AT45DB011
1兆位2.7伏,只有串行数据闪存
制造商:
产品信息
描述:
该AT45DB011是一个只有2.7伏,串行接口闪存适合在系统重新编程。其1081344位存储器组织为512页每264个字节。除了在主存储器中, AT45DB011还包含一个264字节的SRAM数据缓冲区。与传统的闪存是具有多个地址线和并行接口,所述数据闪存,随机存。
特点:
(1)单2.7V - 3.6V电源
(2)串行接口架构
(3)页编程操作
- 单周期重新编程(擦除和编程)
- 512页( 264字节/页)主内存
(4)可选页和块擦除操作
(5)一个264字节的SRAM数据缓冲区
(6)内部的计划和控制的定时器
(7)快速页编程时间 - 7毫秒典型
(8)120 μs的典型页面来缓冲传输时间
(9)低功耗
- 4毫安有效的读电流典型
- 2 μA CMOS待机电流典型
(10)13 MHz的最大时钟频率
(11)硬件数据保护功能
(12)串行外设接口( SPI )兼容 - 模式0和3
(13)CMOS和TTL兼容输入和输出
(14)商用和工业温度范围