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MMBT5551-7-F
晶体管 - 双极 NPN Ic=600mA Vceo=160V hfe=50~250 fT=100MHz P=300mW SOT23-3
品牌：DIODES
现货库存：49943 (立即发货)
销售单价
10+￥0.124
数量国内价格
10+ ￥0.124
50+ ￥0.1144
200+ ￥0.1064
600+ ￥0.0984
1500+ ￥0.092
3000+ ￥0.088
属性
- 产品分类通用三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 品牌DIODES
- 功率耗散300mW
- 集射极击穿电压Vce(Max)160V
- 包装Tape/reel
- Vce饱和压降200mV
- 极性Bidirectional
- 跃迁频率100MHz
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 制造商标准提前期12 周
- 工作温度-55℃~+150℃
- 集电极截止电流 (Icbo)500nA（ICBO）
- 系列Original
- 特征频率(fT)300MHz
- 最小包装3000pcs
- DC电流增益(hFE)50
- 晶体管类型NPN
购买数量
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MMBT5551
NPN Vce(V)=5V Ic(mA)=10mA
品牌：Jingdao
现货库存：17185 (立即发货)
销售单价
5+￥0.02943
数量国内价格
5+ ￥0.02943
20+ ￥0.02889
100+ ￥0.02781
属性
- 产品分类通用三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌Jingdao
- 功率耗散300mW
- 额定功率300mW
- Vce饱和压降200mV
- 集射极击穿电压Vce(Max)160V
- 跃迁频率100MHz
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.65mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃
- 集电极-发射极电压 VCEO160V
- 集电极电流 Ic600mA
- 特征频率(fT)100MHz
- 零件状态Active
- 高度1.10mm
- 晶体管类型NPN
- DC电流增益(hFE)100~300
- 引脚数3Pin
购买数量
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MMBT5551
三极管 NPN Ic=600mA Vceo=160V hfe=30~300 P=300mW SOT23-3
品牌：BORN
现货库存：7528 (立即发货)
销售单价
20+￥0.06321
数量国内价格
20+ ￥0.06321
200+ ￥0.05891
600+ ￥0.05461
3000+ ￥0.05031
属性
- 产品分类通用三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌BORN
- 功率耗散300mW
- 额定功率300mW
- 原始制造商BORN SEMICONDUCTOR
- 包装Tape/reel
- Vce饱和压降200mV
- 集射极击穿电压Vce(Max)160V
- 跃迁频率100MHz
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃
- 集电极-发射极电压 VCEO160V
- 最小包装3000pcs
- 发射极与基极之间电压 VEBO6V
- 零件状态在售
- 高度1.00mm
- DC电流增益(hFE)100
- 晶体管类型NPN
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MMBT5551
NPN通用晶体管 VCBO=180V VCEO=160V VEBO=6V IC=0.6A SOT23
品牌：LGE
现货库存：2606 (立即发货)
销售单价
1+￥0.0759
数量国内价格
1+ ￥0.0759
30+ ￥0.07315
100+ ￥0.06765
500+ ￥0.06215
1000+ ￥0.0594
属性
- 产品分类通用三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO160V
- 额定功率350mW
- 原始制造商Luguang Electronic Technology CO.,LTD.
- 集射极击穿电压Vce(Max)160V
- 包装Tape/reel
- Vce饱和压降200mV
- 跃迁频率300MHz
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 工作温度-55℃~+150℃
- 集电极电流 Ic600mA
- 集电极-发射极电压 VCEO160V
- 原产国家China
- 特征频率(fT)100MHz
- 认证信息RoHS
- 零件状态Active
- DC电流增益(hFE)100~300
- 晶体管类型NPN
购买数量
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MMBT5551
三极管 NPN Ic=600mA Vceo=140V hfe=80~250 P=300mW SOT23
品牌：SK
现货库存：55798 (立即发货)
销售单价
20+￥0.05116
数量国内价格
20+ ￥0.05116
200+ ￥0.0479
500+ ￥0.04465
1000+ ￥0.04139
3000+ ￥0.03976
6000+ ￥0.03748
属性
- 产品分类通用三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌SK
- 功率耗散300W
- 额定功率350mW
- Vce饱和压降200mV
- 集射极击穿电压Vce(Max)160V
- 跃迁频率-
- 长x宽/尺寸2.92 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃
- 集电极-发射极电压 VCEO150mV@10mA,1mA
- 集电极电流 Ic600mA
- 高度1.10mm
- DC电流增益(hFE)80~250
- 晶体管类型NPN
- 引脚数3Pin
购买数量
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MMBT5551
品牌：DIOS
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
3000+￥0.0322
数量国内价格
3000+ ￥0.0322
6000+ ￥0.03136
属性
- 产品分类通用三极管晶体管
- 封装/外壳SOT-23
购买数量
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MMBT5551
NPN Vce(V)=5V Ic(mA)=10mA
品牌：Jingdao
现货库存：2600 (立即发货)
销售单价
50+￥0.0896
数量国内价格
