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MMBTA14
达林顿三极管 NPN 30V 300mA
品牌：SK
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.0945
数量国内价格
50+ ￥0.0945
500+ ￥0.08505
5000+ ￥0.07875
10000+ ￥0.0756
30000+ ￥0.07245
50000+ ￥0.07056
属性
- 产品分类达林顿三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散300mW
- 集射极击穿电压Vce(Max)30V
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))30V
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 集电极截止电流 (Icbo)100nA@30V
- 集电极电流 Ic300mA
- 特征频率(fT)125MHz
- 高度1.10mm
- DC电流增益(hFE)10000@5V,100mA
- 类型NPN
购买数量
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MMBTA14
达林顿三极管 SOT23 NPN VCEO=30V VEBO=10V PD=300mW IC=0.3A
品牌：PJ
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.111
数量国内价格
50+ ￥0.111
500+ ￥0.0999
5000+ ￥0.0925
10000+ ￥0.0888
30000+ ￥0.0851
50000+ ￥0.08288
属性
- 产品分类达林顿三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌PJ
- 功率耗散300mW
- 集电极-基极电压（VCBO）30V
- 原始制造商Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd.
- 包装Tape/reel
- 极性NPN
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))30V
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 工作温度+150℃
- 集电极电流 Ic300mA
- 原产国家China
- 最小包装3000pcs
- 发射极与基极之间电压 VEBO10V
- 高度1.025mm
- 零件状态Active
- DC电流增益(hFE)20000
- 引脚数3Pin
购买数量
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MMBTA14-7-F
NPN 表面贴装达林顿晶体管
品牌：DIODES
现货库存：93 (立即发货)
销售单价
7+￥0.31838
数量国内价格
7+ ￥0.31838
属性
- 产品分类达林顿三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌DIODES
- 原始制造商Diodes Incorporated
- 集射极击穿电压Vce(Max)30V
- Vce饱和压降1.5V
- 包装Tape/reel
- 跃迁频率125MHz
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 工作温度-55℃~+150℃
- 集电极截止电流 (Icbo)100nA
- 集电极电流 Ic300mA
- 系列-
- 最小包装3000pcs
- 特征频率(fT)125MHz
- 零件状态Active
- DC电流增益(hFE)20000@100mA，5V
- 晶体管类型NPN-达林顿
- 类型NPN
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MMBTA14 K3D
晶体管 NPN Ic=300mA Vceo=30V fT=125MHz P=300mW
品牌：JSCJ
现货库存：6000 (立即发货)
销售单价
20+￥0.19079
数量国内价格
20+ ￥0.19079
100+ ￥0.17279
500+ ￥0.16079
1000+ ￥0.14879
5000+ ￥0.13439
10000+ ￥0.12839
属性
- 产品分类达林顿三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 特性-
- 功率耗散300mW
- 原始制造商Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd.
- 包装Tape/reel
- 集射极击穿电压Vce(Max)30V
- 跃迁频率125MHz
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 存储温度-55℃~+155℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 工作温度-55℃~+155℃
- 集电极电流 Ic300mA
- 原产国家China
- 发射极与基极之间电压 VEBO10V
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- DC电流增益(hFE)10000@10mA，5V
- 晶体管类型NPN
- 引脚数3Pin
购买数量
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MMBTA14LT1G
达林顿放大器晶体管NPN硅
品牌：ON
现货库存：988 (立即发货)
销售单价
2+￥0.28614
数量国内价格
2+ ￥0.28614
属性
- 产品分类达林顿三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散225mW
- 集电极-基极电压（VCBO）30V
- 原始制造商ON Semiconductor Inc.
- 包装Tape/reel
- 集射极击穿电压Vce(Max)30V
- Vce饱和压降1.5V
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))30V
- 跃迁频率125MHz
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 工作温度-55℃~+150℃
- 集电极截止电流 (Icbo)100nA
- 系列-
- 最小包装3000pcs
- 发射极与基极之间电压 VEBO10V
- 零件状态Active
- 晶体管类型NPN
- DC电流增益(hFE)20000@100mA，5V
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
50+￥0.0945

属性

销售单价
50+￥0.111

属性

销售单价
7+￥0.31838

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销售单价
20+￥0.19079

属性

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数量	国内价格
50+	￥0.111
500+	￥0.0999
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供应商收起

封装收起

销售单价50+￥0.0945

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销售单价50+￥0.111

属性

销售单价7+￥0.31838

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销售单价20+￥0.19079

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销售单价2+￥0.28614

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属性

销售单价
50+￥0.0945

销售单价
50+￥0.111

销售单价
7+￥0.31838

销售单价
20+￥0.19079

销售单价
2+￥0.28614