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BAS116LYL
二极管配置：独立式功率：610mW 直流反向耐压(Vr)：85V 平均整流电流(Io)：325mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA
品牌：Nexperia
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
0+￥0
数量国内价格
0+ ￥0
属性
- 产品分类开关二极管（小信号）二极管
- 二极管配置单路
- 安装类型SMT
- 正向电流325mA
- 原始制造商Nexperia Semiconductor Co., Ltd.
- 包装Tape/Reel
- 印字代码J6
- 正向压降VF1.25V
- 反向漏电流IR5nA
- 封装/外壳DFN1006-2
- 工作温度-55℃~+150℃
- 原产国家China
- 二极管类型标准
- 反向峰值电压（最大值）85V
- 反向耐压VR85V
- Ifsm - 正向浪涌峰值电流4A
- 平均整流电流325mA
- 功率耗散（最大值）610mW
- 反向恢复时间(trr)3µs
- 正向压降VF Max1V
- 零件状态Active
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BAS116LP3-7
整流二极管 85V 0.62 x 0.32mm SMT X3-DFN0603-2 215mA
品牌：DIODES
现货库存：200 (立即发货)
销售单价
10+￥0.41136
数量国内价格
10+ ￥0.41136
50+ ￥0.38051
200+ ￥0.3548
600+ ￥0.32909
1500+ ￥0.30852
3000+ ￥0.29566
属性
- 产品分类肖特基二极管二极管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 是否无铅Yes
- 品牌DIODES
- 参考重量0.2mg
- 包装Tape/Reel
- 正向压降VF1.15V
- 长x宽/尺寸0.62 x 0.32mm
- 反向漏电流IR10nA
- 封装/外壳X3-DFN0603-2
- 元件生命周期Active
- 制造商标准提前期16 周
- 原产国家America
- 反向峰值电压（最大值）85V
- 反向耐压VR85V
- 平均整流电流215mA
- 工作温度-结-65°C~150°C
- 反向恢复时间(trr)3µs
- 高度0.30mm
- 零件状态Active
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LBAS116LT1G
表面贴装低漏二极管 85V -65℃~+150℃@(Tj) Single 1V 3000ns 0.005uA 215mA SOT-23
品牌：LRC
现货库存：480 (立即发货)
销售单价
1+￥0.0868
数量国内价格
1+ ￥0.0868
30+ ￥0.0837
100+ ￥0.0806
500+ ￥0.0744
1000+ ￥0.0713
2000+ ￥0.06944
属性
- 产品分类开关二极管（小信号）二极管
- 二极管配置独立式
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 总电容C2pF
- 包装Tape/Reel
- 正向压降VF1V
- 封装/外壳SOT-23
- 反向漏电流IR5nA
- 元件生命周期Active
- 工作温度-65℃~+150℃
- 原产国家China
- 反向峰值电压（最大值）85V
- 应用等级AEC-Q101
- 反向耐压VR85V
- Ifsm - 正向浪涌峰值电流4A
- 平均整流电流215mA
- 最小包装3000pcs
- 功率耗散（最大值）150mW
- 反向恢复时间(trr)3µs
- 零件状态Active
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BAS116LPH4-7B
开关二极管（小信号） 85V 1.00 x 0.60mm SMT X2-DFN1006 4A
品牌：DIODES
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
0+￥0
数量国内价格
0+ ￥0
属性
- 产品分类开关二极管（小信号）二极管
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 安装类型SMT
- 二极管配置单路
- 是否无铅No
- 品牌DIODES
- 包装Tape/Reel
- 正向压降VF1.25V
- 反向漏电流IR5nA
- 封装/外壳X2-DFN1006-2
- 工作温度-55℃~+150℃
- 速度标准恢复>500ns，>200mA（Io）
- 二极管类型标准
- 反向峰值电压（最大值）85V
- 反向耐压VR85V
- 平均整流电流215mA
- 功率耗散（最大值）300mW
- 工作温度-结-55°C~150°C
- 认证信息AEC-Q101, RoHS
- 反向恢复时间(trr)3µs
- 零件状态Active
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100+	￥0.0806
500+	￥0.0744
1000+	￥0.0713
2000+	￥0.06944

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