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BSS138
VDSS（DS最小反向击穿电压）:50V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
品牌：MDD
现货库存：28645 (立即发货)
销售单价
10+￥0.05966
数量国内价格
10+ ￥0.05966
50+ ￥0.05498
200+ ￥0.05108
600+ ￥0.04719
1500+ ￥0.04407
3000+ ￥0.04212
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-23
- 品牌MDD
- 配置单路
- 最小包装3000pcs
- 包装Tape/reel
- 漏源电压(Vdss)50V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流500mA
- 高度1.40mm
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.50mm
购买数量
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BSS138
MOSFETs N-Channel SOT23-3 Vds=50V Vgss=±20V Id=220mA Pd=350mW
品牌：GOODWORK
现货库存：2860 (立即发货)
销售单价
20+￥0.06162
数量国内价格
20+ ￥0.06162
200+ ￥0.05756
500+ ￥0.05351
1000+ ￥0.04946
3000+ ￥0.04743
6000+ ￥0.04459
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 阈值电压1.5V@1mA
- 额定功率350mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5Ω@10V,0.22A
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流220mA
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT23-3
- 反向传输电容Crss6pF@25V
- 输入电容27pF@25V
- 漏源电压(Vdss)50V
- 高度1.10mm
- 类型1个N沟道
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BSS138
MOSFETs SOT23 VDS=50V ID=340mA
品牌：YANGJIE
现货库存：76771 (立即发货)
销售单价
20+￥0.07614
数量国内价格
20+ ￥0.07614
200+ ￥0.07144
500+ ￥0.06674
1000+ ￥0.06204
3000+ ￥0.05969
6000+ ￥0.0564
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌YANGJIE
- 功率耗散350mW
- 阈值电压1.2V
- 原始制造商Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
- 额定功率360mW
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 漏极电流1µA
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）2.5Ω
- 原产国家China
- 漏源电压(Vdss)50V
- 栅极电荷(Qg)1.7nC
- 类型1个N沟道
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BSS138
SOT23 225mW
品牌：Slkor
现货库存：42093 (立即发货)
销售单价
20+￥0.0729
数量国内价格
20+ ￥0.0729
200+ ￥0.0684
500+ ￥0.0639
1000+ ￥0.0594
3000+ ￥0.05715
6000+ ￥0.054
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌Slkor
- 击穿电压50V
- 阈值电压1.6V@1mA
- 额定功率225mW
- 原始制造商Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流220mA
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度+150℃(TJ)
- 配置单路
- 输入电容50pF@25V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)50V
- 栅极电荷(Qg)-
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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BSS138
SOT23 360mW
品牌：HUASHUO
现货库存：1725 (立即发货)
销售单价
5+￥0.09265
数量国内价格
5+ ￥0.09265
20+ ￥0.09095
100+ ￥0.08755
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压50V
- 功率耗散360mW
- 阈值电压1.5V@250μA
- 额定功率230mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.4Ω@10V,220mA
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流230mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 工作温度-55℃~+150℃
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）3.4Ω
- 输入电容26pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)50V
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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BSS138
MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=3.5Ω@5V SOT23
品牌：SK
现货库存：76188 (立即发货)
销售单价
20+￥0.08485
数量国内价格
20+ ￥0.08485
200+ ￥0.07945
500+ ￥0.07404
1000+ ￥0.06864
3000+ ￥0.06594
6000+ ￥0.06215
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 功率耗散-
- 击穿电压50V
- 阈值电压1.5V@1mA
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流200mA
- 长x宽/尺寸2.92 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流220mA
- 栅极源极击穿电压±20V
- 配置单路
- 原产国家China Taiwan
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）3.5Ω
- 漏源电压(Vdss)50V
- 认证信息RoHS
- 高度1.11mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
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BSS138
MOSFETs SOT23-3 N-Channel VDSS=50V ID=220mA
品牌：JSCJ
现货库存：14882 (立即发货)
销售单价
20+￥0.0912
数量国内价格
20+ ￥0.0912
200+ ￥0.0852
500+ ￥0.0792
1000+ ￥0.0732
3000+ ￥0.0702
6000+ ￥0.066
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌JSCJ
- 阈值电压1.5V
- 原始制造商Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd.
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流220mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss6pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）3.5Ω
- 原产国家China
- 输入电容27pF
- 应用等级Industrial
- 漏源电压(Vdss)50V
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
- 应用Consumer, Industrial,
购买数量
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BSS138
品牌：OTHER
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
1+￥0.17052
数量国内价格
1+ ￥0.17052
100+ ￥0.15915
300+ ￥0.14778
500+ ￥0.13641
2000+ ￥0.13073
5000+ ￥0.12732
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
购买数量
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BSS138
MOSFETs N-Channel SOT23-3 Vdss=50V Vgss=±20V Pd=360mW
品牌：ON
现货库存：8702 (立即发货)
销售单价
10+￥0.21139
数量国内价格
10+ ￥0.21139
50+ ￥0.19459
200+ ￥0.18059
600+ ￥0.1666
1500+ ￥0.1554
3000+ ￥0.1484
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 技术路线MOSFET (Metal Oxide)
- 阈值电压1.3V
- 原始制造商ON Semiconductor Inc.
- 额定功率350mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5Ω@10V,220mA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流220mA
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）3.5欧姆@220mA，10V
- FET功能-
- 漏源电压(Vdss)50V
- 栅极电荷(Qg)2.4nC
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
购买数量
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BSS138
SOT23 360mW
品牌：JSMSEMI
现货库存：6747 (立即发货)
销售单价
20+￥0.08835
数量国内价格
20+ ￥0.08835
200+ ￥0.08265
500+ ￥0.07695
1000+ ￥0.07125
3000+ ￥0.0684
6000+ ￥0.06441
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散360mW
- 击穿电压50V
- 原始制造商JSMicro Semiconductor, Inc
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流220mA
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss6pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）3.5Ω
- 原产国家America
- 输入电容27pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)50V
- 栅极电荷(Qg)2.4nC
- 高度1.20mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
购买数量
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0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
10+￥0.05966

属性

销售单价
20+￥0.06162

属性

销售单价
20+￥0.07614

属性

销售单价
20+￥0.0729

属性

销售单价
5+￥0.09265

属性

销售单价
20+￥0.08485

属性

销售单价
20+￥0.0912

属性

销售单价
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销售单价
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属性

销售单价
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属性

数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价10+￥0.05966

属性

销售单价20+￥0.06162

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销售单价20+￥0.08835

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属性

销售单价
10+￥0.05966

销售单价
20+￥0.06162

销售单价
20+￥0.07614

销售单价
20+￥0.0729

销售单价
5+￥0.09265

销售单价
20+￥0.08485

销售单价
20+￥0.0912

销售单价
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销售单价
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