描述：

　　该AT45DB081是一个只有2.7伏，串行接口闪存适合于-系TEM重新编程。其8650752位存储器组织为4096页264字节每个。除了在主存储器中， AT45DB081还包含两个每264个字节的数据缓冲器。该缓冲器允许同时在一个页面接收数据的主存储器进行重新编程。与传统的闪存是具有多个地址线和并行接口，所述数据闪存，随机存取

　　采用串行接口，以顺序地存取其数据。简单的串行接口的制造厂itates硬件布局，提高了系统可靠性，最大限度地降低开关噪声。

　　特点：

　　1、单2.7V - 3.6V电源

　　2、串行接口架构

　　3、页编程操作

　　- 单周期重新编程（擦除和编程）

　　- 4096页（ 264字节/页）主内存

　　4、两个264字节的数据缓冲器 - 允许接收数据，同时重新编程

　　非易失性存储器

　　5、内部的计划和控制的定时器

　　6、快速页编程时间 - 7毫秒典型

　　7、120 µs典型的页面缓冲传输时间

　　8、低功耗

　　- 4毫安有效的读电流典型

　　– 2µACMOS待机电流典型

　　9、10 MHz的最大时钟频率

　　10、硬件数据保护功能

　　11、串行外设接口（ SPI ）兼容 - 模式0和3

　　12、CMOS和TTL兼容输入和输出

　　13、商用和工业温度范围