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2301A
9V P 沟道增强型 MOS 场效应管
品牌：FM
现货库存：810 (立即发货)
销售单价
50+￥0.08996
数量国内价格
50+ ￥0.08996
500+ ￥0.08096
5000+ ￥0.07497
10000+ ￥0.07197
30000+ ￥0.06897
50000+ ￥0.06717
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌FM
- 功率耗散1.25W
- 阈值电压1V@250µA
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)110mΩ
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流2A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流-2A
- 栅极源极击穿电压±8.5V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 配置单路
- 原产国家China
- Vgs(Max)±8.5V
- 漏源电压(Vdss)9V
- 高度1.15mm
- 晶体管类型P沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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HX2301A
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.5A RDS(ON)=95mΩ@4.5V SOT23
品牌：HX
现货库存：330 (立即发货)
销售单价
50+￥0.03926
数量国内价格
50+ ￥0.03926
500+ ￥0.03696
2000+ ￥0.03234
5000+ ￥0.03003
15000+ ￥0.02772
30000+ ￥0.02656
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌HX
- 功率耗散900mW
- 阈值电压0.7V
- 额定功率900mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)130mΩ@4.5V,2.5A
- 包装Tape/reel
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流2.5A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 工作温度+150℃(TJ)
- 配置单路
- 输入电容325pF
- Vgs(Max)±12V
- 漏源电压(Vdss)20V
- 晶体管类型P沟道
- 类型1个P沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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SK2301A
P沟道漏源电压(Vdss)：16V 连续漏极电流(Id)：3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：160mΩ@4.5V
品牌：SK
现货库存：6200 (立即发货)
销售单价
5+￥0.16368
数量国内价格
5+ ￥0.16368
20+ ￥0.14898
100+ ￥0.13428
500+ ￥0.11957
1000+ ￥0.11271
2000+ ￥0.10781
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 击穿电压16V
- 功率耗散-
- 阈值电压1.5V@250µA
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)160mΩ@4.5V,3A
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流3A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SC59
- 漏极电流3A
- 栅极源极击穿电压±8V
- 配置单路
- Vgs(Max)±8V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)16V
- 零件状态Active
- 晶体管类型P沟道
- 类型1个P沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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SK2301AA
MOS管 P-Channel VDS=16V VGS=±8V ID=3A RDS(ON)=160mΩ@4.5V SOT23
品牌：SK
现货库存：7153 (立即发货)
销售单价
5+￥0.15211
数量国内价格
5+ ￥0.15211
20+ ￥0.13861
100+ ￥0.12511
500+ ￥0.11161
1000+ ￥0.10531
2000+ ￥0.10081
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 击穿电压16V
- 阈值电压1.5V@250µA
- 原始制造商Taiwan shike Electronics co.,ltd
- 包装Tape/reel
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流3A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流3A
- 栅极源极击穿电压±8V
- 配置单路
- 原产国家China Taiwan
- Vgs(Max)±8V
- 漏源电压(Vdss)16V
- 认证信息RoHS
- 高度1.00mm
- 晶体管类型P沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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PT2301A
MOSFETs P-沟道 20V 3A SOT-23
品牌：HT
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
20+￥0.17917
数量国内价格
20+ ￥0.17917
300+ ￥0.14057
1200+ ￥0.1191
3000+ ￥0.1062
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 封装/外壳SOT-23
- 安装类型SMT
- 漏源电压(Vdss)20V
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流3A
- 高度1.00mm
- 引脚数3Pin
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
购买数量
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SK2301A
P沟道漏源电压(Vdss)：16V 连续漏极电流(Id)：3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：160mΩ@4.5V
品牌：SK
现货库存：50 (立即发货)
销售单价
50+￥0.11136
数量国内价格
50+ ￥0.11136
500+ ￥0.10023
5000+ ￥0.0928
10000+ ￥0.08909
30000+ ￥0.08538
50000+ ￥0.08315
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
- 品牌SK
- 击穿电压16V
- 阈值电压1.5V@250µA
- 原始制造商SHIKUES
- 包装Tape/reel
