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BSN20
MOSFETs N-沟道 50V 100mA SOT-23
品牌：SK
现货库存：40400 (立即发货)
销售单价
20+￥0.16335
数量国内价格
20+ ￥0.16335
100+ ￥0.1485
500+ ￥0.1386
1000+ ￥0.1287
5000+ ￥0.11682
10000+ ￥0.11187
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 漏源电流(Idss)100mA
- 击穿电压50V
- 功率耗散-
- 阈值电压1.5V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流100mA
- 长x宽/尺寸2.92 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)40pF
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)50V
- 导通电阻(RDS(on)3.5Ω@5V,200mA
- 高度1.11mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
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BSN20
MOSFETs N-沟道 50V 300mA SOT-23
品牌：Slkor
现货库存：25524 (立即发货)
销售单价
20+￥0.13249
数量国内价格
20+ ￥0.13249
200+ ￥0.10826
600+ ￥0.09501
3000+ ￥0.07215
9000+ ￥0.06461
21000+ ￥0.06051
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 击穿电压50V
- 功率耗散350mW
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流300mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss6.5pF
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)17.5pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)50V
- 导通电阻(RDS(on)3Ω@20V,0.3A
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
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BSN20
MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=173mA RDS(ON)=15Ω SOT23
品牌：YENJI
现货库存：1262 (立即发货)
销售单价
1+￥0.2275
数量国内价格
1+ ￥0.2275
10+ ￥0.2145
30+ ￥0.1885
100+ ￥0.169
500+ ￥0.156
1000+ ￥0.1469
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压50V
- 功率耗散830mW
- 阈值电压1.8V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流173mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)25pF
- 工作温度+150℃(TJ)
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)50V
- 导通电阻(RDS(on)15Ω
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 类型N沟道
购买数量
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BSN20
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
品牌：VBsemi
现货库存：810 (立即发货)
销售单价
10+￥0.32898
数量国内价格
10+ ￥0.32898
100+ ￥0.26459
600+ ￥0.23245
1200+ ￥0.22896
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压60V
- 功率耗散300mW
- 阈值电压2.5V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流250mA
- 长x宽/尺寸3.05 x 1.65mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss2pF
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)25pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)3.1Ω
- 栅极电荷(Qg)0.6nC
- 高度1.12mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
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BSN20-7
MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=500mA RDS(ON)=1.8Ω@10V SOT23
品牌：DIODES
现货库存：32966 (立即发货)
销售单价
20+￥1.20131
数量国内价格
20+ ￥1.20131
200+ ￥1.12221
500+ ￥1.04311
1000+ ￥0.96401
3000+ ￥0.92446
6000+ ￥0.86909
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 击穿电压50V
- 功率耗散600mW
- 阈值电压1V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流500mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss3.3pF
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)40pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 系列-
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)50V
- 导通电阻(RDS(on)1.8Ω@10V
- 栅极电荷(Qg)0.8nC@10V
- 高度1.10mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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BSN20-VB
MOSFETs N-沟道 60V 250mA SOT-23
品牌：VBsemi
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
10+￥0.2635
数量国内价格
10+ ￥0.2635
100+ ￥0.2465
500+ ￥0.2295
2000+ ￥0.204
5000+ ￥0.1955
10000+ ￥0.1904
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散300mW
- 阈值电压2.5V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流250mA
- 长x宽/尺寸3.05 x 1.65mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss2pF
- 输入电容(Ci)25pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)2.8Ω@10V
- 栅极电荷(Qg)400pC
- 高度1.12mm
- 引脚数3Pin
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BSN20BKR
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=265mA RDS(ON)=2.8Ω SOT23
品牌：Nexperia
现货库存：30025 (立即发货)
销售单价
10+￥0.21763
数量国内价格
10+ ￥0.21763
100+ ￥0.17334
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 漏源电流(Idss)265mA
- 击穿电压60V
- 功率耗散310mW
- 阈值电压1.4V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流265mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss2pF
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)20.2pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 系列-
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)2.8Ω@10V
- 栅极电荷(Qg)0.49nC
- 高度1.10mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
20+￥0.16335

属性

销售单价
20+￥0.13249

属性

销售单价
1+￥0.2275

属性

销售单价
10+￥0.32898

属性

销售单价
20+￥1.20131

属性

销售单价
10+￥0.2635

属性

销售单价
10+￥0.21763

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属性

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100+	￥0.1485
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5000+	￥0.11682
10000+	￥0.11187

数量	国内价格
20+	￥0.13249
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数量	国内价格
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价20+￥0.16335

属性

销售单价20+￥0.13249

属性

销售单价1+￥0.2275

属性

销售单价10+￥0.32898

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销售单价20+￥1.20131

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销售单价10+￥0.21763

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属性

条款与个人信息保护政策

销售单价
20+￥0.16335

销售单价
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销售单价
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