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BSS138
MOSFETs N-Channel SOT23-3 Vdss=50V Vgss=±20V Pd=360mW
品牌：ON
现货库存：10732 (立即发货)
销售单价
10+￥0.29231
数量国内价格
10+ ￥0.29231
100+ ￥0.24339
600+ ￥0.21898
1200+ ￥0.21679
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 阈值电压1.3V
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流220mA
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）4.5V，10V
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 制造商标准提前期8 周
- 反向传输电容Crss6pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 充电电量1.7nC
- 配置单路
- 系列-
- 原产国家America
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)50V
- 栅极电荷(Qg)2.4nC
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
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BSS138
品牌：OTHER
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
1+￥0.17052
数量国内价格
1+ ￥0.17052
100+ ￥0.15915
300+ ￥0.14778
500+ ￥0.13641
2000+ ￥0.13073
5000+ ￥0.12732
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
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BSS138
MOSFETs SOT23 VDS=50V ID=340mA
品牌：YANGJIE
现货库存：85511 (立即发货)
销售单价
50+￥0.1143
数量国内价格
50+ ￥0.1143
600+ ￥0.09216
1200+ ￥0.09124
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 击穿电压50V
- 阈值电压1.2V
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.5Ω@10V,300mA
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流340mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流1µA
- 反向传输电容Crss1.78pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 充电电量1.7nC
- 输入电容28.5pF
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)50V
- 栅极电荷(Qg)1.7nC
- 高度1.15mm
- 引脚数3Pin
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BSS138
MOSFETs N-Channel SOT23-3 Vds=50V Vgss=±20V Id=220mA Pd=350mW
品牌：GOODWORK
现货库存：5320 (立即发货)
销售单价
50+￥0.07022
数量国内价格
50+ ￥0.07022
600+ ￥0.05692
1200+ ￥0.05635
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 阈值电压1.5V@1mA
- 额定功率350mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5Ω@10V,0.22A
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流220mA
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT23-3
- 反向传输电容Crss6pF@25V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 输入电容27pF@25V
- 漏源电压(Vdss)50V
- 高度1.10mm
- 类型1个N沟道
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BSS138
MOSFETs SOT23-3 N-Channel VDSS=50V ID=220mA
品牌：JSCJ
现货库存：22537 (立即发货)
销售单价
20+￥0.1296
数量国内价格
20+ ￥0.1296
300+ ￥0.1007
1200+ ￥0.08467
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 功率耗散350mW
- 击穿电压50V
- 阈值电压1.5V
- 额定功率360mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5Ω@10V,220mA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流220mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)50V
- 零件状态Active
- 类型1个N沟道
- 应用Consumer, Industrial,
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BSS138W
这是一款 N 沟道增强型 MOSFET。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。BSS138W 尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。
品牌：ON
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
5+￥0.76637
数量国内价格
5+ ￥0.76637
50+ ￥0.6048
600+ ￥0.54034
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 功率耗散340mW
- 阈值电压1.5V@1mA
- 包装剪切带（CT） ,带卷（TR）
- 极性1个N沟道
- 连续漏极电流210mA
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）4.5V，10V
- 长x宽/尺寸2.22 x 1.37mm
- 封装/外壳SOT-323
- 制造商标准提前期6 周
- 工作温度-55℃~+150℃
- 系列-
- 输入电容38pF
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)50V
- 栅极电荷(Qg)1.1nC@10V
- 零件状态在售
- 晶体管类型N沟道
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BSS138K
SOT23-3 350mW
品牌：ON
现货库存：6 (立即发货)
销售单价
1+￥2.50439
数量国内价格
1+ ￥2.50439
10+ ￥2.40579
100+ ￥2.11
500+ ￥2.05084
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌ON
- 技术路线MOSFET (Metal Oxide)
- 阈值电压1.2V@250µA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流220mA
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流220mA
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- FET功能-
- Vgs(Max)±12V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)50V
- 栅极电荷(Qg)2.4nC
- 高度1.11mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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BSS138
带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
品牌：ElecSuper
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.04926
数量国内价格
50+ ￥0.04926
500+ ￥0.04433
3000+ ￥0.04039
6000+ ￥0.03891
24000+ ￥0.03744
51000+ ￥0.03645
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss2.2pF
- 输入电容25pF
- 额定功率300mW
- 漏源电压(Vdss)50V
- 极性N沟道
- 连续漏极电流300mA
购买数量
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BSS138
SOT23 360mW
品牌：JSMSEMI
现货库存：6747 (立即发货)
销售单价
20+￥0.08835
数量国内价格
20+ ￥0.08835
200+ ￥0.08265
500+ ￥0.07695
1000+ ￥0.07125
3000+ ￥0.0684
6000+ ￥0.06441
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌JSMICRO
- 原始制造商JSMicro Semiconductor, Inc
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5Ω
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流220mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 充电电量1.7nC
- 原产国家America
- 输入电容27pF
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)50V
- 栅极电荷(Qg)2.4nC
- 零件状态Active
- 高度1.20mm
购买数量
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BSS138
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
品牌：VBsemi
现货库存：495 (立即发货)
销售单价
5+￥0.289
数量国内价格
5+ ￥0.289
20+ ￥0.2635
100+ ￥0.238
500+ ￥0.2125
1000+ ￥0.2006
2000+ ￥0.1921
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌VBsemi
- 功率耗散300mW
- 阈值电压2.5V@250µA
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流250mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss2pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 充电电量0.4nC
- 配置单路
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)0.6nC
- 零件状态Active
- 高度1.12mm
- 晶体管类型MOSFET
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
10+￥0.29231

属性

销售单价
1+￥0.17052

属性

销售单价
50+￥0.1143

属性

销售单价
50+￥0.07022

属性

销售单价
20+￥0.1296

属性

销售单价
5+￥0.76637

属性

销售单价
1+￥2.50439

属性

销售单价
50+￥0.04926

属性

销售单价
20+￥0.08835

属性

销售单价
5+￥0.289

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属性

数量	国内价格
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100+	￥0.15915
300+	￥0.14778
500+	￥0.13641
2000+	￥0.13073
5000+	￥0.12732

数量	国内价格
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500+	￥0.04433
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51000+	￥0.03645

数量	国内价格
20+	￥0.08835
200+	￥0.08265
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数量	国内价格
5+	￥0.289
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数量	国内价格
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数量	国内价格
20+	￥0.1296
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价10+￥0.29231

属性

销售单价1+￥0.17052

属性

销售单价50+￥0.1143

属性

销售单价50+￥0.07022

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属性

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销售单价5+￥0.289

属性

品牌{{ brandShow ? '收起' : '展开' }}

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属性

销售单价
10+￥0.29231

销售单价
1+￥0.17052

销售单价
50+￥0.1143

销售单价
50+￥0.07022

销售单价
20+￥0.1296

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5+￥0.76637

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1+￥2.50439

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销售单价
20+￥0.08835

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