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2N7002DW
MOSFETs 2个N-沟道 60V 115mA SOT-363
品牌：JSCJ
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
10+￥0.23538
数量国内价格
10+ ￥0.23538
100+ ￥0.18574
600+ ￥0.16093
1200+ ￥0.15852
3000+ ￥0.14232
15000+ ￥0.14019
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-363
- 安装类型SMT
- 工作温度-55℃~+150℃
- 功率耗散150mW
- 输入电容50pF@25V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 极性2个N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 高度1.10mm
- 引脚数6Pin
- 长x宽/尺寸2.20 x 1.35mm
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2N7002DW
类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW
品牌：YANGJIE
现货库存：7299 (立即发货)
销售单价
10+￥0.17785
数量国内价格
10+ ￥0.17785
100+ ￥0.17518
600+ ￥0.11891
1200+ ￥0.11713
3000+ ￥0.11362
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌YANGJIE
- 功率耗散350mW
- 阈值电压2.5V@250μA
- 额定功率300mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.2Ω@10V,300mA
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流340mA
- 封装/外壳SOT-363
- 元件生命周期Active
- 反向传输电容Crss5.5pF@30V
- 栅极源极击穿电压±30V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 输入电容50pF@25V
- Vgs(Max)±30V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)1.7nC@15V
- 零件状态Active
- 高度1.10mm
- 类型2个N沟道
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2N7002DW
2N7002DW 是一种双 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻和低门极阈值电压。它还具有较高的开关速度，以及超小型表面贴装封装，因此适合很多不同的应用。
品牌：ON
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
0+￥0
数量国内价格
0+ ￥0
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 功率耗散200mW
- 阈值电压2V@250µA
- 额定功率200mW
- 原始制造商ON Semiconductor Inc.
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸2.00 x 1.25mm
- 封装/外壳SOT-363
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 输入电容50pF@25V
- FET功能逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度1.05mm
- 晶体管类型2个N沟道(双)
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2N7002DW-7-F
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V RDS(ON)=7.5Ω@5V SOT363-6
品牌：DIODES
现货库存：41904 (立即发货)
销售单价
10+￥0.23397
数量国内价格
10+ ￥0.23397
100+ ￥0.18396
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 阈值电压2V
- 原始制造商Diodes Incorporated
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流230mA
- 封装/外壳SOT-363
- 制造商标准提前期6 周
- 漏极电流230mA
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置双路
- 原产国家America
- 输入电容50pF
- FET功能标准
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 晶体管类型2个N沟道(双)
- 引脚数6Pin
- 类型2个N沟道
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2N7002DW-TP
VDS=60V ID=115mA PD=150mW 2 N-Channel SOT363 MOSFETs
品牌：MCC
现货库存：147 (立即发货)
销售单价
10+￥0.23266
数量国内价格
10+ ￥0.23266
100+ ￥0.1861
300+ ￥0.16283
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 品牌MCC
- 阈值电压2V@250μA
- 额定功率200mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.75Ω@10V,500mA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 封装/外壳SOT-363
- 制造商标准提前期8 周
- 工作温度-55℃~+150℃
- 系列-
- FET功能标准
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度1.10mm
- 晶体管类型-
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L2N7002DW1T1G
MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6
品牌：LRC
现货库存：31954 (立即发货)
销售单价
20+￥0.16108
数量国内价格
20+ ￥0.16108
300+ ￥0.12518
1200+ ￥0.10528
3000+ ￥0.09328
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散380mW
- 阈值电压2V@250μA
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@10V,500mA
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流500mA
- 长x宽/尺寸2.20 x 1.35mm
- 封装/外壳SOT-363
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量OriginalnC
- 输入电容50pF
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度1.10mm
- 晶体管类型2个N沟道(双)
- 类型1个N沟道
- 引脚数6Pin
购买数量
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2N7002DW(SOT-363)
2N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=115mA P=150mW
品牌：JSCJ
现货库存：6840 (立即发货)
销售单价
20+￥0.32997
数量国内价格
20+ ￥0.32997
100+ ￥0.29998
500+ ￥0.27998
1000+ ￥0.25998
5000+ ￥0.23598
10000+ ￥0.22598
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌JSCJ
- 功率耗散150mW
- 阈值电压1.6V
- 额定功率150mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.1Ω
- 包装Tape/reel
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸2.20 x 1.35mm
- 封装/外壳SOT-363
- 漏极电流115mA
- 栅极源极击穿电压20V
- Vgs(Max)±20V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)60V
- 高度1.10mm
- 晶体管类型2个N沟道(双)
- 引脚数6Pin
购买数量
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2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） Vgs=60V Id=300mA Pd=500mW
品牌：Infineon
现货库存：39 (立即发货)
销售单价
5+￥1.27507
数量国内价格
5+ ￥1.27507
20+ ￥1.15553
100+ ￥1.036
500+ ￥0.91646
1000+ ￥0.86067
2000+ ￥0.82083
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 击穿电压60V
- 阈值电压2.5V@250µA
- 包装Tape/reel
- 印字代码X8s
- 连续漏极电流300mA
- 封装/外壳SOT-363
- 制造商标准提前期8 周
- 漏极电流300mA
- 栅极源极击穿电压±20V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置双路
- 原产国家Germany
- 输入电容20pF@25V
- FET功能逻辑电平门
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 栅极电荷(Qg)0.6nC@10V
- 晶体管类型2个N沟道(双)
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
10+￥0.23538

属性

销售单价
10+￥0.17785

属性

销售单价
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属性

销售单价
10+￥0.23397

属性

销售单价
10+￥0.23266

属性

销售单价
20+￥0.16108

属性

销售单价
20+￥0.32997

属性

销售单价
5+￥1.27507

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15000+	￥0.14019

数量	国内价格
10+	￥0.17785
100+	￥0.17518
600+	￥0.11891
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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品牌收起

供应商收起

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销售单价10+￥0.23538

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销售单价10+￥0.23397

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销售单价
10+￥0.17785

销售单价
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销售单价
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