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BCP53-16
SOT223 1A 100MHz 1.5W
品牌：Slkor
现货库存：835 (立即发货)
销售单价
5+￥0.23171
数量国内价格
5+ ￥0.23171
20+ ￥0.22785
100+ ￥0.22013
属性
- 产品分类通用三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散1.5W
- 原始制造商Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
- 集电极-基极电压（VCBO）100V
- 包装Tape/reel
- Vce饱和压降500mV
- 极性PNP
- 跃迁频率100MHz
- 集射极击穿电压Vceo80V
- 集射极饱和电压(VCE(sat))80V
- 封装/外壳SOT-223
- 元件生命周期Active
- 工作温度-65℃~+150℃
- 特征频率(fT)100MHz
- 最小包装2500pcs
- 发射极与基极之间电压 VEBO5V
- 零件状态Active
- DC电流增益(hFE)100
- 晶体管类型PNP
- 引脚数4Pin
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BCP53-16
PNP Ic=-1A Vceo=-80V hfe=100~250 P=1.5W SOT-223
品牌：JSCJ
现货库存：4202 (立即发货)
销售单价
10+￥0.40631
数量国内价格
10+ ￥0.40631
100+ ￥0.32997
属性
- 产品分类通用三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌JSCJ
- 功率耗散1.5W
- 原始制造商Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd
- 跃迁频率100MHz
- 集射极击穿电压Vceo80V
- 集射极饱和电压(VCE(sat))80V
- 长x宽/尺寸6.30 x 3.50mm
- 封装/外壳SOT-223
- 元件生命周期Active
- 工作温度-65℃~+150℃
- 集电极电流 Ic1A
- 原产国家China
- 高度1.60mm
- 零件状态Active
- DC电流增益(hFE)100
- 晶体管类型PNP
- 引脚数4Pin
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BCP53-16
SOT223 1A 50MHz
品牌：ST
现货库存：1 (立即发货)
销售单价
5+￥2.842
数量国内价格
5+ ￥2.842
50+ ￥2.81358
200+ ￥2.75731
400+ ￥2.67459
1000+ ￥2.56761
属性
- 产品分类通用三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 功率耗散1.6W
- 原始制造商STMicroelectronics
- Vce饱和压降500mV
- 包装Tape/reel
- 跃迁频率50MHz
- 集射极击穿电压Vceo80V
- 封装/外壳SOT-223
- 元件生命周期Active
- 工作温度+150℃(TJ)
- 集电极截止电流 (Icbo)100nA
- 系列-
- 原产国家Switzerland
- 最小包装1000pcs
- 特征频率(fT)50MHz
- 零件状态Active
- 高度1.80mm
- DC电流增益(hFE)100
- 晶体管类型PNP
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BCP53-16,135
通用三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=100~250 P=1.35W SOT223
品牌：Nexperia
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
0+￥0
数量国内价格
0+ ￥0
属性
- 产品分类通用三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌Nexperia
- 原始制造商Nexperia Semiconductor Co., Ltd.
- 集电极-基极电压（VCBO）100V
- 包装Tape/reel
- Vce饱和压降500mV
- 跃迁频率145MHz
- 集射极击穿电压Vceo80V
- 存储温度-65℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-223
- 制造商标准提前期20 周
- 工作温度+150℃
- 集电极截止电流 (Icbo)100nA
- 配置单路
- 系列-
- 原产国家America
- 发射极与基极之间电压 VEBO5V
- DC电流增益(hFE)100~250
- 晶体管类型PNP
- 引脚数4Pin
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BCP53-16,115
通用三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=100~250 P=1.35W SOT223
品牌：Nexperia
现货库存：2667 (立即发货)
销售单价
1+￥3.6358
数量国内价格
1+ ￥3.6358
10+ ￥2.9106
30+ ￥2.548
100+ ￥2.1952
属性
- 产品分类通用三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 功率耗散1.35W
- 集电极-基极电压（VCBO）100V
- Vce饱和压降500mV
- 包装Tape/reel
- 跃迁频率145MHz
- 集射极击穿电压Vceo80V
- 集射极饱和电压(VCE(sat))80V
- 存储温度-65℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-223
- 制造商标准提前期20 周
- 工作温度+150℃
- 集电极电流 Ic1A
- 配置单路
- 系列-
- 发射极与基极之间电压 VEBO5V
- 零件状态Active
- 晶体管类型PNP
- DC电流增益(hFE)100~250
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BCP53F
BCP53-16T/SOT223/SC-73
品牌：Nexperia
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
0+￥0
数量国内价格
0+ ￥0
属性
- 产品分类通用三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 品牌Nexperia
- 功率耗散650mW
- Vce饱和压降500mV
- 集射极击穿电压Vceo80V
- 跃迁频率145MHz
- 集射极饱和电压(VCE(sat))80V
- 长x宽/尺寸6.50 x 3.50mm
- 封装/外壳SOT-223
- 工作温度+150℃
- 集电极电流 Ic1A
- 高度1.60mm
- DC电流增益(hFE)63
- 晶体管类型PNP
- 引脚数4Pin
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BCP53-10TX
