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2N7002KW
N沟道MOSFET VDS=60V ID=0.2A SOT323
品牌：BORN
现货库存：5611 (立即发货)
销售单价
1+￥0.09586
数量国内价格
1+ ￥0.09586
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压60V
- 功率耗散225mW
- 阈值电压1.5V
- 原始制造商BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd.
- 额定功率225mW
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流200mA
- 长x宽/尺寸2.10 x 1.25mm
- 封装/外壳SOT-323
- 漏极电流0.2A
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度+150℃
- 原产国家China
- 输入电容18.5pF@30V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 高度1.00mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
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2N7002KW
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=340mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT323
品牌：JSCJ
现货库存：1450 (立即发货)
销售单价
20+￥0.11449
数量国内价格
20+ ￥0.11449
200+ ￥0.10729
500+ ￥0.10009
1000+ ￥0.09289
3000+ ￥0.08928
6000+ ￥0.08424
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌JSCJ
- 功率耗散200mW
- 阈值电压2.5V
- 额定功率200mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)900mΩ@10V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 长x宽/尺寸2.20 x 1.35mm
- 封装/外壳SOT-323
- 反向传输电容Crss10pF
- 工作温度-40℃~+150℃
- 原产国家China
- 输入电容40pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 高度1.10mm
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
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2N7002KW
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=310mA RDS(ON)=1.6Ω@10V SC70-3
品牌：ON
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
1+￥0.63361
数量国内价格
1+ ￥0.63361
100+ ￥0.59137
300+ ￥0.54913
500+ ￥0.50689
2000+ ￥0.48577
5000+ ￥0.47309
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 是否无铅Yes
- 阈值电压2.1V@250µA
- 原始制造商ON Semiconductor
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流310mA
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）5V，10V
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.00 x 1.25mm
- 封装/外壳SOT-SC70
- 漏极电流310mA
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 输入电容50pF@25V
- FET功能-
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度1.10mm
- 晶体管类型N沟道
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2N7002KW
MOSFETs N-沟道 60V 300mA SOT-323
品牌：KF
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.072
数量国内价格
50+ ￥0.072
500+ ￥0.0648
5000+ ￥0.06
10000+ ￥0.0576
30000+ ￥0.0552
50000+ ￥0.05376
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-323
- 安装类型SMT
- 工作温度+150℃(TJ)
- 功率耗散350mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流300mA
- 高度0.95mm
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸2.00 x 1.25mm
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L2N7002KWT1G
60V 0.32A 300mW 2.3Ω@10V,500mA 2.5V@250uA 2.2pF@25V N Channel 34pF@25V -55℃~+150℃@(Tj) SC-70
品牌：LRC
现货库存：6330 (立即发货)
销售单价
10+￥0.10966
数量国内价格
10+ ￥0.10966
50+ ￥0.10094
200+ ￥0.09368
600+ ￥0.08642
1500+ ￥0.08061
3000+ ￥0.07698
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌LRC
- 击穿电压60V
- 阈值电压2.5V@250μA
- 额定功率300mW
- 原始制造商Leshan Radio Company,Ltd.
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流300mA
- 封装/外壳SOT-323
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss2.2pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 输入电容34pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 高度0.90mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
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2N7002KW_R1_00001
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA SOT323
品牌：PANJIT
现货库存：3900 (立即发货)
销售单价
50+￥0.1139
数量国内价格
50+ ￥0.1139
150+ ￥0.09715
1000+ ￥0.0804
5000+ ￥0.0737
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅No
- 品牌PANJIT
- 功率耗散200mW
- 阈值电压2.5V
- 原始制造商PANJIT International Inc.
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流115mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-323
- 元件生命周期Active
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量0.8nC
- 原产国家China Taiwan
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)0.8nC
- 高度1.10mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
1+￥0.09586

属性

销售单价
20+￥0.11449

属性

销售单价
1+￥0.63361

属性

销售单价
50+￥0.072

属性

销售单价
10+￥0.10966

属性

销售单价
50+￥0.1139

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数量	国内价格
20+	￥0.11449
200+	￥0.10729
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1000+	￥0.09289
3000+	￥0.08928
6000+	￥0.08424

数量	国内价格
1+	￥0.63361
100+	￥0.59137
300+	￥0.54913
500+	￥0.50689
2000+	￥0.48577
5000+	￥0.47309

数量	国内价格
50+	￥0.072
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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150+	￥0.09715
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价1+￥0.09586

属性

销售单价20+￥0.11449

属性

销售单价1+￥0.63361

属性

销售单价50+￥0.072

属性

销售单价10+￥0.10966

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销售单价50+￥0.1139

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属性

销售单价
1+￥0.09586

销售单价
20+￥0.11449

销售单价
1+￥0.63361

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销售单价
10+￥0.10966

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