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DTC144EE
数字晶体管 50V 30mA SOT-523
品牌：DIOS
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
20+￥0.062
数量国内价格
20+ ￥0.062
200+ ￥0.058
500+ ￥0.054
1000+ ￥0.05
3000+ ￥0.048
6000+ ￥0.0452
属性
- 产品分类数字晶体管晶体管
- 封装/外壳SOT-523
- 安装类型SMT
- 集电极电流 Ic30mA
- 集射极击穿电压Vce(Max)50V
- 高度0.90mm
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸1.60 x 0.80mm
购买数量
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DTC144EE
SOT523 30mA 150mW
品牌：CBI
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
10+￥0.0768
数量国内价格
10+ ￥0.0768
50+ ￥0.07104
200+ ￥0.06624
600+ ￥0.06144
1500+ ￥0.0576
3000+ ￥0.0552
属性
- 产品分类带预偏置三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌CBI
- 功率耗散150mW
- 原始制造商China Base Electronics Technology Co.,Ltd.
- 包装Tape/reel
- 极性NPN
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))50V
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸1.70 x 0.90mm
- 封装/外壳SOT-523-3
- 元件生命周期Active
- 工作温度+150℃
- 集电极电流 Ic30mA
- 原产国家China
- 最小包装3000pcs
- 零件状态Active
- 高度0.90mm
- DC电流增益(hFE)68
- 晶体管类型NPN
- 引脚数3Pin
购买数量
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DTC144EE
带预偏置三极管 SOT523 NPN Vcc=50V Io=100mA
品牌：YANGJIE
现货库存：230 (立即发货)
销售单价
20+￥0.20298
数量国内价格
20+ ￥0.20298
300+ ￥0.16547
1200+ ￥0.16299
3000+ ￥0.1581
属性
- 产品分类带预偏置三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散150mW
- 原始制造商Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
- 集射极击穿电压Vce(Max)50V
- 包装Tape/reel
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-
- 输入电压500mV@100μA,5V
- 电压-输出300mV@10mA,0.5mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-523-3
- 电阻器比率1
- 工作温度+150℃
- 集电极电流 Ic100mA
- 原产国家China
- 输入电阻47kΩ
- 高度0.80mm
- 零件状态Active
- DC电流增益(hFE)68
- 晶体管类型1个NPN-预偏置
购买数量
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LDTC144EET1G
偏置电阻晶体管带有单片偏置电阻网络的NPN硅表面安装晶体管
品牌：LRC
现货库存：3000 (立即发货)
销售单价
1+￥0.0938
数量国内价格
1+ ￥0.0938
30+ ￥0.09045
100+ ￥0.0871
500+ ￥0.0804
1000+ ￥0.07705
2000+ ￥0.07504
属性
- 产品分类带预偏置三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌LRC
- 功率耗散200mW
- 集电极-基极电压（VCBO）50V
- 集射极击穿电压Vce(Max)50V
- 包装Tape/reel
- 极性NPN
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))50V
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸1.60 x 0.85mm
- 封装/外壳SC89
- 电阻器比率1
- 元件生命周期Active
- 工作温度-55℃~+150℃
- 集电极电流 Ic100mA
- 原产国家China
- 最小包装3000pcs
- 高度0.80mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
购买数量
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DTC144EETL
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
品牌：ROHM
现货库存：1170 (立即发货)
销售单价
10+￥0.17371
数量国内价格
10+ ￥0.17371
100+ ￥0.1711
600+ ￥0.11299
属性
- 产品分类带预偏置三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 品牌Rohm
- 原始制造商Rohm Co.,Ltd.
- 额定功率150mW
- 基射极电阻（R2）47k
- Vce饱和压降300mV
- 集射极击穿电压Vce(Max)50V
- 包装剪切带（CT） ,带卷（TR）
- 跃迁频率250MHz
- 长x宽/尺寸1.60 x 0.80mm
- 封装/外壳SOT416
- 电阻器比率1
- 制造商标准提前期10 周
- 工作温度-40℃~+150℃
- 集电极电流 Ic100mA
- 原产国家Japan
- 高度0.80mm
- 晶体管类型NPN
- DC电流增益(hFE)68
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供应商收起

封装收起

销售单价
20+￥0.062

属性

销售单价
10+￥0.0768

属性

销售单价
20+￥0.20298

属性

销售单价
1+￥0.0938

属性

销售单价
10+￥0.17371

属性

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属性

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500+	￥0.054
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数量	国内价格
20+	￥0.20298
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价20+￥0.062

属性

销售单价10+￥0.0768

属性

销售单价20+￥0.20298

属性

销售单价1+￥0.0938

属性

销售单价10+￥0.17371

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属性

销售单价
20+￥0.062

销售单价
10+￥0.0768

销售单价
20+￥0.20298

销售单价
1+￥0.0938

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