优势和特点

  极低电压噪声：1nV/√Hz（最大值，100Hz）

  出色的电流增益匹配：0.5%（典型值）

  低失调电压(VOS)：200 µV（最大值）

  出色的失调电压漂移：0.03 µV/°C（典型值）

  高增益带宽积：200 MHz

产品详情

MAT12是一款双通道NPN匹配晶体管对，专门针对超低噪声音频系统而设计。

该器件具有极低的输入基极分布电阻（rbb典型值为28 Ω）和高电流增益（IC = 1 mA时，hFE典型值超过600），可以实现卓越的信噪比。与采用市面有售的单芯片放大器的系统相对，高电流增益可以带来出色的性能。

MAT12具有出色的电流增益匹配（ΔhFE约为0.5%）和较低的VOS（典型值为10 µV），是有利于减少高阶放大器谐波失真的对称平衡设计的理想选择。

基极发射极结点处的保护二极管可以保证匹配参数的稳定性。这些二极管能够防止基极-发射极结点反向偏置导致β和匹配特性下降。

MAT12同时也是可靠的精密电流偏置和镜像电路的理想选择。另外，由于晶体管对之间的VBE不匹配时，电流镜的精度会呈指数级下降，因此，在多数电路应用中，MAT12的低VOS 无需进行失调调整。

MAT12是MAT02出色的替代产品，其性能和特性可在−40°C至+85°C的扩展温度范围内得到保证。