优势和特点

  非反射式50 Ω设计

  高隔离度： 60 dB（典型值）

  低插入损耗： 0.8 dB（典型值）

  高功率处理34 dBm（通过路径）29 dBm（端接路径）

  高线性度0.1 dB压缩(P0.1dB)： 35 dBm（典型值）输入三阶交调截点(IP3)： 60 dBm（典型值）

  ESD额定值4 kV人体模型(HBM)，3A类1.25 kV充电器模型(CDM)

  单正电源3.3 V至5 V1.8 V兼容控制

  欲了解更多特性，请参考数据手册

产品详情

HMC8038是一款高隔离度、非反射式、0.1 GHz至6.0 GH、单刀双掷(SPDT)开关芯片，采用无引脚、表贴封装。 该开关非常适合蜂窝基础设施应用，可实现高达4.0 GHz的62 dB隔离、高达4.0 GHz的0.8 dB低插入损耗和60 dBm输入三阶交调截点。 拥有高达6.0 GHz的出色功率处理能力，并提供针对35 dBm的0.1 dB压缩点(P0.1dB)的输入功率(VDD = 5 V)。 片内电路在极低直流下采用3.3 V至5 V的单正电源电压，以及0 V至1.8 V/3.3 V/5.0 V的单正电压控制。 使能输入(EN)设为逻辑高电平将该开关置于全部关断状态，其中RFC为反射式。

HMC8038的所有器件引脚均提供ESD保护，包括RF接口，并可承受4 kV HMB和1.25 kV CDM。 HMC8038分别提供150 ns和170 ns的快速开关和RF建立时间性能。 该器件采用符合RoHS标准的紧凑型4 mm × 4 mm LFCSP封装。

应用

  蜂窝/4G基础设施

  无线基础设施

  汽车远程信息系统

  移动无线电

  测试设备