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BSN20
MOSFETs N-沟道 50V 300mA SOT-23
品牌：Slkor
现货库存：19094 (立即发货)
销售单价
50+￥0.09561
数量国内价格
50+ ￥0.09561
600+ ￥0.07778
1200+ ￥0.07661
3000+ ￥0.06523
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压50V
- 原始制造商Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
- 额定功率350mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3Ω@20V,0.3A
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流300mA
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss6.5pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 充电电量1.7nC
- 原产国家China
- 输入电容17.5pF
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)50V
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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BSN20
MOSFETs N-沟道 50V 100mA SOT-23
品牌：SK
现货库存：21620 (立即发货)
销售单价
20+￥0.15345
数量国内价格
20+ ￥0.15345
100+ ￥0.1395
500+ ￥0.1302
1000+ ￥0.1209
5000+ ￥0.10974
10000+ ￥0.10509
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 漏源电流(Idss)100mA
- 功率耗散-
- 阈值电压1.5V@1mA
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5Ω@5V,200mA
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流100mA
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 配置单路
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)50V
- 高度1.11mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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BSN20
MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=173mA RDS(ON)=15Ω SOT23
品牌：YENJI
现货库存：1262 (立即发货)
销售单价
1+￥0.2275
数量国内价格
1+ ￥0.2275
10+ ￥0.2145
30+ ￥0.1885
100+ ￥0.169
500+ ￥0.156
1000+ ￥0.1469
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 功率耗散830mW
- 阈值电压1.8V@1mA
- 额定功率830mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15Ω
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流173mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度+150℃(TJ)
- 配置单路
- 原产国家China Taiwan
- 输入电容25pF
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)50V
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 类型N沟道
购买数量
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BSN20
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
品牌：VBsemi
现货库存：810 (立即发货)
销售单价
10+￥0.32898
数量国内价格
10+ ￥0.32898
100+ ￥0.26459
600+ ￥0.23245
1200+ ￥0.22896
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌VBsemi
- 击穿电压60V
- 阈值电压2.5V@250µA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流250mA
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)0.6nC
- 高度1.12mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
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BSN20-7
MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=500mA RDS(ON)=1.8Ω@10V SOT23
品牌：DIODES
现货库存：28109 (立即发货)
销售单价
5+￥0.51636
数量国内价格
5+ ￥0.51636
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 是否无铅Yes
- 阈值电压1V
- 原始制造商Diodes Incorporated
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流500mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 制造商标准提前期8 周
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 充电电量0.8nC
- 配置单路
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)50V
- 栅极电荷(Qg)0.8nC@10V
- 高度1.10mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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BSN20-7
MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=500mA RDS(ON)=1.8Ω@10V SOT23
品牌：DIODES
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
10+￥0.4
数量国内价格
10+ ￥0.4
100+ ￥0.35
300+ ￥0.3
3000+ ￥0.24
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 击穿电压50V
- 阈值电压1V
- 原始制造商Diodes Incorporated
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流500mA
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss3.3pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 充电电量0.8nC
- 配置单路
- 系列-
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)50V
- 栅极电荷(Qg)0.8nC@10V
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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BSN20BKR
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=265mA RDS(ON)=2.8Ω SOT23
品牌：Nexperia
现货库存：30025 (立即发货)
销售单价
10+￥0.4255
数量国内价格
10+ ￥0.4255
50+ ￥0.40601
200+ ￥0.38977
600+ ￥0.37353
1500+ ￥0.36054
3000+ ￥0.35242
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 漏源电流(Idss)265mA
- 击穿电压60V
- 阈值电压1.4V@250μA
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.8Ω@200mA,10V
- 包装Tape/reel
- 印字代码%4S
- 连续漏极电流265mA
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- 原产国家America
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 认证信息RoHS
- 栅极电荷(Qg)0.49nC
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
50+￥0.09561

属性

销售单价
20+￥0.15345

属性

销售单价
1+￥0.2275

属性

销售单价
10+￥0.32898

属性

销售单价
5+￥0.51636

属性

销售单价
10+￥0.4

属性

销售单价
10+￥0.4255

属性

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属性

数量	国内价格
20+	￥0.15345
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500+	￥0.1302
1000+	￥0.1209
5000+	￥0.10974
10000+	￥0.10509

数量	国内价格
1+	￥0.2275
10+	￥0.2145
30+	￥0.1885
100+	￥0.169
500+	￥0.156
1000+	￥0.1469

数量	国内价格
10+	￥0.4255
50+	￥0.40601
200+	￥0.38977
600+	￥0.37353
1500+	￥0.36054
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数量	国内价格
50+	￥0.09561
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3000+	￥0.06523

数量	国内价格
10+	￥0.32898
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600+	￥0.23245
1200+	￥0.22896

数量	国内价格
10+	￥0.4
100+	￥0.35
300+	￥0.3
3000+	￥0.24

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价50+￥0.09561

属性

销售单价20+￥0.15345

属性

销售单价1+￥0.2275

属性

销售单价10+￥0.32898

属性

销售单价5+￥0.51636

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销售单价10+￥0.4

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销售单价
50+￥0.09561

销售单价
20+￥0.15345

销售单价
1+￥0.2275

销售单价
10+￥0.32898

销售单价
5+￥0.51636

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销售单价
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