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AO3400
1个N沟道耐压:30V 电流:5.8A适用于电源开关和信号控制
品牌：GOODWORK
现货库存：32867 (立即发货)
销售单价
20+￥0.16973
数量国内价格
20+ ￥0.16973
200+ ￥0.13739
600+ ￥0.12355
3000+ ￥0.08873
9000+ ￥0.08416
30000+ ￥0.08109
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散1.5W
- 阈值电压1.2V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss77pF@15V
- 输入电容(Ci)1.05nF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 漏源电压(Vdss)30V
- 导通电阻(RDS(on)35mΩ@10V
- 高度1.00mm
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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AO3400
N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.36W
品牌：TECH PUBLIC
现货库存：8165 (立即发货)
销售单价
10+￥0.31507
数量国内价格
10+ ￥0.31507
100+ ￥0.25172
300+ ￥0.2207
3000+ ￥0.19551
6000+ ￥0.17532
9000+ ￥0.16523
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散1.36W
- 阈值电压900mV
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸3.02 x 1.70mm
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±12V
- 输入电容(Ci)702pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- Vgs(Max)±12V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 导通电阻(RDS(on)50mΩ
- 栅极电荷(Qg)4.8nC
- 高度1.25mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3400
MOSFETs N-沟道 30V 6A SOT-23
品牌：TWTLSEMI
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
20+￥0.099
数量国内价格
20+ ￥0.099
100+ ￥0.09
500+ ￥0.084
1000+ ￥0.078
5000+ ￥0.0708
10000+ ￥0.0678
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 功率耗散1W
- Vgs(Max)±12V
- 极性N-沟道
- 漏源电压(Vdss)30V
- 连续漏极电流6A
- 高度1.15mm
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
购买数量
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AO3400
N沟道（D-S）MOSFET 30V 5.8A 28mΩ@10V,2.9A 1.4W 900mV@250uA 77pF@15V N Channel 623pF@15V 9.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
品牌：LGE
现货库存：12320 (立即发货)
销售单价
10+￥0.26573
数量国内价格
10+ ￥0.26573
100+ ￥0.21262
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 漏源电流(Idss)1µA
- 击穿电压33V
- 功率耗散1.4W
- 阈值电压900mV
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss77pF
- 栅极源极击穿电压±12V
- 输入电容(Ci)623pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- Vgs(Max)±12V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 导通电阻(RDS(on)28mΩ@10V
- 栅极电荷(Qg)9.5nC@4.5V
- 高度1.12mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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AO3400
N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A P=350mW
品牌：JSMSEMI
现货库存：59450 (立即发货)
销售单价
20+￥0.13299
数量国内价格
20+ ￥0.13299
200+ ￥0.12413
500+ ￥0.11526
1000+ ￥0.10639
3000+ ￥0.10196
6000+ ￥0.09575
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压30V
- 功率耗散350mW
- 阈值电压1.4V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸3.10 x 1.50mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss77pF
- 栅极源极击穿电压±12V
- 输入电容(Ci)1.05nF
- 工作温度+150℃(TJ)
- 漏源电压(Vdss)30V
- 导通电阻(RDS(on)40mΩ
- 高度1.10mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
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AO3400
MOSFETs N-Channel SOT-23
品牌：BORN
现货库存：12400 (立即发货)
销售单价
20+￥0.34205
数量国内价格
20+ ￥0.34205
200+ ￥0.28508
600+ ￥0.25745
3000+ ￥0.19316
9000+ ￥0.17483
21000+ ￥0.16562
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压30V
- 功率耗散1.4W
- 阈值电压12V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压-0.6V
- 输入电容(Ci)545pF
- 工作温度+150℃(TJ)
- Vgs(Max)-0.6V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 导通电阻(RDS(on)35mΩ@10V
- 栅极电荷(Qg)545pF
- 高度0.90mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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AO3400
N通道30-V（D-S）MOSFET 1.4W SOT23
品牌：KUU
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
10+￥0.23568
数量国内价格
10+ ￥0.23568
100+ ￥0.18973
300+ ￥0.16719
3000+ ￥0.14269
6000+ ￥0.12799
9000+ ￥0.12064
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压30V
- 功率耗散1.4W
- 阈值电压1.4V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸2.92 x 1.60mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss77pF
- 栅极源极击穿电压±12V
- 输入电容(Ci)823pF
- 工作温度+150℃(TJ)
- 漏源电压(Vdss)30V
- 导通电阻(RDS(on)26.5mΩ@10V,5.7A
- 栅极电荷(Qg)10nC@4.5V
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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AO3400
MOSFETs N-沟道 30V 5.8A SOT-23
品牌：Hottech
现货库存：189824 (立即发货)
销售单价
20+￥0.16179
数量国内价格
20+ ￥0.16179
200+ ￥0.12661
600+ ￥0.11144
3000+ ￥0.10036
9000+ ￥0.09543
21000+ ￥0.09207
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 漏源电流(Idss)5.8A
- 击穿电压30V
- 功率耗散1.4W
- 阈值电压1.4V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss50pF
- 栅极源极击穿电压±12V
- 输入电容(Ci)630pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- Vgs(Max)±12V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 导通电阻(RDS(on)35mΩ@10V
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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AO3400
N通道30-V（D-S）MOSFET 1.4W SOT23
品牌：KUU
现货库存：281 (立即发货)
销售单价
1+￥0.2248
数量国内价格
1+ ￥0.2248
30+ ￥0.21677
100+ ￥0.20874
500+ ￥0.19269
1000+ ￥0.18466
2000+ ￥0.17984
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压30V
- 功率耗散1.4W
- 阈值电压1.4V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流5.8A
- 长x宽/尺寸2.92 x 1.60mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss77pF
- 栅极源极击穿电压±12V
- 输入电容(Ci)823pF
- 工作温度+150℃(TJ)
- 漏源电压(Vdss)30V
- 导通电阻(RDS(on)26.5mΩ@10V,5.7A
- 栅极电荷(Qg)10nC@4.5V
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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AO3400
MOSFETs N-沟道 30V 6A SOT-23
品牌：TWTLSEMI
现货库存：520 (立即发货)
销售单价
20+￥0.0832
数量国内价格
20+ ￥0.0832
200+ ￥0.078
600+ ￥0.0728
3000+ ￥0.0676
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 功率耗散1W
- Vgs(Max)±12V
- 极性N-沟道
- 漏源电压(Vdss)30V
- 连续漏极电流6A
- 高度1.15mm
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
购买数量
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0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
20+￥0.16973

属性

销售单价
10+￥0.31507

属性

销售单价
20+￥0.099

属性

销售单价
10+￥0.26573

属性

销售单价
20+￥0.13299

属性

销售单价
20+￥0.34205

属性

销售单价
10+￥0.23568

属性

销售单价
20+￥0.16179

属性

销售单价
1+￥0.2248

属性

销售单价
20+￥0.0832

属性

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属性

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数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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100+	￥0.20874
500+	￥0.19269
1000+	￥0.18466
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价20+￥0.16973

属性

销售单价10+￥0.31507

属性

销售单价20+￥0.099

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销售单价10+￥0.26573

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销售单价20+￥0.13299

属性

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属性

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销售单价20+￥0.0832

属性

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属性

条款与个人信息保护政策

销售单价
20+￥0.16973

销售单价
10+￥0.31507

销售单价
20+￥0.099

销售单价
10+￥0.26573

销售单价
20+￥0.13299

销售单价
20+￥0.34205

销售单价
10+￥0.23568

销售单价
20+￥0.16179

销售单价
1+￥0.2248

销售单价
20+￥0.0832