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流3A
- 长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm
- 封装/外壳SC59
- 漏极电流3A
- 配置单路
- 原产国家China Taiwan
- Vgs(Max)±8V
- 漏源电压(Vdss)16V
- 认证信息RoHS
- 零件状态Active
- 晶体管类型P沟道
购买数量
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SK2301AA
MOS管 P-Channel VDS=16V VGS=±8V ID=3A RDS(ON)=160mΩ@4.5V SOT23
品牌：SK
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
50+￥0.09992
数量国内价格
50+ ￥0.09992
500+ ￥0.08993
5000+ ￥0.08327
10000+ ￥0.07994
30000+ ￥0.07661
50000+ ￥0.07461
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅Yes
- 品牌SK
- 功率耗散-
- 阈值电压1.5V@250µA
- 原始制造商Taiwan shike Electronics co.,ltd
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)160mΩ@4.5V,3A
- 包装Tape/reel
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流3A
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流3A
- 配置单路
- Vgs(Max)±8V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)16V
- 零件状态Active
- 晶体管类型P沟道
- 引脚数3Pin
- 类型1个P沟道
购买数量
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SI2301ADS
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=3A P=1W SOT23
品牌：TECH PUBLIC
现货库存：3400 (立即发货)
销售单价
1+￥0.22499
数量国内价格
1+ ￥0.22499
100+ ￥0.20999
300+ ￥0.19499
500+ ￥0.18
2000+ ￥0.1725
5000+ ￥0.168
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 是否无铅No
- 品牌TECH PUBLIC
- 功率耗散1W
- 阈值电压0.7V
- 额定功率1W
- 原始制造商Tech Public Electronics Co.,Ltd.
- 包装Tape/reel
- 极性P-沟道
- 连续漏极电流3A
- 封装/外壳SOT-23
- 栅极源极击穿电压±12V
- 工作温度-55℃~+150℃
- 原产国家China Taiwan
- Vgs(Max)±12V
- 最小包装3000pcs
- 漏源电压(Vdss)20V
- 栅极电荷(Qg)12nC
- 零件状态Active
- 晶体管类型P沟道
购买数量
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WST2301A
P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.5A 功率(Pd)：1W
品牌：WINSOK
现货库存：220 (立即发货)
销售单价
10+￥0.11912
数量国内价格
10+ ￥0.11912
50+ ￥0.11015
200+ ￥0.10268
600+ ￥0.09521
1500+ ￥0.08924
3000+ ￥0.0855
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 击穿电压20V
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)210mΩ
- 包装Tape/reel
- 连续漏极电流2.5A
- 长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm
- 封装/外壳SOT23N
- 元件生命周期Active
- 栅极源极击穿电压±12V
- 反向传输电容Crss30pF
- 工作温度-55℃~+150℃
- 充电电量5nC
- 配置单路
- 原产国家China
- Vgs(Max)±12V
- 漏源电压(Vdss)20V
- 栅极电荷(Qg)7.8nC
- 高度1.15mm
- 晶体管类型P沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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UMW SI2301A
MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.8A Pd=400mW SOT23
品牌：UMW
现货库存：0 (立即发货)
销售单价
0+￥0
数量国内价格
0+ ￥0
属性
- 产品分类MOSFETs晶体管
- 安装类型SMT
- 品牌UMW
- 阈值电压1V@250µA
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)90mΩ
- 包装Tape/reel
- 极性P-沟道
- 印字代码A1
- 连续漏极电流2.8A
- 存储温度-55℃~+150℃
- 封装/外壳SOT-23
- 漏极电流-2.8A
- 栅极源极击穿电压±8V
- 工作温度+150℃
- 配置单路
- 原产国家China
- Vgs(Max)±8V
- 漏源电压(Vdss)20V
- 高度1.05mm
- 晶体管类型P沟道
- 引脚数3Pin
购买数量
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0

品牌收起

供应商收起

封装收起

销售单价
50+￥0.08996

属性

销售单价
50+￥0.03926

属性

销售单价
5+￥0.16368

属性

销售单价
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属性

销售单价
20+￥0.17917

属性

销售单价
50+￥0.11136

属性

销售单价
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属性

销售单价
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销售单价
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数量	国内价格
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数量	国内价格
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品牌收起

供应商收起

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销售单价50+￥0.08996

属性

销售单价50+￥0.03926

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销售单价5+￥0.16368

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属性

销售单价
50+￥0.08996

销售单价
50+￥0.03926

销售单价
5+￥0.16368

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