MOS场效应管(单)
制造商型号:AO3401A
制造商:AOS
商品编号:DS0074260 供应商编号:AO3401A
封装/规格:SOT-23-3(SC-59,TO-236-3)
商品描述:P沟道 VDS=-30V VGS=±12V ID=-4A P=1.4W
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数量 | 香港 | 国内含税 |
---|---|---|
1+ | -- | ¥0.98925 |
10+ | -- | ¥0.89115 |
30+ | -- | ¥0.83506 |
100+ | -- | ¥0.73696 |
500+ | -- | ¥0.68926 |
销售总价
规格参数
产品分类 | 晶体管 MOSFETs | |
漏源击穿电压V(BR)dss | 30V | |
最大耗散功率 | 1.4W | |
导通电阻 Rds(on) | 44毫欧 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源极电压(Vdss) | 30V | |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A(Ta) | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 2.5V,10V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.3V@250µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12.2nC@4.5V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1200pF@15V | |
栅源电压 Vgss | ±12V | |
FET功能 | - | |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) | 44毫欧@4.3A,10V | |
功率耗散(最大值) | 1.4W(Ta) | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装(SMT) | |
供应商器件封装 | SOT-23-3L | |
封装/外壳 | SOT-23-3(SC-59,TO-236-3) | |
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | |
制造商标准提前期 | 16 周 | |
FET类型 | P沟道 | |
零件状态 | 在售 | |
漏极电流 Id(最大值) | 4A | |
系列 | - |
相关技术资料
成交记录(20)
用户名称 | 购买数量 | 购买价格 | 下单时间 |
徐*** | 100 | 0.73696 | 2021-02-23 16:46 |
林*** | 200 | 0.73696 | 2021-02-23 11:35 |
新*** | 6000 | 0.46200 | 2021-02-22 10:03 |
林*** | 30 | 0.34000 | 2021-02-09 14:59 |
徐*** | 2000 | 0.68926 | 2021-02-03 13:42 |
熊*** | 180 | 0.73696 | 2021-02-02 16:35 |
*** | 12100 | 0.68926 | 2021-02-01 10:20 |
林*** | 10 | 0.26770 | 2021-01-28 16:48 |
林*** | 2030 | 0.68926 | 2021-01-27 15:02 |
吴*** | 40 | 0.83506 | 2021-01-25 13:22 |
郑*** | 10 | 0.89115 | 2021-01-24 14:04 |
徐*** | 20 | 0.89115 | 2021-01-23 14:27 |
林*** | 40 | 0.40000 | 2021-01-18 17:46 |
林*** | 520 | 0.24500 | 2021-01-18 11:03 |
林*** | 20 | 0.22000 | 2021-01-15 17:46 |
范*** | 800 | 0.59866 | 2021-01-15 17:31 |
林*** | 60 | 0.38000 | 2021-01-14 16:12 |
林*** | 220 | 0.45000 | 2021-01-12 17:36 |
徐*** | 2000 | 0.45621 | 2020-12-25 10:57 |
林*** | 3030 | 0.42668 | 2020-12-24 10:19 |