描述：

　　该AT45DB081D是2.5V或2.7V ，串行接口闪存产品适合于各种各样的数字支持语音，图像 - ，程序代码和数据存储应用。

　　该AT45DB081D支持要求非常急流应用的串行接口高速操作。急流串行接口SPI的兼容频率高达66兆赫。其8650752比特的存储器被组织为4096页的256字节或264字节每个。除了在主存储器中， AT45DB081D还包含两个

　　每个264分之256字节的SRAM缓冲器。该缓冲器允许而数据的接收在主存储器页面进行重新编程，以及写入的连续数据流。 EEPROM仿真（位或字节变性）很容易与自我处理包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作。不同于传统的闪存memo-被访问随机与多个地址线和并行接口里斯。

　　特点：

　　1、单2.5V或2.7V至3.6V电源

　　2、急流串行接口： 66 MHz最大时钟频率

　　- 兼容SPI模式0和3

　　3、用户可配置的页面大小

　　- 每页256字节

　　- 每页264字节

　　- 页面大小可在工厂预先配置为256字节

　　4、页编程操作

　　- 智能编程操作

　　- 4096页（二百六十四分之二百五十六字节/页）主内存

　　5、灵活的擦除选项

　　- 页擦除（ 256字节）

　　- 块擦除（ 2字节）

　　- 扇区擦除（ 64字节）

　　- 芯片擦除（ 8兆比特）

　　6、两个SRAM数据缓冲区（ 264分之256字节）

　　- 允许数据的接收，同时重新编程的闪存阵列

　　7、通过整个阵列连续读取功能

　　- 理想的代码映射应用程序

　　8、低功耗

　　- 7毫安有效的读电流典型

　　- 25 μA待机电流典型

　　- 15 μA深层关机典型

　　9、硬件和软件数据保护功能

　　- 个别部门

　　10、部门锁定的安全代码和数据存储

　　- 个别部门

　　11、安全性： 128字节安全寄存器

　　- 64字节的用户可编程空间

　　- 唯一的64字节的设备标识符

　　12、JEDEC标准制造商和设备ID读

　　13、100000编程/擦除周期每页最低

　　14、数据保留 - 20岁

　　15、工业温度范围

　　16、绿色（无铅/无卤化物/ RoHS标准）的包装选项