优势和特点

  宽中频(IF)带宽： DC至3.5 GHz

  镜像抑制： 40 dB

  本振(LO)至射频(RF)隔离： 50 dB

  高输入IP3： 23 dBm

  裸片尺寸(HMC525)： 1.49 mm × 1.14 mm × 0.1 mm

  符合RoHS标准的4 mm × 4 mm SMT封装(HMC525LC4)

产品详情

HMC525器件为紧凑型I/Q MMIC混频器，采用芯片(HMC525)或符合RoHS标准的无引脚无铅SMT封装(HMC525LC4)，二者均可用作IRM或单边带(SSB)上变频器。 这些混频器采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90°混合器件，均采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造。 低频正交混合器件用于产生100 MHz USB IF输出。 这些产品为混合型IRM和SSB上变频器组件的更小型替代器件。 所有HMC525数据均通过安装在50 Ω测试夹具中的芯片获取，且包括每个端口直径为1 mil、长度为20 mil的焊线效应。 HMC525LC4无需线焊，可以使用表贴制造技术。

应用

  点对点

  点对多点无线电

  甚小孔径终端(VSAT)