优势和特点

  无源双平衡拓扑结构

  高本振(LO)射频(RF)隔离： 45 dBm

  低转换损耗： 7 dB

  宽中频(IF)带宽： DC至6 GHz

  12引脚陶瓷3 mm × 3 mm SMT封装(HMC558A)： 9 mm2

产品详情

HMC558ALC3B是一款通用型双平衡混频器，采用无引脚RoHS兼容型SMT封装，可用作5.5至14 GHz范围内的上变频器或下变频器。这款混频器采用GaAs MESFET工艺制造，无需外部元件或匹配电路。HMC558ALC3B通过优化的巴伦结构提供出色的LO至RF及LO至IF隔离性能，采用低至+9 dBm的LO驱动电平工作。符合RoHS标准的HMC558ALC3B无需线焊，与高容量表贴制造技术兼容。

应用

  点对点无线电

  点对多点无线电

  测试设备和传感器

  军用最终用途