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2N7002T
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.8Ω@10V,300mA
品牌：TECH PUBLIC
现货库存：12015 (立即发货)
销售单价
20+￥0.1461
数量国内价格
20+ ￥0.1461
300+ ￥0.11299
1200+ ￥0.09458
3000+ ￥0.08351
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 阈值电压1.6V
- 原始制造商Tech Public Electronics Co.,Ltd.
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.8Ω@10V,300mA
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流300mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-523-3
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss2pF@30V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 原产国家China Taiwan
- 输入电容27pF
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)3nC
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
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2N7002T
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：150mW
品牌：TC
现货库存：3374 (立即发货)
销售单价
10+￥0.11521
数量国内价格
10+ ￥0.11521
50+ ￥0.10657
200+ ￥0.09937
600+ ￥0.09217
1500+ ￥0.0864
3000+ ￥0.0828
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌Tak Cheong
- 击穿电压60V
- 阈值电压1,2.5V
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 封装/外壳SOT-523-3
- 元件生命周期Active
- 漏极电流600mA
- 栅极源极击穿电压±20V
- 反向传输电容Crss5pF
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
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2N7002T
MOSFETs SOT523 N-Channel VDS=60V ID=115mA PD=150mW
品牌：JSCJ
现货库存：2010 (立即发货)
销售单价
20+￥0.1754
数量国内价格
20+ ￥0.1754
300+ ￥0.14015
1200+ ￥0.12062
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 击穿电压60V
- 功率耗散150mW
- 阈值电压2V@250μA
- 原始制造商Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd
- 额定功率200mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@5V,50mA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-50℃~+150℃
- 长x宽/尺寸1.70 x 0.90mm
- 封装/外壳SOT-523-3
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-50℃~+150℃
- 应用等级Industrial
- 漏源电压(Vdss)60V
- 应用Consumer, Industrial,
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2N7002T
MOSFETs N-沟道 60V 300mA SOT-523 丝印：K72
品牌：MLSM
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.105
数量国内价格
50+ ￥0.105
500+ ￥0.0945
5000+ ￥0.0875
10000+ ￥0.084
30000+ ￥0.0805
50000+ ￥0.0784
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-523
- 安装类型SMT
- 工作温度+150℃(TJ)
- 功率耗散150mW
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流300mA
- 高度0.90mm
- 长x宽/尺寸1.70 x 0.90mm
- 引脚数3Pin
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2N7002-TP
N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW
品牌：MCC
现货库存：7788 (立即发货)
销售单价
20+￥0.09942
数量国内价格
20+ ￥0.09942
300+ ￥0.07728
1200+ ￥0.07612
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 功率耗散200mW
- 技术路线MOSFET (Metal Oxide)
- 阈值电压2.5V
- 额定功率200mW
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 输入电容50pF@25V
- FET功能-
- Vgs(Max)-
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 晶体管类型N沟道
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2N7002T-7-F
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@5V SOT523-3
品牌：DIODES
现货库存：28942 (立即发货)
销售单价
5+￥0.27968
数量国内价格
5+ ￥0.27968
50+ ￥0.27548
600+ ￥0.20102
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 功率耗散150mW
- 阈值电压2V
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸1.60 x 0.80mm
- 封装/外壳SOT-523-3
- 元件生命周期Active
- 漏极电流115mA
- 工作温度-55℃~+150℃
- 系列-
- 输入电容50pF
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度0.75mm
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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2N7002-T1-GE3
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@5V SOT23-3
品牌：Vishay
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
1+￥0.33171
数量国内价格
1+ ￥0.33171
100+ ￥0.3096
300+ ￥0.28748
500+ ￥0.26537
2000+ ￥0.25431
5000+ ￥0.24768
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 漏源极电压（Vdss）60V
- 击穿电压60V
- 阈值电压2.5V@250µA
- 栅源电压 Vgss±20V
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流115mA
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）5V，10V
- FET类型N沟道
- 长x宽/尺寸2.92 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 供应商器件封装TO-236
- 漏源电压(Vdss)60V
- 高度1.12mm
- 晶体管类型N沟道
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
20+￥0.1461

属性

销售单价
10+￥0.11521

属性

销售单价
20+￥0.1754

属性

销售单价
50+￥0.105

属性

销售单价
20+￥0.09942

属性

销售单价
5+￥0.27968

属性

销售单价
1+￥0.33171

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属性

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600+	￥0.09217
1500+	￥0.0864
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数量	国内价格
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价20+￥0.1461

属性

销售单价10+￥0.11521

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销售单价20+￥0.1754

属性

销售单价50+￥0.105

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销售单价20+￥0.09942

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销售单价
20+￥0.1461

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