AT45DB021
2兆位2.7伏,只有串行数据闪存。
制造商:
产品信息
特点:
单2.7V - 3.6V电源
串行接口架构
页编程操作
- 单周期重新编程(擦除和编程)
- 1024页( 264字节/页)主内存
两个264字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据
而非易失性存储器的重新编程
内部的计划和控制的定时器
快速页编程时间 - 7毫秒典型
120µš典型的页面,以缓冲传输时间
低功耗
- 4毫安有效的读电流典型
– 5µ一种CMOS待机电流典型
5 MHz的最大时钟频率
硬件数据保护功能
串行外设接口( SPI )兼容 - 模式0和3
CMOS和TTL兼容输入和输出
商用和工业温度范围
描述:
该AT45DB021是一个只有2.7伏,串行接口闪存适合于-系
TEM重新编程。其2162688位存储器组织为1024页
264字节每个。除了在主存储器中, AT45DB021还包含两个
每264字节的SRAM数据缓冲区。该缓冲器允许接收而数据
在主存储器页面进行重新编程。不同于传统的闪存memo-
被访问随机与多个地址线和并行接口里斯,
该数据闪存采用串行接口以顺序存取其数据。简单的串行
接口方便了硬件的布局,提高了系统的可靠性,减少了切换