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2N7002T
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.8Ω@10V,300mA
品牌：TECH PUBLIC
现货库存：11975 (立即发货)
销售单价
5+￥0.13349
数量国内价格
5+ ￥0.13349
20+ ￥0.12136
100+ ￥0.10922
500+ ￥0.09709
1000+ ￥0.09142
2000+ ￥0.08738
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅No
- 品牌TECH PUBLIC
- 功率耗散350mW
- 阈值电压1.6V
- 原始制造商Tech Public Electronics Co.,Ltd.
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流300mA
- 长x宽/尺寸1.70 x 0.90mm
- 封装/外壳SOT-523-3
- 反向传输电容Crss2pF@30V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）2.5Ω
- 原产国家China Taiwan
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)3nC
- 高度0.80mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
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2N7002T
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：150mW
品牌：takcheong
现货库存：2804 (立即发货)
销售单价
10+￥0.11521
数量国内价格
10+ ￥0.11521
50+ ￥0.10657
200+ ￥0.09937
600+ ￥0.09217
1500+ ￥0.0864
3000+ ￥0.0828
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌Tak Cheong
- 击穿电压60V
- 功率耗散150mW
- 阈值电压1,2.5V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 封装/外壳SOT-523-3
- 元件生命周期Active
- 漏极电流600mA
- 栅极源极击穿电压±20V
- 反向传输电容Crss5pF
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）7.5Ω
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
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2N7002T
MOSFETs SOT523 N-Channel VDS=60V ID=115mA PD=150mW
品牌：JSCJ
现货库存：1070 (立即发货)
销售单价
20+￥0.11704
数量国内价格
20+ ￥0.11704
200+ ￥0.10934
500+ ￥0.10164
1000+ ￥0.09394
3000+ ￥0.09009
6000+ ￥0.0847
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 击穿电压60V
- 功率耗散150mW
- 阈值电压2V@250μA
- 原始制造商Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd
- 额定功率200mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@5V,50mA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-50℃~+150℃
- 长x宽/尺寸1.70 x 0.90mm
- 封装/外壳SOT-523-3
- 元件生命周期Active
- 工作温度-50℃~+150℃
- 应用等级Industrial
- 漏源电压(Vdss)60V
- 高度0.90mm
- 应用Consumer, Industrial,
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2N7002-TP
N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW
品牌：MCC
现货库存：7788 (立即发货)
销售单价
50+￥0.08669
数量国内价格
50+ ￥0.08669
150+ ￥0.07395
1000+ ￥0.0612
5000+ ￥0.0561
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 功率耗散200mW
- 技术路线MOSFET (Metal Oxide)
- 阈值电压2.5V
- 额定功率200mW
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）7.5欧姆@500mA，10V
- FET功能-
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度1.12mm
- 晶体管类型N沟道
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2N7002T-7-F
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@5V SOT523-3
品牌：DIODES
现货库存：28741 (立即发货)
销售单价
10+￥0.3775
数量国内价格
10+ ￥0.3775
50+ ￥0.3475
200+ ￥0.3225
600+ ￥0.2975
1500+ ￥0.2775
3000+ ￥0.265
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 品牌DIODES
- 功率耗散150mW
- 阈值电压2V
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@5V,50mA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 封装/外壳SOT-523-3
- 漏极电流115mA
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量OriginalnC
- 系列-
- FET功能-
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
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2N7002-T1-GE3
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@5V SOT23-3
品牌：Vishay
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
1+￥0.33171
数量国内价格
1+ ￥0.33171
100+ ￥0.3096
300+ ￥0.28748
500+ ￥0.26537
2000+ ￥0.25431
5000+ ￥0.24768
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 漏源极电压（Vdss）60V
- 击穿电压60V
- 阈值电压2.5V@250µA
- 栅源电压 Vgss±20V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- FET类型N沟道
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55°C~150°C（TJ）
- 配置单路
- 原产国家America
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）7.5欧姆@500mA，10V
- 供应商器件封装TO-236
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 晶体管类型N沟道
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品牌收起

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封装收起

销售单价
5+￥0.13349

属性

销售单价
10+￥0.11521

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销售单价
20+￥0.11704

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销售单价
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数量	国内价格
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品牌收起

供应商收起

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销售单价5+￥0.13349

属性

销售单价10+￥0.11521

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销售单价20+￥0.11704

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属性

销售单价
5+￥0.13349

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