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AO3402
30V N沟道MOSFET SOT23 VDS=30V ID=4A PD=1.4W
品牌：AOS
现货库存：6956 (立即发货)
销售单价
1+￥0.497
数量国内价格
1+ ￥0.497
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 阈值电压1.4V@250µA
- 原始制造商Alpha and Omega Semiconductor
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流4A
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）2.5V，10V
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流4A
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 输入电容390pF@15V
- FET功能-
- Vgs(Max)±12V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)4.34nC
- 晶体管类型N沟道
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AO3402
MOSFETs N通道增强模式MOSFET VDS=30V ID=4.2A SC59
品牌：SK
现货库存：3055 (立即发货)
销售单价
5+￥0.26565
数量国内价格
5+ ￥0.26565
20+ ￥0.2409
100+ ￥0.21615
500+ ￥0.1914
1000+ ￥0.17985
2000+ ￥0.1716
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 击穿电压30V
- 功率耗散-
- 阈值电压2.5V@250µA
- 原始制造商SHIKUES
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)60mΩ
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流4.2A
- 封装/外壳SC59
- 漏极电流4.2A
- 栅极源极击穿电压±12V
- 充电电量8.5nC
- 配置单路
- 原产国家China Taiwan
- Vgs(Max)±12V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 认证信息RoHS
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
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AO3402
1个N沟道耐压:30V 电流:4A适用于电源开关和信号控制
品牌：GOODWORK
现货库存：1080 (立即发货)
销售单价
20+￥0.14391
数量国内价格
20+ ￥0.14391
300+ ￥0.11336
1200+ ￥0.09644
3000+ ￥0.07783
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 阈值电压1.4V@250μA
- 额定功率1.2W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)55mΩ@10V,4A
- 极性1个N沟道
- 连续漏极电流4A
- 击穿电流41pF
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss41pF@15V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 输入电容390pF
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)4.34nC@4.5V
- 类型1个N沟道
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AO3402
SOT23 N沟道MOSFETS VDS=30V ID=4A PD=0.35W
品牌：TWGMC
现货库存：2992 (立即发货)
销售单价
1+￥0.2416
数量国内价格
1+ ￥0.2416
100+ ￥0.2256
300+ ￥0.2096
500+ ￥0.1936
2000+ ￥0.1856
5000+ ￥0.1808
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌TWGMC
- 击穿电压30V
- 功率耗散350mW
- 额定功率350mW
- 原始制造商Twgmc Electronics Co., Ltd.
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)83mΩ
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流4A
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss41pF
- 工作温度+150℃
- 原产国家China Taiwan
- 输入电容390pF
- Vgs(Max)±12V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3402
低压MOSFET（N通道）SOT23 VDS=30V PD=1.4W ID=4A
品牌：Hottech
现货库存：55173 (立即发货)
销售单价
5+￥0.17568
数量国内价格
5+ ￥0.17568
20+ ￥0.1598
100+ ￥0.14393
500+ ￥0.12805
1000+ ￥0.12065
2000+ ￥0.11535
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 击穿电压30V
- 阈值电压1.4V@250µA
- 原始制造商Guangdong Hottech Co. Ltd.
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流4A
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流4A
- 栅极源极击穿电压±12V
- 反向传输电容Crss18pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量10nC
- 配置单路
- Vgs(Max)±12V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
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AO3402
MOSFETs N沟道耐压:30V 电流:4A SOT-23-3L
品牌：MSKSEMI
现货库存：2 (立即发货)
销售单价
10+￥0.21759
数量国内价格
10+ ￥0.21759
100+ ￥0.16994
600+ ￥0.14611
1200+ ￥0.14465
3000+ ￥0.13817
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 阈值电压1.4V@250μA
- 额定功率1.4W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)47mΩ@4.5V,4A
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流4A
- 长x宽/尺寸3.02 x 1.70mm
- 封装/外壳SOT23-3
- 工作温度-55℃~+150℃
- 漏源电压(Vdss)30V
- 高度1.25mm
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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AO3402
MOSFETs N沟道 30V 4A SOT-23
品牌：JSMSEMI
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
20+￥0.12096
数量国内价格
20+ ￥0.12096
200+ ￥0.11376
500+ ￥0.10656
1000+ ￥0.09936
3000+ ￥0.09576
6000+ ￥0.09072
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌JSMICRO
- 功率耗散1.25W
- 击穿电压30V
- 阈值电压0.8V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流4A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss41pF
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- 输入电容390pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 零件状态Active
- 高度1.15mm
购买数量
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AO3402
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.3A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23
品牌：VBsemi
现货库存：447 (立即发货)
销售单价
1+￥0.30495
数量国内价格
1+ ￥0.30495
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压30V
- 阈值电压-
- 原始制造商VBsemi Electronics Co. Ltd
- 无卤Yes
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)33mΩ
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流5.3A
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 反向传输电容Crss17pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 配置单路
- 输入电容335pF
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)6.7nC
- 晶体管类型MOSFET
购买数量
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AO3402A
N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：350mW
品牌：UMW
现货库存：8127 (立即发货)
销售单价
10+￥0.19551
数量国内价格
10+ ￥0.19551
100+ ￥0.19355
600+ ￥0.11827
1200+ ￥0.11709
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌UMW
- 阈值电压1.4V
- 原始制造商Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd.
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流4A
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss41pF
- 工作温度+150℃
- 配置单路
- 输入电容390pF
- Vgs(Max)±12V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)30V
- 栅极电荷(Qg)4.34nC
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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UMW AO3402A
N沟道MOSFET
品牌：UMW
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
5+￥0.238
数量国内价格
5+ ￥0.238
20+ ￥0.217
100+ ￥0.196
500+ ￥0.175
1000+ ￥0.1652
2000+ ￥0.1582
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌UMW
- 功率耗散350mW
- 阈值电压1.4V@250µA
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)55mΩ
- 包装Tape/reel
- 印字代码A29T
- 连续漏极电流4A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流4A
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度+150℃
- 配置单路
- Vgs(Max)±12V
- 漏源电压(Vdss)30V
- 认证信息RoHS
- 高度1.15mm
- 晶体管类型N沟道
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
1+￥0.497

属性

销售单价
5+￥0.26565

属性

销售单价
20+￥0.14391

属性

销售单价
1+￥0.2416

属性

销售单价
5+￥0.17568

属性

销售单价
10+￥0.21759

属性

销售单价
20+￥0.12096

属性

销售单价
1+￥0.30495

属性

销售单价
10+￥0.19551

属性

销售单价
5+￥0.238

属性

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属性

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500+	￥0.1914
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价1+￥0.497

属性

销售单价5+￥0.26565

属性

销售单价20+￥0.14391

属性

销售单价1+￥0.2416

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销售单价5+￥0.238

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品牌{{ brandShow ? '收起' : '展开' }}

封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

销售单价
1+￥0.497

销售单价
5+￥0.26565

销售单价
20+￥0.14391

销售单价
1+￥0.2416

销售单价
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