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2N7002DW
MOSFETs 2个N-沟道 60V 115mA SOT-363
品牌：JSCJ
现货库存：430 (立即发货)
销售单价
10+￥0.27024
数量国内价格
10+ ￥0.27024
100+ ￥0.21854
300+ ￥0.19326
3000+ ￥0.17258
6000+ ￥0.15611
9000+ ￥0.14778
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 封装/外壳SOT-363
- 输入电容(Ci)50pF@25V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 功率耗散150mW
- 极性2个N-沟道
- 漏源电压(Vdss)60V
- 连续漏极电流115mA
- 高度1.10mm
- 引脚数6Pin
- 长x宽/尺寸2.20 x 1.35mm
购买数量
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2N7002DW
类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW
品牌：YANGJIE
现货库存：8509 (立即发货)
销售单价
20+￥0.18163
数量国内价格
20+ ￥0.18163
200+ ￥0.14443
600+ ￥0.12397
3000+ ￥0.10535
9000+ ￥0.09388
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散350mW
- 阈值电压2.5V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流340mA
- 长x宽/尺寸2.20 x 1.35mm
- 封装/外壳SOT-363
- 反向传输电容Crss5.5pF@30V
- 栅极源极击穿电压±30V
- 输入电容(Ci)50pF@25V
- 工作温度-55℃~+150℃
- Vgs(Max)±30V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)1.2Ω@10V,300mA
- 栅极电荷(Qg)1.7nC@15V
- 高度1.10mm
- 零件状态Active
- 引脚数6Pin
- 类型2个N沟道
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2N7002DW
2个N沟道耐压:60V 电流:0.3A
品牌：Hottech
现货库存：140 (立即发货)
销售单价
20+￥0.22855
数量国内价格
20+ ￥0.22855
200+ ￥0.18587
600+ ￥0.16246
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 封装/外壳SOT-363
- 输入电容(Ci)12pF@30V
- 工作温度-50℃~+150℃
- 功率耗散300mW
- 极性N沟道
- 漏源电压(Vdss)60V
- 连续漏极电流300mA
- 类型2个N沟道
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2N7002DW
2个N沟道耐压:60V 电流:115MA
品牌：ON
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
0+￥0
数量国内价格
0+ ￥0
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 功率耗散200mW
- 阈值电压2V
- 极性N沟道
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸2.00 x 1.25mm
- 封装/外壳SC-70-6
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)50pF@25V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 系列-
- FET功能逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)7.5Ω@5V,50mA
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度1.05mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型2个N沟道(双)
- 引脚数6Pin
- 类型2个N沟道
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2N7002DW
N沟道MOSFET
品牌：BORN
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
0+￥0
数量国内价格
0+ ￥0
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 封装/外壳SOT-363
- 输入电容(Ci)28pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 极性N沟道
- 漏源电压(Vdss)60V
- 连续漏极电流300mA
购买数量
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2N7002DW-7-F
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V RDS(ON)=7.5Ω@5V SOT363-6
品牌：DIODES
现货库存：41964 (立即发货)
销售单价
5+￥0.53357
数量国内价格
5+ ￥0.53357
50+ ￥0.43776
150+ ￥0.39112
500+ ￥0.3527
3000+ ￥0.32203
6000+ ￥0.30664
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 漏源电流(Idss)230mA
- 击穿电压60V
- 阈值电压2V
- 无卤Yes
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流230mA
- 长x宽/尺寸2.00 x 1.25mm
- 封装/外壳SOT-363
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)50pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- Vgs(Max)±20V
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度1.00mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型2个N沟道(双)
- 引脚数6Pin
- 安装类型SMT
- 功率耗散310mW
- 反向传输电容Crss2pF
- 系列-
- FET功能标准
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)7.5Ω@5V,50mA
- 类型2个N沟道
购买数量
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2N7002DW-TP
VDS=60V ID=115mA PD=150mW 2 N-Channel SOT363 MOSFETs
品牌：MCC
现货库存：177 (立即发货)
销售单价
20+￥0.18096
数量国内价格
20+ ￥0.18096
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 功率耗散150mW
- 阈值电压2V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸2.20 x 1.35mm
- 封装/外壳SOT-363
- 输入电容(Ci)50pF@25V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 系列-
- FET功能标准
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)3.75Ω@10V,500mA
