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2N7002E
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
品牌：Slkor
现货库存：9166 (立即发货)
销售单价
50+￥0.10605
数量国内价格
50+ ￥0.10605
500+ ￥0.085
3000+ ￥0.06819
6000+ ￥0.06135
24000+ ￥0.05483
51000+ ￥0.0513
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)不适用
- 是否无铅Yes
- 品牌Slkor
- 击穿电压60V
- 阈值电压2.5V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流300mA
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度+150℃
- 配置单路
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3001pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度1.15mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
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2N7002E
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT-23
品牌：VBsemi
现货库存：314 (立即发货)
销售单价
10+￥0.2544
数量国内价格
10+ ￥0.2544
50+ ￥0.23532
200+ ￥0.21942
600+ ￥0.20352
1500+ ￥0.1908
3000+ ￥0.18285
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌VBsemi
- 击穿电压60V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流250mA
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 输入电容(Ci)25pF
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)0.4nC
- 高度1.12mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
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2N7002ET1G
MOSFETs N-沟道 60V 260mA SOT-23
品牌：ON
现货库存：44097 (立即发货)
销售单价
20+￥0.28512
数量国内价格
20+ ￥0.28512
200+ ￥0.22368
600+ ￥0.18983
3000+ ￥0.1568
9000+ ￥0.13798
21000+ ￥0.12789
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌ON
- 阈值电压2.5V
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流260mA
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）4.5V，10V
- 封装/外壳SOT-23
- 输入电容(Ci)26.7pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)2.5Ω@10V
- 栅极电荷(Qg)0.81nC
- 高度1.11mm
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002E-T1-GE3
表面贴装型 N 通道 60 V 240mA（Ta） 350mW（Ta） TO-236
品牌：Vishay
现货库存：19160 (立即发货)
销售单价
1+￥0.2272
数量国内价格
1+ ￥0.2272
30+ ￥0.2192
100+ ￥0.2112
500+ ￥0.1952
1000+ ￥0.1872
2000+ ￥0.1824
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 漏源电流(Idss)240mA
- 阈值电压2.5V
- 原始制造商Vishay Intertechnology, Inc.
- 包装Tape/reel
- 原产地America
- 连续漏极电流240mA
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）10V
- 封装/外壳SOT-23
- 元件生命周期Active
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)3Ω@250mA,10V
- 栅极电荷(Qg)0.6nC
- 高度1.12mm
- 晶体管类型N沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002E-VB
MOSFETs N-沟道 60V 250mA SOT-23
品牌：VBsemi
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
10+￥0.24645
数量国内价格
10+ ￥0.24645
100+ ￥0.23055
500+ ￥0.21465
2000+ ￥0.1908
5000+ ￥0.18285
10000+ ￥0.17808
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散300mW
- 阈值电压2.5V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流250mA
- 长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 输入电容(Ci)25pF
- 反向传输电容Crss2pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)2.8Ω@10V
- 高度1.12mm
- 引脚数3Pin
购买数量
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2N7002E-7-F
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3Ω@10V SOT23-3
品牌：DIODES
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
5+￥0.64243
数量国内价格
5+ ￥0.64243
50+ ￥0.52021
150+ ￥0.4604
500+ ￥0.4115
3000+ ￥0.3725
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌DIODES
- 功率耗散370mW
- 阈值电压2.5V
- 包装剪切带（CT） ,带卷（TR）
- 连续漏极电流250mA
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）4.5V，10V
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 制造商标准提前期12 周
- 输入电容(Ci)50pF@25V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 系列-
- FET功能-
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)0.22nC@4.5V
- 高度1.10mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
购买数量
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ME2N7002E-G
MOSFETs N-沟道 60V 240mA SOT-23
品牌：MATSUKI
现货库存：50 (立即发货)
销售单价
50+￥0.12
数量国内价格
50+ ￥0.12
500+ ￥0.108
5000+ ￥0.1
10000+ ￥0.096
30000+ ￥0.092
50000+ ￥0.0896
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度-55℃~+150℃(TJ)
- 功率耗散360mW
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流240mA
- 高度1.11mm
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm
购买数量
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2N7002EM3T5G
类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@4.5V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.85V@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：42pF@10V 工作温度：+150℃@(Tj)
品牌：TECH PUBLIC
现货库存：39633 (立即发货)
销售单价
20+￥0.23491
数量国内价格
20+ ￥0.23491
200+ ￥0.18634
600+ ￥0.15964
2000+ ￥0.14249
8000+ ￥0.1127
16000+ ￥0.10466
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌TECH PUBLIC
- 阈值电压1.85V@250μA
- 原始制造商Tech Public Electronics Co.,Ltd.
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流350mA
- 封装/外壳SOT-723-3
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss10pF
- 栅极源极击穿电压±10A
- 工作温度+150℃
- 配置单路
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)1.5Ω@4.5V,200mA
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度0.50mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型N沟道
- 类型1个N沟道
购买数量
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2N7002E-T1-E3-ES
1个N沟道耐压:60V 电流:300MA
品牌：ElecSuper
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
5+￥0.07
数量国内价格
5+ ￥0.07
50+ ￥0.055
150+ ￥0.045
500+ ￥0.042
3000+ ￥0.0375
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 封装/外壳SOT-23
- 输入电容(Ci)28pF
- 反向传输电容Crss4.1pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 功率耗散200mW
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流300mA
购买数量
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0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
50+￥0.10605

属性

销售单价
10+￥0.2544

属性

销售单价
20+￥0.28512

属性

销售单价
1+￥0.2272

属性

销售单价
10+￥0.24645

属性

销售单价
5+￥0.64243

属性

销售单价
50+￥0.12

属性

销售单价
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属性

销售单价
5+￥0.07

属性

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属性

数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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200+	￥0.18634
600+	￥0.15964
2000+	￥0.14249
8000+	￥0.1127
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价50+￥0.10605

属性

销售单价10+￥0.2544

属性

销售单价20+￥0.28512

属性

销售单价1+￥0.2272

属性

销售单价10+￥0.24645

属性

销售单价5+￥0.64243

属性

销售单价50+￥0.12

属性

销售单价20+￥0.23491

属性

销售单价5+￥0.07

属性

品牌{{ brandShow ? '收起' : '展开' }}

封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

条款与个人信息保护政策

销售单价
50+￥0.10605

销售单价
10+￥0.2544

销售单价
20+￥0.28512

销售单价
1+￥0.2272

销售单价
10+￥0.24645

销售单价
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