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FM24CL64B-GTR
FRAM存储器 SOIC8_150MIL 1MHz 64kb
品牌：CYPRESS
现货库存：6134 (立即发货)
销售单价
1+￥5.49632
数量国内价格
1+ ￥5.49632
10+ ￥5.31552
100+ ￥4.8816
500+ ￥4.66464
属性
- 产品分类其他存储器存储器
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOIC8_150MIL
- 品牌CYPRESS
- 最大时钟频率1MHz
- 存储容量64Kbit
- 高度1.72mm
- 引脚数8Pin
- 长x宽/尺寸4.90 x 3.90mm
购买数量
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FM25CL64B-GTR
FRAM存储器 2.7~3.65V 64KB 20MHz SOIC8_150MIL
品牌：CYPRESS
现货库存：4250 (立即发货)
销售单价
1+￥5.5822
数量国内价格
1+ ￥5.5822
10+ ￥5.39858
100+ ￥4.95788
500+ ￥4.73752
属性
- 产品分类FRAM存储器存储器
- 安装类型SMT
- 工作电压（范围）2.7V~3.65V
- 品牌CYPRESS
- 技术FRAM（铁电体RAM）
- 存储器格式FRAM
- 存储容量64Kbit
- 原始制造商Cypress Semiconductor
- 包装Tape/Reel
- 存储温度-55~+125℃
- 封装/外壳SOIC8_150MIL
- 元件生命周期Active
- 工作温度-40℃~+85℃
- 系列-
- 原产国家China
- 最大时钟频率20MHz
- 接口类型SPI
- 存储器类型非易失
- 最小包装2500pcs
- 高度1.72mm
- 工作电流（Max）-
购买数量
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UCD1V101MCL6GS
贴片铝电解电容 SMD,D6.3xL7.7mm 100µF ±20% 35V 2000Hrs@105℃
品牌：Nichicon
现货库存：8710 (立即发货)
销售单价
5+￥0.70849
数量国内价格
5+ ￥0.70849
20+ ￥0.64845
100+ ￥0.5884
500+ ￥0.52836
1000+ ￥0.50034
2000+ ￥0.48033
属性
- 产品分类贴片铝电解电容电容器
- 安装类型SMT
- 特性-
- 卷盘尺寸Φ382mm
- 精度±20%
- 不同温度时的使用寿命2000Hrs@105℃
- 容值100μF
- 包装Tape/Reel
- 长x宽/尺寸Φ6.30 x 7.70mm
- 存储温度-55℃~+105℃
- 封装/外壳SMD,D6.3xL7.7mm
- 等级AEC-Q200
- 工作温度-55℃~+105℃
- 脚间距2.20mm
- 额定电压35V
- 纹波电流290mA
- 等效串联电阻-
- 最小包装900pcs
- 认证信息RoHS
- 耗散因数0.12
- 引脚数2Pin
购买数量
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PT67-21C/L606/TR8(GDB)
晶体管类型：NPN 集射极击穿电-Vceo：30V 集电极电流-Ic：20mA 峰值波长：940nm 集电极暗电流：500nA
品牌：Everlight
现货库存：6896 (立即发货)
销售单价
5+￥0.54399
数量国内价格
5+ ￥0.54399
20+ ￥0.49299
100+ ￥0.44199
500+ ￥0.39099
1000+ ￥0.36719
2000+ ￥0.35019
属性
- 产品分类光敏三极管光电器件
- 安装类型SMT
- 品牌Everlight
- 功率75mW
- 集电极电流Ic（最大值）20mA
- 原始制造商Everlight Electronics Co Ltd
- 包装Tape/Reel
- 主波长940nm
- 长x宽/尺寸3.10 x 2.80mm
- 封装/外壳SMD3528
- 元件生命周期Active
- LED灯数1
- 工作温度-25℃~+85℃
- 峰值波长940nm
- 原产国家China Taiwan
- 电流-暗（Id）（最大值）100nA
- 最小包装2000pcs
- 集射极击穿电压（最大值）30V
- 高度1.90mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型NPN
购买数量
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BCL65S10D3
沟道类型N，SIC DIODE管，Vds=650V, ID(A)@150℃=10A,DFN8*8封装,贴片安装
品牌：Bestirpower
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
1+￥3.7485
数量国内价格
1+ ￥3.7485
10+ ￥3.4935
30+ ￥3.4425
属性
- 产品分类碳化硅二极管二极管
- 反向漏电流IR2μA@650V
- 安装类型SMT
- 封装/外壳DFN8_8X8MM
- 工作温度-55℃~+175℃(TJ)
- 反向耐压VR650V
- 平均整流电流10A
- 高度0.75mm
- 正向压降VF1.45V@10A
- 引脚数8Pin
- 长x宽/尺寸-
购买数量
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BCL65S08D3
沟道类型N，SIC DIODE管，Vds=650V, ID(A)@150℃=8A,DFN8*8封装,贴片安装
品牌：Bestirpower
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
1+￥3.0814
数量国内价格
1+ ￥3.0814
10+ ￥2.8644
30+ ￥2.821
属性
- 产品分类碳化硅二极管二极管
- 封装/外壳DFN8_8X8MM
- 反向漏电流IR2μA@650V
- 安装类型SMT
- 工作温度-55℃~+175℃(TJ)
- 反向耐压VR650V
- 平均整流电流8A
- 高度0.75mm
- 正向压降VF1.45V@8A
- 引脚数8Pin
- 长x宽/尺寸-
购买数量
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FM24CL64B-G
64 Kbit（8K×8）串行（I2C）F-RAM
品牌：CYPRESS
现货库存：5 (立即发货)
销售单价
1+￥24.99425
数量国内价格
1+ ￥24.99425
10+ ￥24.06854
100+ ￥21.2914
500+ ￥20.73597
属性
- 产品分类FRAM存储器存储器
- 工作电压（范围）2.7V~3.65V
- 湿气敏感性等级 (MSL)3（168 小时）
- 安装类型SMT
- 是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 品牌CYPRESS
- 技术FRAM（铁电体RAM）
- 存储器格式FRAM
- 存储容量64Kbit
- 原始制造商Cypress Semiconductor
- 包装Tube packing
- 存储温度-65℃~+150℃
- 长x宽/尺寸4.90 x 3.90mm
- 封装/外壳SOIC8_150MIL
- 元件生命周期Active
- 存取时间550ns
- 最大时钟频率1MHz
- 速度1MHz
- 接口类型I2C
- 存储器类型非易失
- 引脚数8Pin
购买数量
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0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
1+￥5.49632

属性

销售单价
1+￥5.5822

属性

销售单价
5+￥0.70849

属性

销售单价
5+￥0.54399

属性

销售单价
1+￥3.7485

属性

销售单价
1+￥3.0814

属性

销售单价
1+￥24.99425

属性

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属性

数量	国内价格
5+	￥0.70849
20+	￥0.64845
100+	￥0.5884
500+	￥0.52836
1000+	￥0.50034
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数量	国内价格
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数量	国内价格
1+	￥5.49632
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数量	国内价格
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数量	国内价格
1+	￥3.7485
10+	￥3.4935
30+	￥3.4425

数量	国内价格
1+	￥3.0814
10+	￥2.8644
30+	￥2.821

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价1+￥5.49632

属性

销售单价1+￥5.5822

属性

销售单价5+￥0.70849

属性

销售单价5+￥0.54399

属性

销售单价1+￥3.7485

属性

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销售单价1+￥24.99425

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属性

销售单价
1+￥5.49632

销售单价
1+￥5.5822

销售单价
5+￥0.70849

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5+￥0.54399

销售单价
1+￥3.7485

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