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2N7002K
MOSFETs N-沟道 60V 300mA SOT-23
品牌：MDD
现货库存：111392 (立即发货)
销售单价
50+￥0.10108
数量国内价格
50+ ￥0.10108
500+ ￥0.08477
3000+ ￥0.05907
6000+ ￥0.0537
24000+ ￥0.05135
51000+ ￥0.04978
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 功率耗散300mW
- 阈值电压1.5V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流300mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.50mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss4pF
- 输入电容(Ci)21pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)1.9Ω
- 高度1.40mm
- 引脚数3Pin
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2N7002K
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW SOT23
品牌：MSKSEMI
现货库存：47314 (立即发货)
销售单价
50+￥0.05557
数量国内价格
50+ ￥0.05557
500+ ￥0.04446
3000+ ￥0.0352
6000+ ￥0.03149
9000+ ￥0.03056
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压60V
- 功率耗散350mW
- 阈值电压1.6V
- 极性Bidirectional, Unidirectional
- 连续漏极电流300mA
- 长x宽/尺寸3.02 x 1.70mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss12pF
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)38pF
- 工作温度-50℃~+150℃
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)2.2Ω@10V,300mA
- 栅极电荷(Qg)5.6nC
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
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2N7002K
MOSFETs N-沟道 60V 340mA SOT-23
品牌：Hongjiacheng
现货库存：6350 (立即发货)
销售单价
50+￥0.06
数量国内价格
50+ ￥0.06
500+ ￥0.054
5000+ ￥0.05
10000+ ￥0.048
30000+ ￥0.046
50000+ ￥0.0448
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散350mW
- 阈值电压1.3V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss10pF@10V
- 输入电容(Ci)40pF@10V
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)900mΩ@10V
- 高度1.15mm
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
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2N7002K
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=340mA RDS(ON)=5.3Ω@4.5V SOT23
品牌：Hottech
现货库存：238645 (立即发货)
销售单价
50+￥0.09025
数量国内价格
50+ ￥0.09025
500+ ￥0.07205
3000+ ￥0.0634
6000+ ￥0.05754
24000+ ￥0.05195
51000+ ￥0.04888
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 漏源电流(Idss)300mA
- 击穿电压60V
- 功率耗散350mW
- 阈值电压1.6V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss10pF
- 栅极源极击穿电压-
- 输入电容(Ci)40pF
- 工作温度-65℃~+150℃
- Vgs(Max)20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)5Ω@10V,500mA
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
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2N7002K
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW
品牌：NCE
现货库存：57278 (立即发货)
销售单价
20+￥0.23875
数量国内价格
20+ ￥0.23875
200+ ￥0.18362
600+ ￥0.15317
3000+ ￥0.13377
9000+ ￥0.11691
21000+ ￥0.1078
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 漏源电流(Idss)1uA
- 功率耗散350mW
- 阈值电压1.9V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流300mA
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)50pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)3Ω@5V,400mA
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
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2N7002K
MOS管 N沟道 VDS=60V ID=0.3A VGS=±20V RDS(ON)=1.6Ω@10V RDS(ON)=2.1Ω@4.5V 丝印：72K
品牌：MLSM
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.057
数量国内价格
50+ ￥0.057
500+ ￥0.0513
5000+ ￥0.0475
10000+ ￥0.0456
30000+ ￥0.0437
50000+ ￥0.04256
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度+150℃(TJ)
- 功率耗散350mW
- 极性N-沟道
- 漏源电压(Vdss)60V
- 连续漏极电流300mA
- 高度1.15mm
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
购买数量
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2N7002K
MOSFETs N-沟道 60V 300mA SOT-23
品牌：KF
现货库存：150 (立即发货)
销售单价
50+￥0.057
数量国内价格
50+ ￥0.057
500+ ￥0.0513
5000+ ￥0.0475
10000+ ￥0.0456
30000+ ￥0.0437
50000+ ￥0.04256
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-23
- 功率耗散350mW
- 极性N-沟道
- 漏源电压(Vdss)60V
- 连续漏极电流300mA
- 高度1.10mm
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
购买数量
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2N7002K
MOSFETs N-沟道 60V 300mA SOT-23
品牌：DIOS
现货库存：60 (立即发货)
销售单价
20+￥0.05425
数量国内价格
20+ ￥0.05425
200+ ￥0.05075
500+ ￥0.04725
1000+ ￥0.04375
3000+ ￥0.042
6000+ ￥0.03955
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-23
- 功率耗散450mW
- 极性N-沟道
- 漏源电压(Vdss)60V
- 连续漏极电流300mA
- 高度-
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸-
购买数量
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2N7002K
MOSFETs N-沟道 60V 340mA SOT-23
品牌：JSCJ
现货库存：406663 (立即发货)
销售单价
20+￥0.0996
数量国内价格
20+ ￥0.0996
100+ ￥0.0906
500+ ￥0.0846
1000+ ￥0.0786
5000+ ￥0.0714
10000+ ￥0.0684
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压-
- 功率耗散350mW
- 阈值电压2.5V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss10pF
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)40pF
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)900mΩ@10V
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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2N7002K
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW SOT23
品牌：MSKSEMI
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.06438
数量国内价格
50+ ￥0.06438
500+ ￥0.05106
3000+ ￥0.04356
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24000+ ￥0.0351
51000+ ￥0.03281
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压60V
- 功率耗散350mW
- 阈值电压1.6V
- 极性Bidirectional, Unidirectional
- 连续漏极电流300mA
- 长x宽/尺寸3.02 x 1.70mm
- 封装/外壳SOT-23
- 反向传输电容Crss12pF
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)38pF
- 工作温度-50℃~+150℃
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)2.2Ω@10V,300mA
- 栅极电荷(Qg)5.6nC
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- 引脚数3Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
50+￥0.10108

属性

销售单价
50+￥0.05557

属性

销售单价
50+￥0.06

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销售单价
50+￥0.09025

属性

销售单价
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属性

销售单价
50+￥0.057

属性

销售单价
50+￥0.057

属性

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属性

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数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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品牌收起

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销售单价50+￥0.10108

属性

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属性

销售单价50+￥0.06438

属性

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属性

条款与个人信息保护政策

销售单价
50+￥0.10108

销售单价
50+￥0.05557

销售单价
50+￥0.06

销售单价
50+￥0.09025

销售单价
20+￥0.23875

销售单价
50+￥0.057

销售单价
50+￥0.057

销售单价
20+￥0.05425

销售单价
20+￥0.0996

销售单价
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