优势和特点

  转换损耗： 10 dB（典型值）

  边带抑制： 针对1 dB压缩(P1dB)的典型输入功率：22 dBc 16 dBm（典型值）

  输入三阶交调截点(IP3)： 24 dBm（典型值）

  输入二阶交调截点(IP2)： -5 dBm（典型值）

  RFOUT上6倍本振(LO)泄漏： -23 dBm（典型值）

  RF回损： 12 dB（典型值）

  LO回损： 20 dB（典型值）

  裸片尺寸： 3.601 mm × 1.609 mm × 0.05 mm

产品详情

HMC8119是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、同相和正交(I/Q)上变频器芯片，工作频率范围为81 GHz至86 GHz。 HMC8119在整个频段内提供10 dB小信号转换增益和22 dBc边带抑制性能。 该器件采用由6倍LO倍频器驱动的图像抑制混频器。 提供差分I和Q混频器输入。 输入可由针对直接变频应用的差分I和Q基带波形驱动。 或者，输入可通过使用针对单边带应用的外部90混合型器件和两个外部180型器件进行驱动。 所有数据包括中频(IF)端口上1 mil金线焊的效应。

应用

  E频段通信系统

  高容量无线回程

  测试与测量