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2N7002KW
MOSFETs N-沟道 60V 340mA SOT-323
品牌：TWTLSEMI
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
20+￥0.0512
数量国内价格
20+ ￥0.0512
200+ ￥0.048
600+ ￥0.0448
3000+ ￥0.0416
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-323
- 安装类型SMT
- 功率耗散200mW
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 高度1.00mm
- 长x宽/尺寸2.10 x 1.25mm
- 引脚数3Pin
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2N7002KW
MOSFETs N-沟道 60V 340mA SOT-323 丝印：72K
品牌：MLSM
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.057
数量国内价格
50+ ￥0.057
500+ ￥0.0513
5000+ ￥0.0475
10000+ ￥0.0456
30000+ ￥0.0437
50000+ ￥0.04256
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-323
- 工作温度+150℃(TJ)
- 功率耗散200mW
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 高度1.10mm
- 长x宽/尺寸2.20 x 1.35mm
- 引脚数3Pin
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2N7002KW
MOSFETs N-沟道 60V 340mA SOT-323
品牌：GUANGLAI
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.068
数量国内价格
50+ ￥0.068
500+ ￥0.064
2000+ ￥0.056
5000+ ￥0.052
15000+ ￥0.048
30000+ ￥0.046
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-323
- 工作温度+150℃(TJ)
- 功率耗散200mW
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 高度1.00mm
- 长x宽/尺寸2.20 x 1.35mm
- 引脚数3Pin
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2N7002KW
MOSFETs N-沟道 60V 300mA SOT-323
品牌：KF
现货库存：200 (立即发货)
销售单价
50+￥0.072
数量国内价格
50+ ￥0.072
500+ ￥0.0648
5000+ ￥0.06
10000+ ￥0.0576
30000+ ￥0.0552
50000+ ￥0.05376
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-323
- 工作温度+150℃(TJ)
- 功率耗散350mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流300mA
- 高度0.95mm
- 长x宽/尺寸2.00 x 1.25mm
- 引脚数3Pin
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2N7002KW
N沟道MOSFET VDS=60V ID=0.2A SOT323
品牌：BORN
现货库存：5611 (立即发货)
销售单价
20+￥0.12614
数量国内价格
20+ ￥0.12614
300+ ￥0.10092
1200+ ￥0.08624
3000+ ￥0.07785
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅No
- 品牌BORN
- 漏源电流(Idss)0.2A
- 击穿电压60V
- 功率耗散225mW
- 阈值电压1.5V
- 原始制造商BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd.
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.8Ω@10V,300mA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流200mA
- 长x宽/尺寸2.10 x 1.25mm
- 封装/外壳SOT-323
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度+150℃
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 晶体管类型N沟道
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2N7002KW
MOSFETs N-沟道 60V 340mA SOT-323
品牌：JSCJ
现货库存：3150 (立即发货)
销售单价
20+￥0.14408
数量国内价格
20+ ￥0.14408
300+ ￥0.11649
1200+ ￥0.10041
3000+ ￥0.09198
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌JSCJ
- 功率耗散200mW
- 阈值电压2.5V
- 原始制造商Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd.
- 额定功率200mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)900mΩ@10V
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流340mA
- 长x宽/尺寸2.20 x 1.35mm
- 封装/外壳SOT-323
- 反向传输电容Crss10pF
- 工作温度-40℃~+150℃
- 原产国家China
- 输入电容40pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 高度1.10mm
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
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2N7002KW
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=310mA RDS(ON)=1.6Ω@10V SC70-3
品牌：ON
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
5+￥0.63141
数量国内价格
5+ ￥0.63141
50+ ￥0.51146
150+ ￥0.45149
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 是否无铅Yes
- 漏源电流(Idss)310mA
- 阈值电压2.1V@250µA
- 原始制造商ON Semiconductor
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流310mA
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）5V，10V
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.00 x 1.25mm
- 封装/外壳SOT-SC70
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度1.10mm
- 晶体管类型N沟道
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L2N7002KWT1G
60V 0.32A 300mW 2.3Ω@10V,500mA 2.5V@250uA 2.2pF@25V N Channel 34pF@25V -55℃~+150℃@(Tj) SC-70
品牌：LRC
现货库存：6460 (立即发货)
销售单价
20+￥0.14033
数量国内价格
20+ ￥0.14033
300+ ￥0.11275
1200+ ￥0.09662
3000+ ￥0.0882
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压60V
- 阈值电压2.5V@250μA
- 额定功率300mW
- 原始制造商Leshan Radio Company,Ltd.
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流300mA
- 封装/外壳SOT-323
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss2.2pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 输入电容34pF
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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2N7002KW_R1_00001
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA SOT323
品牌：PANJIT
现货库存：3900 (立即发货)
销售单价
50+￥0.1139
数量国内价格
50+ ￥0.1139
150+ ￥0.09715
1000+ ￥0.0804
5000+ ￥0.0737
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅No
- 品牌PANJIT
- 功率耗散200mW
- 阈值电压2.5V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 封装/外壳SOT-323
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量0.8nC
- 原产国家China Taiwan
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)0.8nC
- 零件状态Active
- 高度1.10mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
20+￥0.0512

属性

销售单价
50+￥0.057

属性

销售单价
50+￥0.068

属性

销售单价
50+￥0.072

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销售单价
20+￥0.12614

属性

销售单价
20+￥0.14408

属性

销售单价
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销售单价
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数量	国内价格
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品牌收起

供应商收起

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销售单价20+￥0.0512

属性

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销售单价20+￥0.12614

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