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度1.10mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型-
- 引脚数6Pin
- 类型2个N沟道
购买数量
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L2N7002DW1T1G
MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6
品牌：LRC
现货库存：32074 (立即发货)
销售单价
20+￥0.21648
数量国内价格
20+ ￥0.21648
200+ ￥0.16917
600+ ￥0.14308
3000+ ￥0.12074
9000+ ￥0.10623
21000+ ￥0.09849
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 功率耗散380mW
- 阈值电压2V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流500mA
- 长x宽/尺寸2.20 x 1.35mm
- 封装/外壳SOT-363
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)50pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)7.5Ω@10V,500mA
- 栅极电荷(Qg)-
- 高度1.10mm
- 晶体管类型2个N沟道(双)
- 引脚数6Pin
- 类型1个N沟道
购买数量
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2N7002DW(SOT-363)
2N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=115mA P=150mW
品牌：JSCJ
现货库存：6840 (立即发货)
销售单价
20+￥0.32997
数量国内价格
20+ ￥0.32997
100+ ￥0.29998
500+ ￥0.27998
1000+ ￥0.25998
5000+ ￥0.23598
10000+ ￥0.22598
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 漏源电流(Idss)115mA
- 功率耗散150mW
- 阈值电压1.6V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流115mA
- 长x宽/尺寸2.20 x 1.35mm
- 封装/外壳SOT-363
- 栅极源极击穿电压20V
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)1.1Ω
- 高度1.10mm
- 晶体管类型2个N沟道(双)
- 引脚数6Pin
购买数量
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2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） Vgs=60V Id=300mA Pd=500mW
品牌：Infineon
现货库存：39 (立即发货)
销售单价
1+￥0.80726
数量国内价格
1+ ￥0.80726
10+ ￥0.67396
50+ ￥0.55164
100+ ￥0.50656
属性
- 产品分类场效应管(MOSFET)晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 漏源电流(Idss)300mA
- 击穿电压60V
- 功率耗散500mW
- 阈值电压2.5V
- 极性N-沟道
- 连续漏极电流300mA
- 长x宽/尺寸2.00 x 1.25mm
- 封装/外壳SOT-363
- 反向传输电容Crss2pF
- 栅极源极击穿电压±20V
- 输入电容(Ci)20pF@25V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 系列OptiMOS™
- FET功能逻辑电平门
- Vgs(Max)±20V
- 漏源电压(Vdss)60V
- 导通电阻(RDS(on)3Ω@500mA,10V
- 栅极电荷(Qg)0.6nC@10V
- 高度0.90mm
- 零件状态Active
- 晶体管类型2个N沟道(双)
- 引脚数6Pin
购买数量
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
10+￥0.27024

属性

销售单价
20+￥0.18163

属性

销售单价
20+￥0.22855

属性

销售单价
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属性

销售单价
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销售单价
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销售单价
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属性

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销售单价
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属性

数量	国内价格
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100+	￥0.21854
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数量	国内价格
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数量	国内价格
5+	￥0.53357
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500+	￥0.3527
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数量	国内价格
20+	￥0.21648
200+	￥0.16917
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3000+	￥0.12074
9000+	￥0.10623
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品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价10+￥0.27024

属性

销售单价20+￥0.18163

属性

销售单价20+￥0.22855

属性

销售单价0+￥0

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销售单价0+￥0

属性

销售单价5+￥0.53357

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销售单价20+￥0.18096

属性

销售单价20+￥0.21648

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销售单价20+￥0.32997

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销售单价1+￥0.80726

属性

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封装{{ encapShow ? '收起' : '展开' }}

属性

条款与个人信息保护政策

销售单价
10+￥0.27024

销售单价
20+￥0.18163

销售单价
20+￥0.22855

销售单价
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5+￥0.53357

销售单价
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销售单价
20+￥0.21648

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销售单价
1+￥0.80726