AO3401A
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MOSFETs

制造商型号:AO3401A

制造商:AOS

商品编号:DS0074260

供应商编号:AO3401A

封装/规格:SOT23

商品描述:表面贴装型 P 通道 30 V 4A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3

数据手册:
阶梯价格
数量香港国内含税
1+--¥0.53131
30+--¥0.51206
100+--¥0.49281
500+--¥0.45431
1000+--¥0.43506
2000+--¥0.42351
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  • 商品名称商品名称商品名

    1.3698¥2.3698
    206人已拼
规格参数
产品属性属性值
产品分类晶体管
MOSFETs
最大耗散功率1.4W
漏源电压(Vdss)30V
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装/外壳SOT23
供应商器件封装SOT-23-3L
安装类型SMT
工作温度(Tj)-55~+150℃
功率耗散(最大值)1.4W(Ta)
FET功能-
栅源电压 Vgss±12V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)1200pF@15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)12.2nC@4.5V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)2.5V,10V
连续漏极电流Id@25℃4A
技术MOSFET(金属氧化物)
导通电阻 Rds(on)44毫欧
FET类型P沟道
制造商标准提前期16 周
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)44毫欧@4.3A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值)1.3V@250µA
漏源极电压(Vdss)30V
漏极电流 Id(最大值)4A
系列-
零件状态Active
湿气敏感性等级(MSL)1(无限)
品牌AOS
极性P-channel
配置Single
漏源击穿电压BVDSS30V
漏源导通电阻 RDS(on)60mΩ
栅极源极击穿电压±12V
反向传输电容Crss55pF
充电电量14nC
功率耗散1.4W
输入电容Ciss645pF
存储温度-55~+150℃
包装Tape/reel
最小包装3000pcs
原始制造商Alpha and Omega Semiconductor
原产国家America
长x宽/尺寸2.90 x 1.60mm
高度1.05mm
引脚数3Pins
元件生命周期Active

成交记录

用户名称购买型号购买数量
华***AO3401A70
陈***AO3401A60
熊***AO3401A6080
周***AO3401A525
谢***AO3401A100
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单价:
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总价:
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