通用三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=63~160 P=1.8W SOT223
品牌：Nexperia
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
0+￥0
数量国内价格
0+ ￥0
属性
- 产品分类通用三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌Nexperia
- 集电极-基极电压（VCBO）100V
- 原始制造商Nexperia Semiconductor Co., Ltd.
- 包装Tape/reel
- Vce饱和压降500mV
- 跃迁频率140MHz
- 集射极击穿电压Vceo80V
- 存储温度-65℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-223
- 制造商标准提前期20 周
- 工作温度+150℃
- 配置单路
- 系列Automotive,AEC-Q101
- 原产国家America
- 零件状态Active
- 高度1.80mm
- DC电流增益(hFE)63~160
- 晶体管类型PNP
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BCP53-10TF
三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=63~160 P=600mW SOT223
品牌：Nexperia
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
0+￥0
数量国内价格
0+ ￥0
属性
- 产品分类通用三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌Nexperia
- 功率耗散1.8W
- 集电极-基极电压（VCBO）100V
- 原始制造商Nexperia Semiconductor Co., Ltd.
- 包装Tape/reel
- Vce饱和压降500mV
- 极性PNP
- 集射极击穿电压Vceo80V
- 跃迁频率140MHz
- 存储温度-65℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-223
- 工作温度+150℃
- 集电极电流 Ic1A
- 配置单路
- 发射极与基极之间电压 VEBO5V
- 零件状态Active
- 晶体管类型PNP
- DC电流增益(hFE)63~160
- 引脚数4Pin
购买数量
加入购物车
BCP53-10,115
通用三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=63~160 P=1.35W SOT223
品牌：Nexperia
现货库存：496 (立即发货)
销售单价
10+￥0.49941
数量国内价格
10+ ￥0.49941
100+ ￥0.40543
属性
- 产品分类通用三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 是否无铅Yes
- 功率耗散1.35W
- 原始制造商Nexperia Semiconductor Co., Ltd.
- 包装Tape/reel
- Vce饱和压降500mV
- 跃迁频率145MHz
- 集射极击穿电压Vceo80V
- 集射极饱和电压(VCE(sat))80V
- 存储温度-65℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-223
- 工作温度+150℃
- 集电极电流 Ic1A
- 配置单路
- 原产国家America
- 发射极与基极之间电压 VEBO5V
- 晶体管类型PNP
- DC电流增益(hFE)63~160
- 引脚数4Pin
购买数量
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BCP53-10HX
通用三极管 PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=63~160 P=725mW SOT223
品牌：Nexperia
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
0+￥0
数量国内价格
0+ ￥0
属性
- 产品分类通用三极管晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 功率耗散2.2W
- Vce饱和压降500mV
- 包装Tape/reel
- 极性PNP
- 跃迁频率140MHz
- 集射极击穿电压Vceo80V
- 集射极饱和电压(VCE(sat))80V
- 长x宽/尺寸6.50 x 3.50mm
- 存储温度-65℃~+175℃
- 封装/外壳SOT-223
- 工作温度+175℃
- 配置单路
- 最小包装1000pcs
- 发射极与基极之间电压 VEBO7V
- 零件状态Active
- 晶体管类型PNP
- DC电流增益(hFE)63~160
- 引脚数4Pin
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
5+￥0.23171

属性

销售单价
10+￥0.40631

属性

销售单价
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销售单价
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销售单价
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属性

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数量	国内价格
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数量	国内价格
10+	￥0.40631
100+	￥0.32997

数量	国内价格
1+	￥3.6358
10+	￥2.9106
30+	￥2.548
100+	￥2.1952

数量	国内价格
10+	￥0.49941
100+	￥0.40543

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价5+￥0.23171

属性

销售单价10+￥0.40631

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销售单价5+￥2.842

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销售单价0+￥0

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销售单价1+￥3.6358

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销售单价10+￥0.49941

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条款与个人信息保护政策

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5+￥0.23171

销售单价
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销售单价
5+￥2.842

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