AT45DB011

1兆位2.7伏,只有串行数据闪存

制造商:

产品信息

  

  描述:

  该AT45DB011是一个只有2.7伏,串行接口闪存适合在系统重新编程。其1081344位存储器组织为512页每264个字节。除了在主存储器中, AT45DB011还包含一个264字节的SRAM数据缓冲区。与传统的闪存是具有多个地址线和并行接口,所述数据闪存,随机存。


  特点:

  (1)单2.7V - 3.6V电源

  (2)串行接口架构

  (3)页编程操作

  - 单周期重新编程(擦除和编程)

  - 512页( 264字节/页)主内存

  (4)可选页和块擦除操作

  (5)一个264字节的SRAM数据缓冲区

  (6)内部的计划和控制的定时器

  (7)快速页编程时间 - 7毫秒典型

  (8)120 μs的典型页面来缓冲传输时间

  (9)低功耗

  - 4毫安有效的读电流典型

  - 2 μA CMOS待机电流典型

  (10)13 MHz的最大时钟频率

  (11)硬件数据保护功能

  (12)串行外设接口( SPI )兼容 - 模式0和3

  (13)CMOS和TTL兼容输入和输出

  (14)商用和工业温度范围

  

电路图、引脚图和封装图

    AT45DB011电路图

      AT45DB011引脚图

        AT45DB011封装图

        应用案例