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2N7002ET1G
MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=260mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT23-3
品牌：ON
现货库存：37017 (立即发货)
销售单价
20+￥0.20918
数量国内价格
20+ ￥0.20918
300+ ￥0.16262
1200+ ￥0.1367
3000+ ￥0.11309
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 阈值电压2.5V@250µA
- 额定功率300mW
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流260mA
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）4.5V，10V
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 输入电容26.7pF
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)0.81nC
- 零件状态Active
- 高度1.11mm
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
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2N7002E-T1-GE3
表面贴装型 N 通道 60 V 240mA（Ta） 350mW（Ta） TO-236
品牌：Vishay
现货库存：19060 (立即发货)
销售单价
1+￥0.2256
数量国内价格
1+ ￥0.2256
30+ ￥0.2176
100+ ￥0.2096
500+ ￥0.1936
1000+ ￥0.1856
2000+ ￥0.1808
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌Vishay
- 技术路线MOSFET (Metal Oxide)
- 阈值电压2.5V@250µA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流240mA
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流240mA
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 原产国家America
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 认证信息RoHS, HF(halogen free),
- 栅极电荷(Qg)0.6nC
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 应用Consumer
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销售单价
20+￥0.20918

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销售单价
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品牌{{ brandShow ? '收起' : '展开' }}

封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

数量	国内价格
1+	￥0.2256
30+	￥0.2176
100+	￥0.2096
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1000+	￥0.1856
2000+	￥0.1808

数量	国内价格
20+	￥0.20918
300+	￥0.16262
1200+	￥0.1367
3000+	￥0.11309

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封装收起

销售单价20+￥0.20918

属性

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属性

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封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

销售单价
20+￥0.20918

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