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DTC114EE
SOT-523 100mA NPN 150mW 带预偏置三极管
品牌：SK
现货库存：1920 (立即发货)
销售单价
5+￥0.10067
数量国内价格
5+ ￥0.10067
20+ ￥0.09132
100+ ￥0.08196
500+ ￥0.07261
1000+ ￥0.06824
2000+ ￥0.06512
属性
- 产品分类通用三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌SK
- 功率耗散150mW
- 原始制造商Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd.
- 额定功率150mW
- 集射极击穿电压Vce(Max)50V
- 包装Tape/reel
- Vce饱和压降300mV
- 极性NPN
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))50V
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-523-3
- 工作温度+150℃(TJ)
- 集电极电流 Ic100mA
- 发射极与基极之间电压 VEBO5V
- 零件状态Active
- 高度0.90mm
- DC电流增益(hFE)30
- 晶体管类型NPN
- 引脚数3Pin
购买数量
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DTC114EE
SOT523 100mA 150mW
品牌：CBI
现货库存：3 (立即发货)
销售单价
10+￥0.08
数量国内价格
10+ ￥0.08
50+ ￥0.074
200+ ￥0.069
600+ ￥0.064
1500+ ￥0.06
3000+ ￥0.0575
属性
- 产品分类带预偏置三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 额定功率150mW
- 原始制造商China Base Electronics Technology Co.,Ltd.
- 包装Tape/reel
- Vce饱和压降300mV
- 集射极击穿电压Vce(Max)50V
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))50V
- 跃迁频率250MHz
- 长x宽/尺寸1.70 x 0.90mm
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-523-3
- 元件生命周期Active
- 工作温度+150℃
- 集电极电流 Ic100mA
- 原产国家China
- 最小包装3000pcs
- 认证信息RoHS
- 零件状态Active
- DC电流增益(hFE)30
购买数量
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DTC114EE
带预偏置三极管 SOT523 NPN Ic=100mA P=150mW
品牌：Slkor
现货库存：3000 (立即发货)
销售单价
1+￥0.0924
数量国内价格
1+ ￥0.0924
30+ ￥0.0891
100+ ￥0.0858
500+ ￥0.0792
1000+ ￥0.0759
2000+ ￥0.07392
属性
- 产品分类带预偏置三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌Slkor
- 集射极击穿电压Vce(Max)50V
- 包装Tape/reel
- Vce饱和压降300mV
- 极性NPN
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))50V
- 跃迁频率250MHz
- 输入电压3V@10mA,0.3V
- 封装/外壳SOT-523-3
- 电阻器比率1
- 元件生命周期Active
- 工作温度-55℃~+150℃
- 集电极电流 Ic100mA
- 最小包装3000pcs
- 输入电阻10kΩ
- 高度0.90mm
- 晶体管类型1个NPN-预偏置
- DC电流增益(hFE)30
- 引脚数3Pin
购买数量
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DTC114EE
带预偏置三极管 SOT523 NPN Io=100mA P=150mW
品牌：YANGJIE
现货库存：6000 (立即发货)
销售单价
50+￥0.09875
数量国内价格
50+ ￥0.09875
500+ ￥0.08937
5000+ ￥0.08313
10000+ ￥0.08
30000+ ￥0.07687
50000+ ￥0.075
属性
- 产品分类带预偏置三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌YANGJIE
- 功率耗散150mW
- 原始制造商Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
- 集射极击穿电压Vce(Max)50V
- 包装Tape/reel
- 电压-输出300mV@10mA,0.5mA
- 输入电压500mV@100μA,5V
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸1.70 x 0.85mm
- 封装/外壳SOT-523-3
- 电阻器比率1
- 工作温度+150℃
- 集电极电流 Ic100mA
- 原产国家China
- 输入电阻10kΩ
- 零件状态Active
- DC电流增益(hFE)30
- 晶体管类型1个NPN-预偏置
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DTC114EETL
带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=30 P=150mW SOT416
品牌：ROHM
现货库存：31512 (立即发货)
销售单价
20+￥0.16824
数量国内价格
20+ ￥0.16824
300+ ￥0.13057
1200+ ￥0.12861
3000+ ￥0.12475
属性
- 产品分类带预偏置三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 集电极电流Ic（最大值）50mA
- Vce饱和值300mV
- 基极电阻（R1）10KΩ
- 包装Tape/reel
- 集射极击穿电压Vce(Max)50V
- Vce饱和压降300mV
- 基射极电阻（R2）10KΩ
- 极性NPN
- 跃迁频率250MHz
- 封装/外壳SOT416
- 工作温度+150℃
- 供应商器件封装EMT3
- 功率（最大值）150mW
- DC电流增益(hFE)(Min&Range)30@5mA，5V
- 零件状态Active
- 集射极击穿电压（最大值）50V
- DC电流增益(hFE)30
- 晶体管类型NPN
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LDTC114EET1G
具有单片偏置电阻网络的NPN硅表面安装晶体管
品牌：LRC
现货库存：732 (立即发货)
销售单价
20+￥0.11541
数量国内价格
20+ ￥0.11541
300+ ￥0.07617
1200+ ￥0.07503
3000+ ￥0.0678
属性
- 产品分类带预偏置三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌LRC
- 原始制造商Leshan Radio Co., Ltd.
- 集电极-基极电压（VCBO）50V
- 集射极击穿电压Vce(Max)50V
- Vce饱和压降0.25V
- 包装Tape/reel
- 极性NPN
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))50V
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸1.60 x 0.85mm
- 封装/外壳SC89
- 电阻器比率1
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 系列-
- 原产国家China
- 输入电阻10KΩ
- 零件状态Active
- 高度0.80mm
- DC电流增益(hFE)60
购买数量
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DTC114EET1G
带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=300mW SOT416
品牌：ON
现货库存：525 (立即发货)
销售单价
5+￥0.18361
数量国内价格
5+ ￥0.18361
20+ ￥0.16741
100+ ￥0.15121
500+ ￥0.13501
1000+ ￥0.12745
2000+ ￥0.12205
属性
- 产品分类带预偏置三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 包装Tape/reel
- 基射极电阻（R2）10k
- Vce饱和压降250mV
- 集射极击穿电压Vce(Max)50V
- 跃迁频率-
- 印字代码8A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸1.60 x 0.80mm
- 封装/外壳SC-75(SOT-416)
- 工作温度-55℃~+150℃
- 集电极截止电流 (Icbo)500nA
- 配置单路
- 系列-
- 原产国家America
- 最小包装3000pcs
- 零件状态Active
- DC电流增益(hFE)35
- 晶体管类型NPN
- 引脚数3Pin
购买数量
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
5+￥0.10067

属性

销售单价
10+￥0.08

属性

销售单价
1+￥0.0924

属性

销售单价
50+￥0.09875

属性

销售单价
20+￥0.16824

属性

销售单价
20+￥0.11541

属性

销售单价
5+￥0.18361

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属性

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数量	国内价格
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数量	国内价格
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价5+￥0.10067

属性

销售单价10+￥0.08

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销售单价1+￥0.0924

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销售单价50+￥0.09875

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销售单价20+￥0.16824

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