50+ ￥0.0896
500+ ￥0.0682
3000+ ￥0.0563
6000+ ￥0.0492
属性
- 产品分类通用三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌Jingdao
- 功率耗散300mW
- 额定功率300mW
- 集射极击穿电压Vce(Max)160V
- Vce饱和压降200mV
- 跃迁频率100MHz
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.65mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃
- 集电极-发射极电压 VCEO160V
- 集电极电流 Ic600mA
- 特征频率(fT)100MHz
- 零件状态Active
- 高度1.10mm
- 晶体管类型NPN
- DC电流增益(hFE)100~300
- 引脚数3Pin
购买数量
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MMBT5551
塑料封装晶体管
品牌：CBI
现货库存：610 (立即发货)
销售单价
20+￥0.05115
数量国内价格
20+ ￥0.05115
200+ ￥0.04785
500+ ￥0.04455
1000+ ￥0.04125
3000+ ￥0.0396
6000+ ￥0.03729
属性
- 产品分类通用三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散300mW
- 集电极-基极电压（VCBO）180V
- 额定功率300mW
- 原始制造商China Base Electronics Technology Co.,Ltd.
- 包装Tape/reel
- Vce饱和压降0.2V
- 集射极击穿电压Vce(Max)160V
- 跃迁频率100MHz
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃
- 集电极-发射极电压 VCEO160V
- 集电极电流 Ic600mA
- 原产国家China
- 特征频率(fT)100MHz
- 发射极与基极之间电压 VEBO6V
- 零件状态Active
- 高度1.40mm
- DC电流增益(hFE)100~300
- 晶体管类型NPN
购买数量
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MMBT5551
通用三极管 50nA 160V 250mW 80@10mA,5V 600mA 100MHz 200mV@50mA,5mA -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
品牌：JSMSEMI
现货库存：235770 (立即发货)
销售单价
50+￥0.0352
数量国内价格
50+ ￥0.0352
200+ ￥0.033
600+ ￥0.0308
2000+ ￥0.0286
5000+ ￥0.0264
10000+ ￥0.02486
属性
- 产品分类通用三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌JSMICRO
- 原始制造商JSMICRO SEMICONDUCTOR
- Vce饱和压降200mV
- 包装Tape/reel
- 集射极击穿电压Vce(Max)160V
- 跃迁频率100MHz
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.10 x 1.50mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 工作温度-55℃~+150℃
- 集电极-发射极电压 VCEO160V
- 集电极电流 Ic600mA
- 配置单路
- 原产国家America
- 发射极与基极之间电压 VEBO6V
- 零件状态Active
- 晶体管类型NPN
- DC电流增益(hFE)100~300
购买数量
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MMBT5551
通用三极管 NPN SOT23-3 VCEO=160V IC=600mA
品牌：GOODWORK
现货库存：26132 (立即发货)
销售单价
1+￥0.04072
数量国内价格
1+ ￥0.04072
100+ ￥0.03815
300+ ￥0.03559
500+ ￥0.03302
2000+ ￥0.03174
5000+ ￥0.03097
属性
- 产品分类通用三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌Goodwork
- 功率耗散300mW
- 集射极击穿电压Vce(Max)160V
- Vce饱和压降300mV
- 包装Tape/reel
- 极性NPN
- 跃迁频率100MHz
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 工作温度+150℃
- 集电极电流 Ic600mA
- 最小包装3000pcs
- 发射极与基极之间电压 VEBO5V
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型NPN
- DC电流增益(hFE)10
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
10+￥0.124

属性

销售单价
5+￥0.02943

属性

销售单价
20+￥0.06321

属性

销售单价
1+￥0.0759

属性

销售单价
20+￥0.05116

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销售单价
3000+￥0.0322

属性

销售单价
50+￥0.0896

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销售单价
20+￥0.05115

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销售单价
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销售单价
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属性

数量	国内价格
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数量	国内价格
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2000+	￥0.03174
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价10+￥0.124

属性

销售单价5+￥0.02943

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销售单价
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销售单价
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