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2N7002K
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
品牌：NCE
现货库存：53588 (立即发货)
销售单价
20+￥0.1032
数量国内价格
20+ ￥0.1032
200+ ￥0.0972
500+ ￥0.0912
1000+ ￥0.0852
3000+ ￥0.0822
6000+ ￥0.078
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅No
- 阈值电压1.9V
- 额定功率350mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3Ω@5V,400mA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流300mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 漏极电流1uA
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）2Ω
- 输入电容50pF
- 漏源电压(Vdss)60V
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
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2N7002K
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=340mA RDS(ON)=5.3Ω@4.5V SOT23
品牌：Hottech
现货库存：235395 (立即发货)
销售单价
20+￥0.05512
数量国内价格
20+ ￥0.05512
200+ ￥0.05191
500+ ￥0.04871
1000+ ￥0.0455
3000+ ￥0.0439
6000+ ￥0.04166
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 品牌Hottech
- 功率耗散350mW
- 阈值电压1.6V@250µA
- 额定功率225mW
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流340mA
- 存储温度-65℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流300mA
- 工作温度-65℃~+150℃
- 配置单路
- 原产国家China
- 输入电容40pF
- 漏源电压(Vdss)60V
- 认证信息RoHS
- 高度1.15mm
- 晶体管类型N沟道
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2N7002K
VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
品牌：MDD
现货库存：41882 (立即发货)
销售单价
10+￥0.0589
数量国内价格
10+ ￥0.0589
50+ ￥0.05434
200+ ￥0.05054
600+ ￥0.04674
1500+ ￥0.0437
3000+ ￥0.0418
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅No
- 品牌MDD
- 阈值电压1.6V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流500mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.50mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度+150℃
- 充电电量0.93nC
- 原产国家China
- 输入电容23.8nF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)0.93nC
- 高度1.40mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
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2N7002K
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=2Ω@10V SOT23-3
品牌：ON
现货库存：4300 (立即发货)
销售单价
5+￥0.34947
数量国内价格
5+ ￥0.34947
20+ ￥0.34323
100+ ￥0.33075
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 技术路线MOSFET (Metal Oxide)
- 击穿电压60V
- 阈值电压2.5V@250µA
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流300mA
- 封装/外壳SOT-23
- 制造商标准提前期6 周
- 栅极源极击穿电压±20V
- 反向传输电容Crss2.2pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 系列-
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）2欧姆@500mA，10V
- FET功能-
- 漏源电压(Vdss)60V
- 认证信息RoHS
- 栅极电荷(Qg)700pC@4.5V
- 晶体管类型N沟道
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2N7002K
品牌：DIOS
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
3000+￥0.04025
数量国内价格
3000+ ￥0.04025
6000+ ￥0.0392
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-23
购买数量
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2N7002K
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW SOT23
品牌：MSKSEMI
现货库存：37439 (立即发货)
销售单价
50+￥0.06088
数量国内价格
50+ ￥0.06088
500+ ￥0.0487
3000+ ￥0.03856
6000+ ￥0.0345
9000+ ￥0.03348
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 击穿电压60V
- 功率耗散350mW
- 阈值电压1.6V
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流300mA
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 反向传输电容Crss12pF
- 工作温度-50℃~+150℃
- 配置单路
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）2.2Ω
- 输入电容38pF
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 认证信息RoHS
- 栅极电荷(Qg)5.6nC
- 引脚数3Pin
- 应用Consumer
购买数量
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2N7002K
VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
品牌：MDD
现货库存：18715 (立即发货)
销售单价
1+￥0.04719
数量国内价格
1+ ￥0.04719
10+ ￥0.04329
30+ ￥0.04251
100+ ￥0.04017
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散300mW
- 阈值电压1.6V
- 额定功率300mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)900mΩ@10V,500mA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流500mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.50mm
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度+150℃
- 充电电量0.93nC
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）900mΩ
- 原产国家China
- 输入电容23.8nF
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)0.93nC
- 高度1.40mm
- 晶体管类型N沟道
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2N7002K
N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=340mA P=350mW
品牌：TK
现货库存：23 (立即发货)
销售单价
1+￥0.04536
数量国内价格
1+ ￥0.04536
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌TK
- 阈值电压1.3V
- 原始制造商Dongguan Tongke Electronics Co., Ltd.
- 额定功率350mW
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 漏极电流340mA
- 栅极源极击穿电压±20V
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）5.3Ω
- 原产国家China
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002K
MOSFETs N-Channel Vdss=60V Id=340mA Pd=350mW SOT23
品牌：JSCJ
现货库存：24539 (立即发货)
销售单价
20+￥0.07316
数量国内价格
20+ ￥0.07316
100+ ￥0.06651
500+ ￥0.06207
1000+ ￥0.05764
5000+ ￥0.05232
10000+ ￥0.0501
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压-
- 阈值电压2.5V
- 原始制造商Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd
- 额定功率350mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)900mΩ@10V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss10pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 原产国家China
- 输入电容40pF
- 应用等级Industrial
- 漏源电压(Vdss)60V
- 零件状态Active
购买数量
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2N7002KT
SOT-523塑料封装MOSFET VDS=60V ID=0.34A VGS=±20V N-Channe
品牌：CBI
现货库存：100 (立即发货)
销售单价
10+￥0.11008
数量国内价格
10+ ￥0.11008
50+ ￥0.10182
200+ ￥0.09494
600+ ￥0.08806
1500+ ￥0.08256
3000+ ￥0.07912
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌CBI
- 击穿电压60V
- 阈值电压2.5V
- 额定功率150mW
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 封装/外壳SOT-523-3
- 漏极电流1µA
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度+150℃(TJ)
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）1.1Ω
- 原产国家China
- 输入电容40pF
- 漏源电压(Vdss)60V
- 高度0.90mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
20+￥0.1032

