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IRF4905PBF
MOSFETs P-沟道 55V 74A TO-220AB
品牌：Infineon
现货库存：38595 (立即发货)
销售单价
1+￥3.4692
数量国内价格
1+ ￥3.4692
10+ ￥2.9498
50+ ￥2.6558
250+ ￥2.352
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型插件
- 漏源电流(Idss)74A
- 击穿电压55V
- 阈值电压4V@250µA
- 包装Tube packing
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流74A
- 封装/外壳TO-220AB
- 制造商标准提前期14 周
- 工作温度-55℃~+175℃(TJ)
- 配置单路
- 系列HEXFET®
- 原产国家Germany
- 输入电容3.4nF
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装50pcs
- 漏源电压(Vdss)55V
- 栅极电荷(Qg)180nC
- 晶体管类型P沟道
购买数量
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IRF4905PBF
MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=9.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V TO-220-3
品牌：VBsemi
现货库存：97 (立即发货)
销售单价
1+￥7.73443
数量国内价格
1+ ￥7.73443
10+ ￥6.498
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型插件
- 是否无铅Yes
- 功率耗散3.1W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)26mΩ
- 包装Tube packing
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流9.2A
- 封装/外壳TO-220-3
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- 输入电容3.5nF
- 最小包装50pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度19.31mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型MOSFET
- 引脚数3Pin
购买数量
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IRF4905PBF-VB
MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=9.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V TO-220-3
品牌：VBsemi
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
1+￥7.19775
数量国内价格
1+ ￥7.19775
10+ ￥6.78645
30+ ￥5.96385
100+ ￥5.3469
500+ ￥4.9356
1000+ ￥4.64769
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型插件
- 是否无铅Yes
- 功率耗散3.1W
- 原始制造商VBsemi Electronics Co. Ltd
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)26mΩ
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流9.2A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳TO-220-3
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- 原产国家China Taiwan
- 漏源电压(Vdss)60V
- 认证信息RoHS
- 高度19.31mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型MOSFET
- 引脚数3Pin
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
1+￥3.4692

属性

销售单价
1+￥7.73443

属性

销售单价
1+￥7.19775

属性

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属性

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1+	￥7.19775
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30+	￥5.96385
100+	￥5.3469
500+	￥4.9356
1000+	￥4.64769

数量	国内价格
1+	￥3.4692
10+	￥2.9498
50+	￥2.6558
250+	￥2.352

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价1+￥3.4692

属性

销售单价1+￥7.73443

属性

销售单价1+￥7.19775

属性

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属性

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1+￥3.4692

销售单价
1+￥7.73443

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1+￥7.19775