WST2339P沟道 VDS=-20V VGS=±12V ID=-7.1A 制造商：中文资料及数据手册WST2339中文资料.pdf在线购买产品信息立即购买>>规格参数产品分类MOSFETs晶体管FET配置（电路类型）P沟道漏源击穿电压V(BR)dss20V漏极电流（Id, 连续）7.1A（Tc）导通电阻 Rds（on）17毫欧阈值电压Vgs(th)500mV@250µA最大耗散功率1.4W封装/外壳SOT-23-3L在线购买型号：WST2339描述：-去购买应用案例电机空转没事，带负载就转不起来是什么原因2024-02-03先有ERP，再谈中台、BI、低代码2023-12-10HarmonyOS跨进程通信—IPC与RPC通信开发2024-02-03中美欧——车企的自动驾驶发展动态2023-12-10石墨烯电池与普通电池有什么区别2024-02-0319种常用且经典的二极管应用电路2023-12-10升压转换器电路图分享2024-02-03新能源汽车动力电池设计应用2023-08-17