属性

销售单价
20+￥0.05512

属性

销售单价
10+￥0.0589

属性

销售单价
5+￥0.34947

属性

销售单价
3000+￥0.04025

属性

销售单价
50+￥0.06088

属性

销售单价
1+￥0.04719

属性

销售单价
1+￥0.04536

属性

销售单价
20+￥0.07316

属性

销售单价
10+￥0.11008

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属性

数量	国内价格
20+	￥0.1032
200+	￥0.0972
500+	￥0.0912
1000+	￥0.0852
3000+	￥0.0822
6000+	￥0.078

数量	国内价格
20+	￥0.05512
200+	￥0.05191
500+	￥0.04871
1000+	￥0.0455
3000+	￥0.0439
6000+	￥0.04166

数量	国内价格
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3000+	￥0.0418

数量	国内价格
50+	￥0.06088
500+	￥0.0487
3000+	￥0.03856
6000+	￥0.0345
9000+	￥0.03348

数量	国内价格
20+	￥0.07316
100+	￥0.06651
500+	￥0.06207
1000+	￥0.05764
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数量	国内价格
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50+	￥0.10182
200+	￥0.09494
600+	￥0.08806
1500+	￥0.08256
3000+	￥0.07912

数量	国内价格
1+	￥0.04719
10+	￥0.04329
30+	￥0.04251
100+	￥0.04017

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价20+￥0.1032

属性

销售单价20+￥0.05512

属性

销售单价10+￥0.0589

属性

销售单价5+￥0.34947

属性

销售单价3000+￥0.04025

属性

销售单价50+￥0.06088

属性

销售单价1+￥0.04719

属性

销售单价1+￥0.04536

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销售单价20+￥0.07316

属性

销售单价10+￥0.11008

属性

品牌{{ brandShow ? '收起' : '展开' }}

封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

销售单价
20+￥0.1032

销售单价
20+￥0.05512

销售单价
10+￥0.0589

销售单价
5+￥0.34947

销售单价
3000+￥0.04025

销售单价
50+￥0.06088

销售单价
1+￥0.04719

销售单价
1+￥0.04536

销售单价
20+￥0.07316

销售单价
10+￥0.11008