描述：

　　该AT45DB321是一个只有2.7伏，串行接口闪存适合于-系TEM重新编程。它的34603008位的存储器被组织为8192页528字节每个。除了在主存储器中， AT45DB321还包含两个每528字节的SRAM数据缓冲区。该缓冲器允许接收而数据在主存储器页面进行重新编程。

　　特点：

　　1、单2.7V - 3.6V电源

　　2、串行接口架构

　　3、页编程操作

　　- 单周期重新编程（擦除和编程）

　　- 8192页（ 528字节/页）主内存

　　4、可选页和块擦除操作

　　5、两个528字节的SRAM数据缓冲区 - 允许数据的接收，同时重新编程

　　非易失性存储器

　　6、内部的计划和控制的定时器

　　7、快速页编程时间 - 7毫秒典型

　　8、120 µš典型的页面，以缓冲传输时间

　　9、低功耗

　　- 4毫安有效的读电流典型

　　– 3µ一种CMOS待机电流典型

　　10、13 MHz的最大时钟频率

　　11、硬件数据保护功能

　　12、串行外设接口（ SPI ）兼容 - 模式0和3

　　13、CMOS和TTL兼容输入和输出

　　14、商用和工业温度范围