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2N7002K
MOSFETs N-沟道 60V 340mA SOT-23
品牌：Hongjiacheng
现货库存：5900 (立即发货)
销售单价
50+￥0.06
数量国内价格
50+ ￥0.06
500+ ￥0.054
5000+ ￥0.05
10000+ ￥0.048
30000+ ￥0.046
50000+ ￥0.0448
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散350mW
- 阈值电压1.3V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 输入电容(Ci)40pF@10V
- 反向传输电容Crss10pF@10V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)900mΩ@10V
- 高度1.15mm
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002K
MOSFETs N-沟道 60V 340mA SOT-23
品牌：JSCJ
现货库存：220669 (立即发货)
销售单价
50+￥0.13171
数量国内价格
50+ ￥0.13171
500+ ￥0.11145
3000+ ￥0.09888
6000+ ￥0.09163
24000+ ￥0.08536
51000+ ￥0.08203
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压-
- 阈值电压2.5V
- 原始制造商Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd
- 包装Tape/reel
- 原产地China
- 连续漏极电流340mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 输入电容(Ci)40pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 应用等级Industrial
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)900mΩ@10V
- 零件状态Active
- 高度1.15mm
- 类型1个N沟道
- 应用Consumer, Industrial,
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002K
MOSFETs N-沟道 60V 300mA SOT-23
品牌：DIOS
现货库存：60 (立即发货)
销售单价
20+￥0.05425
数量国内价格
20+ ￥0.05425
200+ ￥0.05075
500+ ￥0.04725
1000+ ￥0.04375
3000+ ￥0.042
6000+ ￥0.03955
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 封装/外壳SOT-23
- 安装类型SMT
- 功率耗散450mW
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流300mA
- 高度-
- 长x宽/尺寸-
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002K
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW SOT23
品牌：MSKSEMI
现货库存：47314 (立即发货)
销售单价
50+￥0.05557
数量国内价格
50+ ￥0.05557
500+ ￥0.04446
3000+ ￥0.0352
6000+ ￥0.03149
9000+ ￥0.03056
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌MSKSEMI
- 阈值电压1.6V
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流300mA
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 输入电容(Ci)38pF
- 反向传输电容Crss12pF
- 工作温度-50℃~+150℃
- 配置单路
- Vgs(Max)±20V
- 应用等级Consumer
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)2.2Ω@10V,300mA
- 栅极电荷(Qg)5.6nC
- 零件状态Active
- 类型1个N沟道
购买数量
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2N7002K
MOS管 N沟道 VDS=60V ID=0.3A VGS=±20V RDS(ON)=1.6Ω@10V RDS(ON)=2.1Ω@4.5V 丝印：72K
品牌：MLSM
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.057
数量国内价格
50+ ￥0.057
500+ ￥0.0513
5000+ ￥0.0475
10000+ ￥0.0456
30000+ ￥0.0437
50000+ ￥0.04256
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度+150℃(TJ)
- 功率耗散350mW
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流300mA
- 高度1.15mm
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 引脚数3Pin
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2N7002K
MOSFETs N-沟道 60V 300mA SOT-23
品牌：KF
现货库存：150 (立即发货)
销售单价
50+￥0.057
数量国内价格
50+ ￥0.057
500+ ￥0.0513
5000+ ￥0.0475
10000+ ￥0.0456
30000+ ￥0.0437
50000+ ￥0.04256
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-23
- 功率耗散350mW
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流300mA
- 高度1.10mm
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
购买数量
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2N7002K
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW SOT23
品牌：MSKSEMI
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.07144
数量国内价格
50+ ￥0.07144
500+ ￥0.05664
3000+ ￥0.04976
6000+ ￥0.04498
24000+ ￥0.04038
51000+ ￥0.03783
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌MSKSEMI
- 功率耗散350mW
- 阈值电压1.6V
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流300mA
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 输入电容(Ci)38pF
- 反向传输电容Crss12pF
- 工作温度-50℃~+150℃
- 配置单路
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)2.2Ω@10V,300mA
- 栅极电荷(Qg)5.6nC
- 零件状态Active
- 类型1个N沟道
购买数量
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2N7002K
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=340mA RDS(ON)=5.3Ω@4.5V SOT23
品牌：Hottech
现货库存：238645 (立即发货)
销售单价
50+￥0.09538
数量国内价格
50+ ￥0.09538
500+ ￥0.07613
3000+ ￥0.06703
6000+ ￥0.06086
24000+ ￥0.05488
51000+ ￥0.05165
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 漏源电流(Idss)300mA
- 功率耗散350mW
- 阈值电压1.6V
- 原始制造商Guangdong Hottech Co. Ltd.
- 包装Tape/reel
- 原产地China
- 连续漏极电流340mA
- 存储温度-65℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss10pF
- 输入电容(Ci)40pF
- 工作温度-65℃~+150℃
- 配置单路
- Vgs(Max)20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 认证信息RoHS
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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2N7002K
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
品牌：NCE
现货库存：57278 (立即发货)
销售单价
20+￥0.23875
数量国内价格
20+ ￥0.23875
200+ ￥0.18362
600+ ￥0.15317
3000+ ￥0.13377
9000+ ￥0.11691
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅No
- 品牌NCE
- 漏源电流(Idss)1uA
- 阈值电压1.9V
- 原始制造商WUXI NCE POWER CO., Ltd.
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 原产地China
- 连续漏极电流300mA
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 输入电容(Ci)50pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
购买数量
加入购物车
2N7002K
MOSFETs N-沟道 60V 300mA SOT-23
品牌：ON
现货库存：4747 (立即发货)
销售单价
5+￥0.49027
数量国内价格
5+ ￥0.49027
50+ ￥0.39081
150+ ￥0.34202
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 击穿电压60V
- 阈值电压2.5V
- 包装Tape/reel
- 原产地America
- 连续漏极电流300mA
- 封装/外壳SOT-23
- 制造商标准提前期6 周
- 栅极源极击穿电压±20V
- 反向传输电容Crss2.2pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量0.7nC
- 配置单路
- 系列-
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)700pC@4.5V
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
50+￥0.06

属性

销售单价
50+￥0.13171

属性

销售单价
20+￥0.05425

属性

销售单价
50+￥0.05557

属性

销售单价
50+￥0.057

属性

销售单价
50+￥0.057

属性

销售单价
50+￥0.07144

属性

销售单价
50+￥0.09538

属性

销售单价
20+￥0.23875

属性

销售单价
5+￥0.49027

属性

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属性

数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
50+	￥0.057
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5000+	￥0.0475
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数量	国内价格
50+	￥0.07144
500+	￥0.05664
3000+	￥0.04976
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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600+	￥0.15317
3000+	￥0.13377
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数量	国内价格
5+	￥0.49027
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150+	￥0.34202

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价50+￥0.06

属性

销售单价50+￥0.13171

属性

销售单价20+￥0.05425

属性

销售单价50+￥0.05557

属性

销售单价50+￥0.057

属性

销售单价50+￥0.057

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销售单价50+￥0.07144

属性

销售单价50+￥0.09538

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销售单价20+￥0.23875

属性

销售单价5+￥0.49027

属性

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属性

条款与个人信息保护政策

销售单价
50+￥0.06

销售单价
50+￥0.13171

销售单价
20+￥0.05425

销售单价
50+￥0.05557

销售单价
50+￥0.057

销售单价
50+￥0.057

销售单价
50+￥0.07144

销售单价
50+￥0.09538

销售单价
20+￥0.23875

销售单价
5+￥0.49027