ ￥0.18354
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散1.36W
- 阈值电压0.9V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.02 x 1.70mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量4.8nC
- 配置单路
- 输入电容702pF
- Vgs(Max)±12V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)4.8nC
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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AO3400
MOSFETs N-Channel SOT-23
品牌：BORN
现货库存：12400 (立即发货)
销售单价
10+￥0.33378
数量国内价格
10+ ￥0.33378
100+ ￥0.32877
600+ ￥0.24766
1200+ ￥0.24395
3000+ ￥0.18731
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌BORN
- 击穿电压30V
- 阈值电压±12V
- 原始制造商BORN SEMICONDUCTOR
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5A
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压-0.6V
- 工作温度+150℃
- 原产国家China
- Vgs(Max)-0.6V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 认证信息Active
- 导通电阻(RDS(on)35mΩ@10V
- 栅极电荷(Qg)545pF
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
20+￥0.08

属性

销售单价
20+￥0.09832

属性

销售单价
20+￥0.11175

属性

销售单价
20+￥0.13302

属性

销售单价
1+￥0.21003

属性

销售单价
20+￥0.21667

属性

销售单价
10+￥0.21967

属性

销售单价
5+￥0.2898

属性

销售单价
10+￥0.30194

属性

销售单价
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属性

数量	国内价格
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数量	国内价格
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3000+	￥0.0855
6000+	￥0.08025

数量	国内价格
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500+	￥0.11528
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数量	国内价格
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30+	￥0.20253
100+	￥0.19503
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1000+	￥0.17253
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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600+	￥0.20718
1200+	￥0.20407
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数量	国内价格
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数量	国内价格
20+	￥0.21667
300+	￥0.1699
1200+	￥0.14396
3000+	￥0.12321

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价20+￥0.08

属性

销售单价20+￥0.09832

属性

销售单价20+￥0.11175

属性

销售单价20+￥0.13302

属性

销售单价1+￥0.21003

属性

销售单价20+￥0.21667

属性

销售单价10+￥0.21967

属性

销售单价5+￥0.2898

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销售单价10+￥0.30194

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销售单价10+￥0.33378

属性

品牌{{ brandShow ? '收起' : '展开' }}

封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

条款与个人信息保护政策

销售单价
20+￥0.08

销售单价
20+￥0.09832

销售单价
20+￥0.11175

销售单价
20+￥0.13302

销售单价
1+￥0.21003

销售单价
20+￥0.21667

销售单价
10+￥0.21967

销售单价
5+￥0.2898

销售单价
10+￥0.30194

销售单价
10+￥0.33378