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IRF4905PBF
MOSFETs P-沟道 55V 74A TO-220AB
品牌：Infineon
现货库存：38999 (立即发货)
销售单价
1+￥2.67284
数量国内价格
1+ ￥2.67284
10+ ￥2.52036
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型插件
- 漏源电流(Idss)74A
- 技术路线MOSFET (Metal Oxide)
- 阈值电压4V
- 原始制造商Infineon Technologies AG
- 包装Tube packing
- 连续漏极电流74A
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）10V
- 存储温度-55℃~+175℃
- 长x宽/尺寸10.67 x 4.83mm
- 封装/外壳TO-220AB
- 工作温度-55℃~+175℃(TJ)
- 充电电量180nC
- 配置单路
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)55V
- 栅极电荷(Qg)180nC
- 晶体管类型P沟道
- 类型1个P沟道
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IRF4905PBF
MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=9.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V TO-220-3
品牌：VBsemi
现货库存：97 (立即发货)
销售单价
1+￥7.73443
数量国内价格
1+ ￥7.73443
10+ ￥6.498
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型插件
- 是否无铅Yes
- 功率耗散3.1W
- 包装Tube packing
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流9.2A
- 长x宽/尺寸10.51 x 4.65mm
- 封装/外壳TO-220-3
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)3.5nF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- 最小包装50pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 认证信息RoHS
- 导通电阻(RDS(on)26mΩ
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度19.31mm
- 晶体管类型MOSFET
- 引脚数3Pin
购买数量
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IRF4905PBF-VB
MOSFETs P-沟道 60V 50A TO-220AB
品牌：VBsemi
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
1+￥7.71225
数量国内价格
1+ ￥7.71225
10+ ￥7.27155
30+ ￥6.39015
100+ ￥5.7291
500+ ￥5.2884
1000+ ￥4.97991
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型插件
- 功率耗散104.2W
- 阈值电压3V
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流50A
- 长x宽/尺寸10.51 x 4.65mm
- 封装/外壳TO-220AB
- 反向传输电容Crss290pF
- 输入电容(Ci)3.7nF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 漏源电压(Vdss)60V
- 高度19.31mm
- 引脚数3Pin
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销售单价
1+￥2.67284

属性

销售单价
1+￥7.73443

属性

销售单价
1+￥7.71225

属性

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属性

数量	国内价格
1+	￥7.71225
10+	￥7.27155
30+	￥6.39015
100+	￥5.7291
500+	￥5.2884
1000+	￥4.97991

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供应商收起

封装收起

销售单价1+￥2.67284

属性

销售单价1+￥7.73443

属性

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属性

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属性

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