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FDG6303N
数字FET，双N沟道 VDS=25V ID=0.5A PD=0.3W SOT363
品牌：ON
现货库存：1141 (立即发货)
销售单价
5+￥0.7365
数量国内价格
5+ ￥0.7365
20+ ￥0.669
100+ ￥0.6015
500+ ￥0.534
1000+ ￥0.5025
2000+ ￥0.48
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 击穿电压25V
- 阈值电压1.5V@250µA
- 原始制造商ON Semiconductor Inc.
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流1.5A
- 封装/外壳SOT-363
- 元件生命周期Active
- 制造商标准提前期9 周
- 工作温度-55℃~+150℃
- 系列-
- 输入电容50pF
- FET功能逻辑电平门
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)25V
- 栅极电荷(Qg)2.3nC@4.5V
- 高度1.10mm
- 晶体管类型2个N沟道(双)
- 引脚数6Pin
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FDG6303N
MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.3A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT363
品牌：VBsemi
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
1+￥1.0848
数量国内价格
1+ ￥1.0848
10+ ￥1.017
50+ ￥0.9153
150+ ￥0.8475
300+ ￥0.80004
500+ ￥0.7797
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌VBsemi
- 阈值电压2V@250µA
- 原始制造商VBsemi Electronics Co. Ltd
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流2.3A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-363
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- 原产国家China Taiwan
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）86mΩ
- 输入电容-
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)20V
- 栅极电荷(Qg)5nC
- 零件状态Active
- 晶体管类型MOSFET
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封装收起

销售单价
5+￥0.7365

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销售单价
1+￥1.0848

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数量	国内价格
1+	￥1.0848
10+	￥1.017
50+	￥0.9153
150+	￥0.8475
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500+	￥0.7797

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封装收起

销售单价5+￥0.7365

属性

销售单价1+￥1.0848

属性

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属性

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