商品详情

AO3401A
AO3401A

MOS场效应管(单)

制造商型号:AO3401A

制造商:AOS

商品编号:DS0074260      供应商编号:AO3401A

封装/规格:SOT-23-3(SC-59,TO-236-3)

商品描述:P沟道 VDS=-30V VGS=±12V ID=-4A P=1.4W

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10+--¥0.89115
30+--¥0.83506
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500+--¥0.68926
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规格参数

产品分类晶体管
MOSFETs


漏源击穿电压V(BR)dss30V
最大耗散功率1.4W
导通电阻 Rds(on)44毫欧
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)30V
电流-连续漏极(Id)(25°C时)4A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)2.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值)1.3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)12.2nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)1200pF@15V
栅源电压 Vgss±12V
FET功能-
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)44毫欧@4.3A,10V
功率耗散(最大值)1.4W(Ta)
工作温度-55°C~150°C(TJ)
安装类型表面贴装(SMT)
供应商器件封装SOT-23-3L
封装/外壳SOT-23-3(SC-59,TO-236-3)
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)1(无限)
制造商标准提前期16 周
FET类型P沟道
零件状态在售
漏极电流 Id(最大值)4A
系列-

相关技术资料

成交记录(20)

用户名称购买数量购买价格下单时间
徐***1000.736962021-02-23 16:46
林***2000.736962021-02-23 11:35
新***60000.462002021-02-22 10:03
林***300.340002021-02-09 14:59
徐***20000.689262021-02-03 13:42
熊***1800.736962021-02-02 16:35
***121000.689262021-02-01 10:20
林***100.267702021-01-28 16:48
林***20300.689262021-01-27 15:02
吴***400.835062021-01-25 13:22
郑***100.891152021-01-24 14:04
徐***200.891152021-01-23 14:27
林***400.400002021-01-18 17:46
林***5200.245002021-01-18 11:03
林***200.220002021-01-15 17:46
范***8000.598662021-01-15 17:31
林***600.380002021-01-14 16:12
林***2200.450002021-01-12 17:36
徐***20000.456212020-12-25 10:57
林***30300.426682020-12-24 10:19
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