特点:

　　单2.7V - 3.6V电源

　　串行接口架构

　　页编程操作

　　- 单周期重新编程（擦除和编程）

　　- 1024页（ 264字节/页）主内存

　　两个264字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据

　　而非易失性存储器的重新编程

　　内部的计划和控制的定时器

　　快速页编程时间 - 7毫秒典型

　　120µš典型的页面，以缓冲传输时间

　　低功耗

　　- 4毫安有效的读电流典型

　　– 5µ一种CMOS待机电流典型

　　5 MHz的最大时钟频率

　　硬件数据保护功能

　　串行外设接口（ SPI ）兼容 - 模式0和3

　　CMOS和TTL兼容输入和输出

　　商用和工业温度范围

　　描述:

　　该AT45DB021是一个只有2.7伏，串行接口闪存适合于-系

　　TEM重新编程。其2162688位存储器组织为1024页

　　264字节每个。除了在主存储器中， AT45DB021还包含两个

　　每264字节的SRAM数据缓冲区。该缓冲器允许接收而数据

　　在主存储器页面进行重新编程。不同于传统的闪存memo-

　　被访问随机与多个地址线和并行接口里斯，

　　该数据闪存采用串行接口以顺序存取其数据。简单的串行

　　接口方便了硬件的布局，提高了系统的可靠性，减少了切换