PBSS4160T
60 V ,1 A的NPN低VCEsat晶体管( BISS )晶体管。
制造商:
产品信息
描述
NPN低VCESAT晶体管在SOT23塑料包装。PNP补充: PBSS5160T 。
特点
•低集电极 - 发射极饱和电压V
•高集电极电流能力我
•高英法fi效率,降低了发热
•减少所需的印刷电路板的面积
•成本效益的替代中等功率晶体管BCP55和BCX55 。
元器件型号、描述、参数
60 V ,1 A的NPN低VCEsat晶体管( BISS )晶体管。
制造商:
描述
NPN低VCESAT晶体管在SOT23塑料包装。PNP补充: PBSS5160T 。
特点
•低集电极 - 发射极饱和电压V
•高集电极电流能力我
•高英法fi效率,降低了发热
•减少所需的印刷电路板的面积
•成本效益的替代中等功率晶体管BCP55和BCX55 。