优势和特点

  转换增益：15 dB（典型值）

  边带抑制：22 dBc（典型值）

  针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率：4 dBm（典型值）

  输出三阶交调截点(OIP3)：33 dBm（典型值）

  RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：5 dBm（典型值）

  中频(IF)输入端2倍LO泄漏：-35 dBm（典型值）

  RF回波损耗：15 dB（典型值）

  LO回波损耗：15 dB（典型值）

  32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装

产品详情

HMC7912LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器，采用符合RoHS标准的低应力注射成型塑料SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益和18 dBc的边带抑制性能。 HMC7912LP5E采用RF放大器工作，前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。 还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。 HMC7912LP5E为混合型单边带上变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。

应用

  点对点和点对多点无线电

  军用雷达、EW和ELINT

  卫星通信

  传感器