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BSN20
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
品牌：VBsemi
现货库存：400 (立即发货)
销售单价
1+￥0.272
数量国内价格
1+ ￥0.272
10+ ￥0.255
50+ ￥0.2295
150+ ￥0.2125
300+ ￥0.2006
500+ ￥0.1955
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 品牌VBsemi
- 功率耗散300mW
- 阈值电压2.5V@250µA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流250mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.05 x 1.65mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 充电电量0.4nC
- 配置单路
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)0.6nC
- 高度1.12mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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BSN20
MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=173mA RDS(ON)=15Ω SOT23
品牌：YENJI
现货库存：1132 (立即发货)
销售单价
1+￥0.2145
数量国内价格
1+ ￥0.2145
10+ ￥0.195
30+ ￥0.182
100+ ￥0.1625
500+ ￥0.1534
1000+ ￥0.1469
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 击穿电压50V
- 功率耗散830mW
- 阈值电压1.8V@1mA
- 原始制造商Yenji Electronics Co., Ltd.
- 额定功率830mW
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流173mA
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度+150℃(TJ)
- 配置单路
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）15Ω
- 原产国家China Taiwan
- 漏源电压(Vdss)50V
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 类型N沟道
购买数量
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BSN20
MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=1.3Ω SOT23
品牌：Slkor
现货库存：18409 (立即发货)
销售单价
5+￥0.07972
数量国内价格
5+ ￥0.07972
20+ ￥0.07333
100+ ￥0.06694
500+ ￥0.06054
1000+ ￥0.05756
2000+ ￥0.05543
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压50V
- 原始制造商Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3Ω@20V,0.3A
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流300mA
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss6.5pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 充电电量1.7nC
- 原产国家China
- 输入电容17.5pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)50V
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
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BSN20
MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=100mA RDS(ON)=3.5Ω SOT23
品牌：SK
现货库存：21411 (立即发货)
销售单价
1+￥0.16501
数量国内价格
1+ ￥0.16501
100+ ￥0.15401
300+ ￥0.14301
500+ ￥0.13201
2000+ ￥0.12651
5000+ ￥0.12321
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压50V
- 功率耗散-
- 阈值电压1.5V@1mA
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5Ω@5V,200mA
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流100mA
- 长x宽/尺寸2.92 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 漏极电流100mA
- 栅极源极击穿电压±20V
- 配置单路
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）3.5Ω
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)50V
- 高度1.11mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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BSN20-7
MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=500mA RDS(ON)=1.8Ω@10V SOT23
品牌：DIODES
现货库存：21324 (立即发货)
销售单价
20+￥0.32092
数量国内价格
20+ ￥0.32092
200+ ￥0.30135
500+ ￥0.28178
1000+ ￥0.26221
3000+ ￥0.25243
6000+ ￥0.23873
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 击穿电压50V
- 阈值电压1V
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流500mA
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）4.5V，10V
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss3.3pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 充电电量0.8nC
- 配置单路
- 系列-
- FET功能-
- 漏源电压(Vdss)50V
- 栅极电荷(Qg)0.8nC@10V
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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BSN20BKR
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=265mA RDS(ON)=2.8Ω SOT23
品牌：Nexperia
现货库存：28656 (立即发货)
销售单价
10+￥0.26116
数量国内价格
10+ ￥0.26116
50+ ￥0.24165
200+ ￥0.22539
600+ ￥0.20913
1500+ ￥0.19613
3000+ ￥0.188
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压60V
- 阈值电压1.4V@250µA
- 包装Tape/reel
- 印字代码%4S
- 连续漏极电流265mA
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流265mA
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- 系列-
- 原产国家America
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）2.8欧姆@200mA，10V
- FET功能-
- 漏源电压(Vdss)60V
- 认证信息RoHS
- 栅极电荷(Qg)0.49nC
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
1+￥0.272

属性

销售单价
1+￥0.2145

属性

销售单价
5+￥0.07972

属性

销售单价
1+￥0.16501

属性

销售单价
20+￥0.32092

属性

销售单价
10+￥0.26116

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数量	国内价格
1+	￥0.272
10+	￥0.255
50+	￥0.2295
150+	￥0.2125
300+	￥0.2006
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数量	国内价格
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数量	国内价格
5+	￥0.07972
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品牌收起

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销售单价1+￥0.272

属性

销售单价1+￥0.2145

属性

销售单价5+￥0.07972

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销售单价
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销售单价
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