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2N7002LT1G
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：ON
现货库存：148030 (立即发货)
销售单价
20+￥0.19104
数量国内价格
20+ ￥0.19104
200+ ￥0.14928
600+ ￥0.13112
3000+ ￥0.10986
9000+ ￥0.10398
21000+ ￥0.09996
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 漏源电流(Idss)115mA
- 击穿电压60V
- 阈值电压2.5V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)50pF@25V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- FET功能-
- Vgs(Max)40V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
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L2N7002LT1G
MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23
品牌：LRC
现货库存：282258 (立即发货)
销售单价
50+￥0.08863
数量国内价格
50+ ￥0.08863
500+ ￥0.07114
3000+ ￥0.06121
6000+ ￥0.05557
24000+ ￥0.05008
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 漏源电流(Idss)115mA
- 功率耗散225mW
- 阈值电压1.6V
- 原始制造商Leshan Radio Co., Ltd.
- 包装Tape/reel
- 原产地China
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss2.5pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)7.5Ω@10V,500mA
- 零件状态Active
- 高度1.00mm
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
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LM-L2N7002LT1G
MOSFETs N-沟道 60V 340mA SOT-23
品牌：Leiditech
现货库存：70 (立即发货)
销售单价
10+￥0.30446
数量国内价格
10+ ￥0.30446
100+ ￥0.25437
300+ ￥0.23008
3000+ ￥0.20991
6000+ ￥0.19379
9000+ ￥0.18567
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-23
- 输入电容(Ci)16pF@30V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 高度0.975mm
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
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封装收起

销售单价
20+￥0.19104

属性

销售单价
50+￥0.08863

属性

销售单价
10+￥0.30446

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24000+	￥0.05008

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10+	￥0.30446
100+	￥0.25437
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3000+	￥0.20991
6000+	￥0.19379
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销售单价20+￥0.19104

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属性

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