AT45DB021

2兆位2.7伏,只有串行数据闪存。

制造商:

产品信息

  特点:

  单2.7V - 3.6V电源

  串行接口架构

  页编程操作

  - 单周期重新编程(擦除和编程)

  - 1024页( 264字节/页)主内存

  两个264字节的SRAM数据缓冲区 - 允许接收数据

  而非易失性存储器的重新编程

  内部的计划和控制的定时器

  快速页编程时间 - 7毫秒典型

  120µš典型的页面,以缓冲传输时间

  低功耗

  - 4毫安有效的读电流典型

  – 5µ一种CMOS待机电流典型

  5 MHz的最大时钟频率

  硬件数据保护功能

  串行外设接口( SPI )兼容 - 模式0和3

  CMOS和TTL兼容输入和输出

  商用和工业温度范围

  描述:

  该AT45DB021是一个只有2.7伏,串行接口闪存适合于-系

  TEM重新编程。其2162688位存储器组织为1024页

  264字节每个。除了在主存储器中, AT45DB021还包含两个

  每264字节的SRAM数据缓冲区。该缓冲器允许接收而数据

  在主存储器页面进行重新编程。不同于传统的闪存memo-

  被访问随机与多个地址线和并行接口里斯,

  该数据闪存采用串行接口以顺序存取其数据。简单的串行

  接口方便了硬件的布局,提高了系统的可靠性,减少了切换


    AT45DB021引脚图

      AT45DB021封装图

      应用案例