优势和特点

  高转换增益： 12 dB

  边带抑制： -20 dBc

  2 LO至RF隔离： 10 dB

  输出IP3： +27 dBm

  32引脚5x5mm SMT陶瓷封装： 25mm²

产品详情

HMC815B是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件提供12 dB的小信号转换增益和-20 dBc的边带抑制性能。 HMC815B采用驱动放大器工作，前接由有源x2倍频器驱动LO的I/Q混频器。 还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。 HMC815B为混合型单边带上变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。

应用

  点对点和点对多点无线电

  军用雷达、EW和ELINT

  卫星通信

  传感器