描述：

　　该AT45DB161D是2.5伏或2.7伏，串行接口顺序访问闪存内存非常适合用于各种数字支持语音，图像 - ，程序代码和对数据存储应用。该AT45DB161D支持急流串行接口应用要求非常高的速度操作。急流串行接口SPI的COM兼容的频率高达66 MHz的。其17301504位存储器被组织成4096页的512字节或每528个字节。除了主存储器，所述AT45DB161D还包含每个五百二十八分之五百十二字节的两个SRAM缓冲器。缓冲区允许数据的接收，而在主存储器中的页面进行重新编程，以及写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真（位或字节alterabil-性）是很容易用一个自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作进行处理。不同于与多个随机访问的传统闪存。

　　特点：

　　1、单2.5V - 3.6V或2.7V - 3.6V电源

　　2、急流串行接口： 66 MHz最大时钟频率

　　- 兼容SPI模式0和3

　　3、用户可配置的页面大小

　　- 每页512字节

　　- 每页528字节

　　- 页面大小可在工厂预先配置为512字节

　　4、页编程操作

　　- 智能编程操作

　　- 4096页（ 528分之512字节/页）主内存

　　5、灵活的擦除选项

　　- 页擦除（ 512字节）

　　- 块擦除（ 4字节）

　　- 扇区擦除（ 128字节）

　　- 芯片擦除（ 16兆位）

　　6、两个SRAM数据缓冲区（五百二十八分之五百十二字节）

　　- 允许数据的接收，同时重新编程的闪存阵列

　　7、通过整个阵列连续读取功能

　　- 理想的代码映射应用程序

　　8、低功耗

　　- 7毫安有效的读电流典型

　　- 25 μA待机电流典型

　　- 15 μA深层关机典型

　　9、硬件和软件数据保护功能

　　- 个别部门

　　10、部门锁定的安全代码和数据存储

　　- 个别部门

　　11、安全性： 128字节安全寄存器

　　- 64字节的用户可编程空间

　　- 唯一的64字节的设备标识符

　　12、JEDEC标准制造商和设备ID读

　　13、100000编程/擦除周期每页最低

　　14、数据保留 - 20岁

　　15、工业温度范围

　　16、绿色（无铅/无卤化物/ RoHS标准）的包装选项