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2N7002ET1G
MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=260mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT23-3
品牌：ON
现货库存：37617 (立即发货)
销售单价
20+￥0.23269
数量国内价格
20+ ￥0.23269
300+ ￥0.17521
1200+ ￥0.14331
3000+ ￥0.1142
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压60V
- 技术路线MOSFET (Metal Oxide)
- 阈值电压2.5V@250µA
- 原始制造商ON Semiconductor
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流260mA
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 反向传输电容Crss2.9pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 原产国家America
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 认证信息RoHS
- 栅极电荷(Qg)0.81nC
- 晶体管类型N沟道
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2N7002E-T1-GE3
表面贴装型 N 通道 60 V 240mA（Ta） 350mW（Ta） TO-236
品牌：Vishay
现货库存：19060 (立即发货)
销售单价
1+￥0.2272
数量国内价格
1+ ￥0.2272
30+ ￥0.2192
100+ ￥0.2112
500+ ￥0.1952
1000+ ￥0.1872
2000+ ￥0.1824
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 阈值电压2.5V@250µA
- 额定功率350mW
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流240mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸2.92 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 漏极电流240mA
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)0.6nC
- 高度1.12mm
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
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销售单价
20+￥0.23269

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1000+	￥0.1872
2000+	￥0.1824

数量	国内价格
20+	￥0.23269
300+	￥0.17521
1200+	￥0.14331
3000+	￥0.1142

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销售单价20+￥0.23269

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20+￥0.23269

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